|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6441 | 6442 | 6443 | 6444 | 6445 | 6446 | 6447 | 6448 | 6449 | 6450 | 6451 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
257801BD681Пластиковые кремния средней мощности NPN ДарлингтонMotorola
257802BD681SТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
257803BD681STUТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
257804BD682Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
257805BD682КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯST Microelectronics
257806BD682КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
257807BD682КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
257808BD682Пластичный Кремний PNP Darlingtons Средств-SilyMotorola
257809BD682Освинцованный Транзистор Силы DarlingtonCentral Semiconductor
257810BD682Сила 4ЈA 100V PNPDON Semiconductor
257811BD68240.000W Дарлингтон PNP Пластиковые выводами транзистора. 100V VCEO, 4.000A Ic, 750 HFE. Дополнительные BD681Continental Device India Limited
257812BD682SТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
257813BD682STUТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
257814BD682TСила 4ЈA 100V PNPDON Semiconductor
257815BD683ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ DARLINGTONComset Semiconductors
257816BD683ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ DARLINGTONComset Semiconductors
257817BD68340.000W Дарлингтон NPN Пластиковые выводами транзистора. 120 VCEO, 4.000A Ic, 750 HFE.Continental Device India Limited
257818BD684ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ DARLINGTONComset Semiconductors
257819BD684ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ DARLINGTONComset Semiconductors
257820BD68440.000W Дарлингтон PNP Пластиковые выводами транзистора. 120 VCEO, 4.000A Ic, 750 HFE.Continental Device India Limited
257821BD707КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯST Microelectronics
257822BD707КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
257823BD707КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
257824BD70775.000W Переключение NPN Пластиковые Этилированный транзистор. 60V VCEO, 12.000A Ic, 40 - 400 HFE.Continental Device India Limited
257825BD708КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯST Microelectronics
257826BD708КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
257827BD708КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
257828BD709КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯST Microelectronics
257829BD709КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
257830BD709КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
257831BD711КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯST Microelectronics
257832BD711КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
257833BD711КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
257834BD712КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯST Microelectronics
257835BD712КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
257836BD712КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
257837BD743ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
257838BD743AТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
257839BD743BТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
257840BD743CТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6441 | 6442 | 6443 | 6444 | 6445 | 6446 | 6447 | 6448 | 6449 | 6450 | 6451 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com