| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 42921 | 28LV256SM-4 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс. | Turbo IC |
| 42922 | 28LV256SM-5 | Скорость: 300 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42923 | 28LV256SM-5 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 300 нс. | Turbo IC |
| 42924 | 28LV256SM-6 | Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42925 | 28LV256SM-6 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс. | Turbo IC |
| 42926 | 28LV256TC-3 | Скорость: 200 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42927 | 28LV256TC-3 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс. | Turbo IC |
| 42928 | 28LV256TC-4 | Скорость: 250 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42929 | 28LV256TC-4 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс. | Turbo IC |
| 42930 | 28LV256TC-5 | Скорость: 300 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42931 | 28LV256TC-5 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 300 нс. | Turbo IC |
| 42932 | 28LV256TC-6 | Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42933 | 28LV256TC-6 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс. | Turbo IC |
| 42934 | 28LV256TI-3 | Скорость: 200 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42935 | 28LV256TI-3 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс. | Turbo IC |
| 42936 | 28LV256TI-4 | Скорость: 250 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42937 | 28LV256TI-4 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс. | Turbo IC |
| 42938 | 28LV256TI-5 | Скорость: 300 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42939 | 28LV256TI-5 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 300 нс. | Turbo IC |
| 42940 | 28LV256TI-6 | Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42941 | 28LV256TI-6 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс. | Turbo IC |
| 42942 | 28LV256TM-3 | Скорость: 200 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42943 | 28LV256TM-3 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс. | Turbo IC |
| 42944 | 28LV256TM-4 | Скорость: 250 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42945 | 28LV256TM-4 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс. | Turbo IC |
| 42946 | 28LV256TM-5 | Скорость: 300 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42947 | 28LV256TM-5 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 300 нс. | Turbo IC |
| 42948 | 28LV256TM-6 | Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42949 | 28LV256TM-6 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс. | Turbo IC |
| 42950 | 28LV64 | 64K-BIT CMOS ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ EEPROM | Catalyst Semiconductor |
| 42951 | 28LV64A | Продукт Note:This становил ' устаревает ' и
no longer не предложен по мере того как жизнеспособным
приспособлением для design.28LV64ЈA будет 64K бит cmos
параллельное EEPROM организованный как слова 8K 8 битами.
28LV64ЈA достигано как статический ШТОССЕЛЬ для читать или
пишет цикл | Microchip |
| 42952 | 28LV64A-20/L | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
| 42953 | 28LV64A-20/P | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
| 42954 | 28LV64A-20/SO | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
| 42955 | 28LV64A-20/TS | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
| 42956 | 28LV64A-20/VS | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
| 42957 | 28LV64A-20I/L | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
| 42958 | 28LV64A-20I/P | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
| 42959 | 28LV64A-20I/SO | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
| 42960 | 28LV64A-20I/TS | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
| | | |
