|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 10985 | 10986 | 10987 | 10988 | 10989 | 10990 | 10991 | 10992 | 10993 | 10994 | 10995 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
439561GES2222APlanar пассивированы эпитаксиального кремния NPN транзистор. 40V, 400 мА.General Electric Solid State
439562GES2646Кремний однопереходный транзистор. 30В, 50 мА.General Electric Solid State
439563GES2647Кремний однопереходный транзистор. 30В, 50 мА.General Electric Solid State
439564GES2904Planar эпитаксиальных PNP кремниевый транзистор. 40V, 600мА.General Electric Solid State
439565GES2904APlanar эпитаксиальных PNP кремниевый транзистор. 60V, 600мА.General Electric Solid State
439566GES2905Planar эпитаксиальных PNP кремниевый транзистор. 40V, 600мА.General Electric Solid State
439567GES2905APlanar эпитаксиальных PNP кремниевый транзистор. 60V, 600мА.General Electric Solid State
439568GES2906Planar пассивированы эпитаксиального PNP кремниевого транзистора. -40V, -350mA.General Electric Solid State
439569GES2906APlanar пассивированы эпитаксиального PNP кремниевого транзистора. -40V, -350mA.General Electric Solid State
439570GES2907Planar пассивированы эпитаксиального PNP кремниевого транзистора. -40V, -350mA.General Electric Solid State
439571GES2907APlanar пассивированы эпитаксиального PNP кремниевого транзистора. -40V, -350mA.General Electric Solid State
439572GES3414Кремниевый транзистор. 25V, 500 мА.General Electric Solid State
439573GES3415Кремниевый транзистор. 25V, 500 мА.General Electric Solid State
439574GES3416Кремниевый транзистор. 50V, 500 мА.General Electric Solid State
439575GES3417Кремниевый транзистор. 50V, 500 мА.General Electric Solid State
439576GES5305ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ DARLINGTONGeneral Electric Solid State
439577GES5306ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ DARLINGTONGeneral Electric Solid State
439578GES5306AТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ DARLINGTONGeneral Electric Solid State
439579GES5307Planar эпитаксиальных пассивированы NPN кремния Дарлингтон-транзистор. 40V, 300 мА.General Electric Solid State
439580GES5308Planar эпитаксиальных пассивированы NPN кремния Дарлингтон-транзистор. 40V, 300 мА.General Electric Solid State
439581GES5308APlanar эпитаксиальных пассивированы NPN кремния Дарлингтон-транзистор. 40V, 300 мА.General Electric Solid State
439582GES5401ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯGeneral Electric Solid State
439583GES5551ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯGeneral Electric Solid State
439584GES5810Planar пассивированы эпитаксиального кремния NPN транзистор. 25V, 750mA.General Electric Solid State
439585GES5810-J1Малые Транзисторы СигналаCentral Semiconductor
439586GES5811Planar пассивированы эпитаксиального PNP кремниевого транзистора. -25V, -750mA.General Electric Solid State
439587GES5811-J1Малые Транзисторы СигналаCentral Semiconductor
439588GES5812Planar пассивированы эпитаксиального кремния NPN транзистор. 25V, 750mA.General Electric Solid State
439589GES5812-J1Малые Транзисторы СигналаCentral Semiconductor
439590GES5813Planar пассивированы эпитаксиального PNP кремниевого транзистора. -25V, -750mA.General Electric Solid State
439591GES5813-J1Малые Транзисторы СигналаCentral Semiconductor
439592GES5814Planar пассивированы эпитаксиального кремния NPN транзистор. 40V, 750mA.General Electric Solid State
439593GES5814-J1Малые Транзисторы СигналаCentral Semiconductor
439594GES5815Planar пассивированы эпитаксиального PNP кремниевого транзистора. -40V, -750mA.General Electric Solid State
439595GES5815-J1Малые Транзисторы СигналаCentral Semiconductor
439596GES5816Planar пассивированы эпитаксиального кремния NPN транзистор. 40V, 750mA.General Electric Solid State
439597GES5816-J1Малые Транзисторы СигналаCentral Semiconductor
439598GES5817Planar пассивированы эпитаксиального PNP кремниевого транзистора. -40V, -750mA.General Electric Solid State
439599GES5817-J1Малые Транзисторы СигналаCentral Semiconductor
439600GES5818Planar пассивированы эпитаксиального кремния NPN транзистор. 40V, 750mA.General Electric Solid State
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 10985 | 10986 | 10987 | 10988 | 10989 | 10990 | 10991 | 10992 | 10993 | 10994 | 10995 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com