| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 275161 | BUZ111SE3045A | Транзистор Силы Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 275162 | BUZ111SE3046 | Транзистор Силы Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 275163 | BUZ111SL | Транзистор Силы Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 275164 | BUZ111SL | Транзистор силы SIPMOS (расклассифицированный
уровень Лавин-avalanche-rated dv/dt логики режима повышения
канала н) | Siemens |
| 275165 | BUZ111SLE3045A | Транзистор Силы Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 275166 | BUZ11A | N-CHANNEL 50V - 0.045 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 26ЈA TO-220 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 275167 | BUZ11A | Н - КАНАЛ 50V - 0.045ЈOhm - Mosfet
26ЈA TO-220 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 275168 | BUZ11A | Транзистор силы SIPMOS (режим повышения канала н
Лавин-avalanche-rated) | Siemens |
| 275169 | BUZ11AL | Транзистор силы SIPMOS (уровень логики режима
повышения канала н Лавин-avalanche-rated) | Siemens |
| 275170 | BUZ11S2 | Транзистор силы SIPMOS (режим повышения канала н
Лавин-avalanche-rated) | Siemens |
| 275171 | BUZ11_R4941 | 30A, 50V, 0.040Ohm, Mosfet Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 275172 | BUZ12 | Транзистор силы SIPMOS (режим повышения канала н
Лавин-avalanche-rated) | Siemens |
| 275173 | BUZ12A | Транзистор силы SIPMOS (режим повышения канала н
Лавин-avalanche-rated) | Siemens |
| 275174 | BUZ12AL | Транзистор силы SIPMOS (уровень логики режима
повышения канала н Лавин-avalanche-rated) | Siemens |
| 275175 | BUZ14 | главным образом номинальности | Siemens |
| 275176 | BUZ15 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ SIPMOS | Siemens |
| 275177 | BUZ15 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ SIPMOS | Siemens |
| 275178 | BUZ15 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ SIPMOS | Siemens |
| 275179 | BUZ17 | главным образом номинальности | Siemens |
| 275180 | BUZ171 | Транзистор Силы П-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 275181 | BUZ171 | Транзистор силы SIPMOS (расклассифицированная
лавина режима повышения канала п) | Siemens |
| 275182 | BUZ172 | Транзистор Силы П-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 275183 | BUZ172 | Транзистор силы SIPMOS (расклассифицированная
лавина режима повышения канала п) | Siemens |
| 275184 | BUZ172E3045A | Транзистор Силы П-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 275185 | BUZ173 | Транзистор Силы П-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 275186 | BUZ173 | Транзистор силы SIPMOS (расклассифицированная
лавина режима повышения канала п) | Siemens |
| 275187 | BUZ173E3045A | Транзистор Силы П-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 275188 | BUZ18 | главным образом номинальности | Siemens |
| 275189 | BUZ20 | Транзистор Силы Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 275190 | BUZ20 | Транзистор силы SIPMOS (режим повышения канала н
Лавин-avalanche-rated) | Siemens |
| 275191 | BUZ20 | 12ЈA/ 100V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.200 Омов | Intersil |
| 275192 | BUZ201 | главным образом номинальности | Siemens |
| 275193 | BUZ202 | ГЛАВНЫМ ОБРАЗОМ НОМИНАЛЬНОСТИ | Siemens |
| 275194 | BUZ205 | Транзистор силы SIPMOS (режим FREDFET
повышения канала н) | Siemens |
| 275195 | BUZ206 | главным образом номинальности | Siemens |
| 275196 | BUZ20STS | Транзистор Силы Н-Kanala SIPMOS | Infineon |
| 275197 | BUZ21 | Транзистор силы SIPMOS (режим повышения канала н
Лавин-avalanche-rated) | Siemens |
| 275198 | BUZ21 | 19A/ 100V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.100 Омов | Intersil |
| 275199 | BUZ21 L | Mosfet Силы, 100V, TO-220,
RDSon=0.085 Ом, 21A, LL | Infineon |
| 275200 | BUZ21 SMD | Mosfet силы, 100V, dІpak,
RDSon=0.085 ом, 21A, NL | Infineon |
| | | |
