Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
249641 | BC214 | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
249642 | BC214 | Сила Средства Процесса 63 PNP | Fairchild Semiconductor |
249643 | BC214 | Усилитель Транзистор PNP | ON Semiconductor |
249644 | BC214B | 0.350W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 30В VCEO, 0.100A Ic, 40 - HFE | Continental Device India Limited |
249645 | BC214C | 0.350W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 30В VCEO, 0.100A Ic, 100 - 600 HFE | Continental Device India Limited |
249646 | BC214L | УСИЛИТЕЛИ И ВОДИТЕЛИ СИГНАЛА AF КРЕМНИЯ МАЛЫЕ | Micro Electronics |
249647 | BC214L | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
249648 | BC214LB | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
249649 | BC214LB_L34Z | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
249650 | BC214LC | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
249651 | BC214L_D26Z | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
249652 | BC214L_L34Z | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
249653 | BC214RL1 | Усилитель Транзистор PNP | ON Semiconductor |
249654 | BC237 | Применения переключения и усилителя | Fairchild Semiconductor |
249655 | BC237 | Общего назначения Транзисторы | Korea Electronics (KEC) |
249656 | BC237 | Mocy Tranzystor krzemowy ma.ej,
ma.ej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
249657 | BC237 | Mocy Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci
ma.ej | Ultra CEMI |
249658 | BC237 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Micro Electronics |
249659 | BC237 | Транзисторы general purpose NPN | Philips |
249660 | BC237 | Кремний Транзисторов NPN Усилителя | Motorola |
249661 | BC237 | Применения переключения типа кремния NPN
транзистора эпитаксиальные (процесса) pct (транзистора косого
резистора built-in), цепи инвертора, цепи поверхности стыка и
цепи водителя. | ON Semiconductor |
249662 | BC237 | 0.350W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120 - 800 HFE | Continental Device India Limited |
249663 | BC237 | Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = 50В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 45В. Эмиттер-баз | USHA India LTD |
249664 | BC237-D | Кремний Транзисторов NPN Усилителя | ON Semiconductor |
249665 | BC237A | Кремний Транзисторов NPN Усилителя | Motorola |
249666 | BC237A | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
249667 | BC237A | 0.350W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120 - 220 HFE | Continental Device India Limited |
249668 | BC237A | Усилитель Транзистор NPN | ON Semiconductor |
249669 | BC237ABU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
249670 | BC237ATA | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
249671 | BC237AZL1 | Усилитель Транзистор NPN | ON Semiconductor |
249672 | BC237B | Транзисторы general purpose NPN | Philips |
249673 | BC237B | Кремний Транзисторов NPN Усилителя | Motorola |
249674 | BC237B | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
249675 | BC237B | Применения переключения типа кремния NPN
транзистора эпитаксиальные (процесса) pct (транзистора косого
резистора built-in), цепи инвертора, цепи поверхности стыка и
цепи водителя. | ON Semiconductor |
249676 | BC237B | 0.350W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 0.100A Ic, 200 - 460 HFE | Continental Device India Limited |
249677 | BC237BBU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
249678 | BC237BRL1 | Применения переключения типа кремния NPN
транзистора эпитаксиальные (процесса) pct (транзистора косого
резистора built-in), цепи инвертора, цепи поверхности стыка и
цепи водителя. | ON Semiconductor |
249679 | BC237BTA | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
249680 | BC237BTAR | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| | | |