| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 45241 | 2N3440 | ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ УСИЛИТЕЛИ | Boca Semiconductor Corporation |
| 45242 | 2N3440 | ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ NPN | SemeLAB |
| 45243 | 2N3440 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45244 | 2N3440 | 1.000W Высокое напряжение NPN Металл может транзистора. 250 VCEO, 1.000A Ic, 40 - 160 HFE. | Continental Device India Limited |
| 45245 | 2N3440 | Высоковольтные кремния NPN плоская транзистор. | General Electric Solid State |
| 45246 | 2N3440CSM4R | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, СРЕДСТВ СИЛА, ТРАНЗИСТОР NPN
В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ КЕРАМИЧЕСКОМ ПОВЕРХНОСТНОМ ПАКЕТЕ
ДЕРЖАТЕЛЯ ДЛЯ ВЫСОКИХ ПРИМЕНЕНИЙ НАДЕЖНОСТИ | SemeLAB |
| 45247 | 2N3440L | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| 45248 | 2N3441 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| 45249 | 2N3441 | СИЛА TRANSISTORS(3ЈA, 140v, 25w) | MOSPEC Semiconductor |
| 45250 | 2N3441 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 45251 | 2N3441 | СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN СИЛЫ | SemeLAB |
| 45252 | 2N3441 | Средний Silicon Power NPN-транзистор. 160В, 25Вт. | General Electric Solid State |
| 45253 | 2N3442 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| 45254 | 2N3442 | СИЛА TRANSISTORS(10A, 15v, 60w) | MOSPEC Semiconductor |
| 45255 | 2N3442 | ТРАНЗИСТОРЫ HIGH-POWER ПРОМЫШЛЕННЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
| 45256 | 2N3442 | 10 КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРА СИЛЫ NPN АМПЕРА 140
ВОЛЬТОВ 117 ВАТТ | Motorola |
| 45257 | 2N3442 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 45258 | 2N3442 | Сила 10A 140V Дискретное NPN | ON Semiconductor |
| 45259 | 2N3442 | Высокая мощность промышленного транзистор | Comset Semiconductors |
| 45260 | 2N3442 | Высокая кремния напряжение NPN-транзистор. 160V, 117W. | General Electric Solid State |
| 45261 | 2N3442-D | Транзисторы Высок-Sily Промышленные | ON Semiconductor |
| 45262 | 2N3444 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45263 | 2N3445 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 45264 | 2N3447 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 45265 | 2N3467 | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 45266 | 2N3467 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45267 | 2N3467 | Напечатайте 2N3467 Полярность На машинке PNP
Геометрии 6706 | Semicoa Semiconductor |
| 45268 | 2N3467L | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 45269 | 2N3467L | Напечатайте 2N3467L Полярность На машинке PNP
Геометрии 6706 | Semicoa Semiconductor |
| 45270 | 2N3468 | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 45271 | 2N3468 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45272 | 2N3468 | Напечатайте 2N3468 Полярность На машинке PNP
Геометрии 6706 | Semicoa Semiconductor |
| 45273 | 2N3468L | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 45274 | 2N3468L | Напечатайте 2N3468L Полярность На машинке PNP
Геометрии 6706 | Semicoa Semiconductor |
| 45275 | 2N3478 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
| 45276 | 2N3478 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45277 | 2N3478 | 0.200W общего назначения NPN Металл Может транзистора. 15V VCEO, 0.050A Ic, 25 - 150 HFE. | Continental Device India Limited |
| 45278 | 2N3485 | Полярность PNP Геометрии 0600 Типа
2C2904ЈA Обломока | Semicoa Semiconductor |
| 45279 | 2N3485A | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 45280 | 2N3485A | Полярность PNP Геометрии 0600 Типа
2C2904ЈA Обломока | Semicoa Semiconductor |
| | | |
