| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 45321 | 2N3502 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45322 | 2N3503 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | SemeLAB |
| 45323 | 2N3503 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45324 | 2N3504 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | SemeLAB |
| 45325 | 2N3504 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45326 | 2N3505 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | SemeLAB |
| 45327 | 2N3505 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45328 | 2N3506 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45329 | 2N3506 | Полярность 1506 Геометрии Типа 2C3506
Обломока NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45330 | 2N3506L | Полярность 1506 Геометрии Типа 2C3506
Обломока NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45331 | 2N3507 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45332 | 2N3507 | Полярность 1506 Геометрии Типа 2C3506
Обломока NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45333 | 2N3507L | Полярность 1506 Геометрии Типа 2C3506
Обломока NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45334 | 2N3508 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45335 | 2N3509 | Малые Транзисторы Сигнала | Central Semiconductor |
| 45336 | 2N3509 | Малые Транзисторы Сигнала | Central Semiconductor |
| 45337 | 2N3525 | ВЫПРЯМИТЕЛИ ТОКА КРЕМНИЯ 5-A CONTROLLED | General Electric Solid State |
| 45338 | 2N3525 | ВЫПРЯМИТЕЛИ ТОКА КРЕМНИЯ 5-A CONTROLLED | General Electric Solid State |
| 45339 | 2N3535 | Двухполярное приспособление NPNP в герметично
загерметизированном пакете металла TO39. | SemeLAB |
| 45340 | 2N3535 | Двухполярное приспособление NPNP в герметично
загерметизированном пакете металла TO39. | SemeLAB |
| 45341 | 2N3545 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45342 | 2N3546 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45343 | 2N3547 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45344 | 2N3548 | ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА НИЗКОГО ШУМА AF КРЕМНИЯ
МАЛЫЕ | Micro Electronics |
| 45345 | 2N3548 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45346 | 2N3549 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45347 | 2N3550 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45348 | 2N3553 | Транзистор верхнего слоя кремния плоскостной
эпитаксиальный | Philips |
| 45349 | 2N3554 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45350 | 2N3558 | Двухполярное приспособление NPNP в герметично
загерметизированном пакете металла TO39 | SemeLAB |
| 45351 | 2N3565 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 45352 | 2N3570 | ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ NPN | Advanced Semiconductor |
| 45353 | 2N3576 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45354 | 2N3583 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| 45355 | 2N3583 | СИЛА TRANSISTORS(35W) | MOSPEC Semiconductor |
| 45356 | 2N3583 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ MEDIUM-POWER
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
| 45357 | 2N3583 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 45358 | 2N3583 | Высоковольтные кремния NPN-транзистор. | General Electric Solid State |
| 45359 | 2N3584 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| 45360 | 2N3584 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| | | |
