|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6284 | 6285 | 6286 | 6287 | 6288 | 6289 | 6290 | 6291 | 6292 | 6293 | 6294 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
251521BC846B-1BТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯUnknow
251522BC846B-1BТРАНЗИСТОР VHF КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНОЙZetex Semiconductors
251523BC846B-1BТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯUnknow
251524BC846B-7-FБиполярные транзисторыDiodes
251525BC846B-GСлабый сигнал транзистора, V СВО = 80В, V CEO = 65V, V EBO = 6В, я C = 0.1AComchip Technology
251526BC846B-MRКоличество барабанов 500 Ширина ленты 8 мм SOT-23 ТранзисторыFairchild Semiconductor
251527BC846BDW1T1Двойное General purpose Transistors(NPN/PNP Удваивает)ON Semiconductor
251528BC846BDW1T165 V, двойной транзистор общего назначенияLeshan Radio Company
251529BC846BDW1T1-DДвойные Общего назначения Транзисторы NPN УдваиваютON Semiconductor
251530BC846BFТранзисторы general purpose NPNPhilips
251531BC846BLОбщего назначения Кремний Транзистора NPNON Semiconductor
251532BC846BLP465V NPN малого сигнала Surface Mount ТРАНЗИСТОРАDiodes
251533BC846BLP4-7B65V NPN малого сигнала Surface Mount ТРАНЗИСТОРАDiodes
251534BC846BLT1Общего назначения Кремний Transistors(NPN)Leshan Radio Company
251535BC846BLT1СЛУЧАЙ 318-08, ВВОДИТ 6 SOT-23 В МОДУ (TO-236ЈAB)Motorola
251536BC846BLT1Общего назначения Кремний Транзистора NPNON Semiconductor
251537BC846BLT3Общего назначения Кремний Транзистора NPNON Semiconductor
251538BC846BM3Общего назначения ТранзисторыON Semiconductor
251539BC846BMB65 В, 100 мА NPN общего назначения транзисторNXP Semiconductors
251540BC846BMTFТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
251541BC846BPDW1Двойное General purpose Transistors(NPN/PNP Удваивает)ON Semiconductor
251542BC846BPDW1T1Двойное General purpose Transistors(NPN/PNP Удваивает)ON Semiconductor
251543BC846BPDW1T1-DДвойные Общего назначения Транзисторы NPN/PNP Удваивают (Комплиментарно)ON Semiconductor
251544BC846BPN65 В, 100 мА NPN / PNP общего назначения транзисторNXP Semiconductors
251545BC846BS65 В, 100 мА NPN / NPN общего назначения транзисторNXP Semiconductors
251546BC846BTТранзисторы general purpose NPNPhilips
251547BC846BTGeneral purpose Amplifier/Switch Транзистора NPN Сигнала SMD МалоеCentral Semiconductor
251548BC846BTТранзисторы af кремния NPN (высокое напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время увеличения низкое)Infineon
251549BC846BT65 В, 100 мА NPN транзисторы общего назначенияNXP Semiconductors
251550BC846BWТранзисторы general purpose NPNPhilips
251551BC846BWДвухполярные ТранзисторыDiodes
251552BC846BWОбщего назначения транзисторы - пакет SOT323Infineon
251553BC846BWТранзистор af кремния NPN (для этапов входного сигнала af и напряжения тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время увеличения применений водителя высокого низкого)Siemens
251554BC846BWОбщего назначения TransisitorsON Semiconductor
251555BC846BWПоверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe PlanarTransistorsDiotec Elektronische
251556BC846BW65 В, 100 мА NPN транзисторы общего назначенияNXP Semiconductors
251557BC846BWNPN транзистор общего назначения и для решения задач коммутацииKorea Electronics (KEC)
251558BC846BW-7-FБиполярные транзисторыDiodes
251559BC846BW-GСлабый сигнал транзистора, V СВО = 80В, V CEO = 65V, V EBO = 6В, я C = 0.1AComchip Technology
251560BC846BWT1Общего назначения Кремний Transistors(NPN)Leshan Radio Company
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6284 | 6285 | 6286 | 6287 | 6288 | 6289 | 6290 | 6291 | 6292 | 6293 | 6294 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com