| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 44161 | 2N1893 | 0.800W общего назначения NPN Металл Может транзистора. 80V VCEO, 0.500A Ic, 20 HFE. | Continental Device India Limited |
| 44162 | 2N1893 | Средний Silicon Power NPN плоская транзистор. | General Electric Solid State |
| 44163 | 2N1893 | Чип: 7.0V; Геодезисты 4500; Полярность NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44164 | 2N1893A | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 44165 | 2N1893S | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| 44166 | 2N1893S | Чип: 7.0V; Геодезисты 4500; Полярность NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44167 | 2N1893UB | Полярность NPN Геометрии 4500 Типа
2C1893 Обломока | Semicoa Semiconductor |
| 44168 | 2N1909 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
| 44169 | 2N1909 | Scr 70 Amoeres Average(110 Rms
Управлением Участка) 600 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 44170 | 2N1909 | V (РРМ / DRM): 25V; 110A RMS SCR. Для общего применения контрольных фаза puspose | International Rectifier |
| 44171 | 2N1910 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
| 44172 | 2N1910 | Scr 70 Amoeres Average(110 Rms
Управлением Участка) 600 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 44173 | 2N1910 | V (РРМ / DRM): 50V; 110A RMS SCR. Для общего применения контрольных фаза puspose | International Rectifier |
| 44174 | 2N1911 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
| 44175 | 2N1911 | Scr 70 Amoeres Average(110 Rms
Управлением Участка) 600 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 44176 | 2N1911 | V (РРМ / DRM): 100V; 110A RMS SCR. Для общего применения контрольных фаза puspose | International Rectifier |
| 44177 | 2N1912 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
| 44178 | 2N1912 | Scr 70 Amoeres Average(110 Rms
Управлением Участка) 600 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 44179 | 2N1912 | V (РРМ / DRM): 150V; 110A RMS SCR. Для общего применения контрольных фаза puspose | International Rectifier |
| 44180 | 2N1913 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
| 44181 | 2N1913 | Scr 70 Amoeres Average(110 Rms
Управлением Участка) 600 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 44182 | 2N1913 | V (РРМ / DRM): 200 В; 110A RMS SCR. Для общего применения контрольных фаза puspose | International Rectifier |
| 44183 | 2N1914 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
| 44184 | 2N1914 | Scr 70 Amoeres Average(110 Rms
Управлением Участка) 600 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 44185 | 2N1914 | V (РРМ / DRM): 250; 110A RMS SCR. Для общего применения контрольных фаза puspose | International Rectifier |
| 44186 | 2N1915 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
| 44187 | 2N1915 | Scr 70 Amoeres Average(110 Rms
Управлением Участка) 600 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 44188 | 2N1915 | V (РРМ / DRM): 300 В; 110A RMS SCR. Для общего применения контрольных фаза puspose | International Rectifier |
| 44189 | 2N1916 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
| 44190 | 2N1916 | Scr 70 Amoeres Average(110 Rms
Управлением Участка) 600 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 44191 | 2N1916 | V (РРМ / DRM): 400; 110A RMS SCR. Для общего применения контрольных фаза puspose | International Rectifier |
| 44192 | 2N1973 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 44193 | 2N1974 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 44194 | 2N1975 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 44195 | 2N1983 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 44196 | 2N1984 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 44197 | 2N1985 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 44198 | 2N1986 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 44199 | 2N1987 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 44200 | 2N1988 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| | | |
