|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1108 | 1109 | 1110 | 1111 | 1112 | 1113 | 1114 | 1115 | 1116 | 1117 | 1118 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
444812N2369AТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕBoca Semiconductor Corporation
444822N2369AОсвинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
444832N2369AВЫСОКОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ НАСЫЩЕННЫЙ СКОРОСТЬЮST Microelectronics
444842N2369A1.200W общего назначения NPN Металл Может транзистора. 15V VCEO, Ic, 40 - 120 HFE.Continental Device India Limited
444852N2369ANPN высокоскоростной насыщенный переключатель.Fairchild Semiconductor
444862N2369ANPN переключение кремниевый транзисторMotorola
444872N2369AЧип: геометрия 0005; Полярность NPNSemicoa Semiconductor
444882N2369A1ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ/СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СИЛЫ/NPN В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ ПАКЕТЕ TO-18 ДЛЯ ВЫСОКИХ ПРИМЕНЕНИЙ НАДЕЖНОСТИSemeLAB
444892N2369ACSMHIGH SPEED, СРЕДСТВ СИЛА, ТРАНЗИСТОР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ NPN В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ КЕРАМИЧЕСКОМ ПОВЕРХНОСТНОМ ПАКЕТЕ ДЕРЖАТЕЛЯ ДЛЯ ВЫСОКИХ ПРИМЕНЕНИЙ НАДЕЖНОСТИSemeLAB
444902N2369ADCSMДВОЙНОЕ HIGH SPEED, СРЕДСТВ СИЛА, ТРАНЗИСТОР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ NPN В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ КЕРАМИЧЕСКОМ ПОВЕРХНОСТНОМ ПАКЕТЕ ДЕРЖАТЕЛЯSemeLAB
444912N2369AUБлок транзистора NPN, высокочастотные применения от dc к 500MHzMicrosemi
444922N2369AUAБлок транзистора NPN, высокочастотные применения от dc к 500MHzMicrosemi
444932N2369AUBБлок транзистора NPN, высокочастотные применения от dc к 500MHzMicrosemi
444942N2377Освинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
444952N2378Освинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
444962N2380AОсвинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
444972N238671.000W питания PNP Металл Может транзистора. 40V VCEO, 3.000A Ic, 40 - 200 HFE.Continental Device India Limited
444982N2405Освинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
444992N2405NPN малой мощности звуковой частоты транзистора.Fairchild Semiconductor
445002N2405Средний Silicon Power NPN плоская транзистор.General Electric Solid State
445012N2410Освинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
445022N2411Освинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
445032N2411ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNPCentral Semiconductor
445042N2412Освинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
445052N2412ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNPCentral Semiconductor
445062N2417MU4893Central Semiconductor
445072N2417MU4893Central Semiconductor
445082N2417AMU4893Central Semiconductor
445092N2417AMU4893Central Semiconductor
445102N2417BMU4893Central Semiconductor
445112N2417BMU4893Central Semiconductor
445122N2418MU4893Central Semiconductor
445132N2418MU4893Central Semiconductor
445142N2418AMU4893Central Semiconductor
445152N2418AMU4893Central Semiconductor
445162N2418BMU4893Central Semiconductor
445172N2418BMU4893Central Semiconductor
445182N2419MU4893Central Semiconductor
445192N2419MU4893Central Semiconductor
445202N2419AMU4893Central Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1108 | 1109 | 1110 | 1111 | 1112 | 1113 | 1114 | 1115 | 1116 | 1117 | 1118 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com