|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6237 | 6238 | 6239 | 6240 | 6241 | 6242 | 6243 | 6244 | 6245 | 6246 | 6247 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
249641BC214Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP Общего назначенияFairchild Semiconductor
249642BC214Сила Средства Процесса 63 PNPFairchild Semiconductor
249643BC214Усилитель Транзистор PNPON Semiconductor
249644BC214B0.350W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 30В VCEO, 0.100A Ic, 40 - HFEContinental Device India Limited
249645BC214C0.350W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 30В VCEO, 0.100A Ic, 100 - 600 HFEContinental Device India Limited
249646BC214LУСИЛИТЕЛИ И ВОДИТЕЛИ СИГНАЛА AF КРЕМНИЯ МАЛЫЕMicro Electronics
249647BC214LДержатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP Общего назначенияFairchild Semiconductor
249648BC214LBДержатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP Общего назначенияFairchild Semiconductor
249649BC214LB_L34ZДержатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP Общего назначенияFairchild Semiconductor
249650BC214LCДержатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP Общего назначенияFairchild Semiconductor
249651BC214L_D26ZДержатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP Общего назначенияFairchild Semiconductor
249652BC214L_L34ZДержатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP Общего назначенияFairchild Semiconductor
249653BC214RL1Усилитель Транзистор PNPON Semiconductor
249654BC237Применения переключения и усилителяFairchild Semiconductor
249655BC237Общего назначения ТранзисторыKorea Electronics (KEC)
249656BC237Mocy Tranzystor krzemowy ma.ej, ma.ej cz?otliwo.ciUltra CEMI
249657BC237Mocy Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ejUltra CEMI
249658BC237ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛАMicro Electronics
249659BC237Транзисторы general purpose NPNPhilips
249660BC237Кремний Транзисторов NPN УсилителяMotorola
249661BC237Применения переключения типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса) pct (транзистора косого резистора built-in), цепи инвертора, цепи поверхности стыка и цепи водителя.ON Semiconductor
249662BC2370.350W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120 - 800 HFEContinental Device India Limited
249663BC237Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = 50В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 45В. Эмиттер-базUSHA India LTD
249664BC237-DКремний Транзисторов NPN УсилителяON Semiconductor
249665BC237AКремний Транзисторов NPN УсилителяMotorola
249666BC237AТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
249667BC237A0.350W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120 - 220 HFEContinental Device India Limited
249668BC237AУсилитель Транзистор NPNON Semiconductor
249669BC237ABUТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
249670BC237ATAТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
249671BC237AZL1Усилитель Транзистор NPNON Semiconductor
249672BC237BТранзисторы general purpose NPNPhilips
249673BC237BКремний Транзисторов NPN УсилителяMotorola
249674BC237BТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
249675BC237BПрименения переключения типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса) pct (транзистора косого резистора built-in), цепи инвертора, цепи поверхности стыка и цепи водителя.ON Semiconductor
249676BC237B0.350W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 0.100A Ic, 200 - 460 HFEContinental Device India Limited
249677BC237BBUТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
249678BC237BRL1Применения переключения типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса) pct (транзистора косого резистора built-in), цепи инвертора, цепи поверхности стыка и цепи водителя.ON Semiconductor
249679BC237BTAТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
249680BC237BTARТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6237 | 6238 | 6239 | 6240 | 6241 | 6242 | 6243 | 6244 | 6245 | 6246 | 6247 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com