| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 47161 | 2N5192 | 40.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 4.000A Ic, 7 HFE. | Continental Device India Limited |
| 47162 | 2N5193 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 47163 | 2N5194 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 47164 | 2N5194 | Сила 4ЈA 60V PNPD | ON Semiconductor |
| 47165 | 2N5194-D | Транзисторы Силы Кремния PNP | ON Semiconductor |
| 47166 | 2N5195 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | ST Microelectronics |
| 47167 | 2N5195 | СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ СИЛЫ PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 47168 | 2N5195 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 47169 | 2N5195 | Сила 4ЈA 80V PNP | ON Semiconductor |
| 47170 | 2N5196 | Монолитовое General purpose | Vishay |
| 47171 | 2N5196 | Двойной N-канальный усилитель общего назначения JFET. | Intersil |
| 47172 | 2N5197 | Монолитовое General purpose | Vishay |
| 47173 | 2N5197 | Двойной N-канальный усилитель общего назначения JFET. | Intersil |
| 47174 | 2N5198 | Монолитовое General purpose | Vishay |
| 47175 | 2N5198 | Двойной N-канальный усилитель общего назначения JFET. | Intersil |
| 47176 | 2N5199 | Монолитовое General purpose | Vishay |
| 47177 | 2N5199 | Двойной N-канальный усилитель общего назначения JFET. | Intersil |
| 47178 | 2N5202 | ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ
NPN СБОРНИКА ПЛОСКОСТНЫЕ | General Electric Solid State |
| 47179 | 2N5202 | ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ
NPN СБОРНИКА ПЛОСКОСТНЫЕ | General Electric Solid State |
| 47180 | 2N5204 | scr управлением участка 600V 22ЈA в
пакете TO-208ЈAA (TO-48) | International Rectifier |
| 47181 | 2N5204 | 25 и 35 амперов rms SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47182 | 2N5205 | scr управлением участка 800V 22ЈA в
пакете TO-208ЈAA (TO-48) | International Rectifier |
| 47183 | 2N5205 | 25 и 35 амперов rms SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47184 | 2N5206 | scr управлением участка 1000V 22ЈA в
пакете TO-208ЈAA (TO-48) | International Rectifier |
| 47185 | 2N5206 | 25 и 35 амперов rms SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47186 | 2N5207 | scr управлением участка 1200V 22ЈA в
пакете TO-208ЈAA (TO-48) | International Rectifier |
| 47187 | 2N5207 | 25 и 35 амперов rms SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47188 | 2N5208 | СЛУЧАЙ 29-04, вводит 2 в моду К-92(ТО-22ЬЈАА) | Motorola |
| 47189 | 2N5209 | ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА НИЗКОГО ШУМА AF КРЕМНИЯ
NPN МАЛЫЕ | Micro Electronics |
| 47190 | 2N5209 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47191 | 2N5209 | Кремний Transistors(NPN Усилителя) | ON Semiconductor |
| 47192 | 2N5209-D | Кремний Транзисторов NPN Усилителя | ON Semiconductor |
| 47193 | 2N5209RLRE | Усилитель Транзистор NPN | ON Semiconductor |
| 47194 | 2N5210 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47195 | 2N5210 | ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА НИЗКОГО ШУМА AF КРЕМНИЯ
NPN МАЛЫЕ | Micro Electronics |
| 47196 | 2N5210 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47197 | 2N5210 | Кремний Transistors(NPN Усилителя) | ON Semiconductor |
| 47198 | 2N5210 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
UHF ТЮНЕРА OSC/MIX | Samsung Electronic |
| 47199 | 2N5210 | Транзисторов усилителя. Напряжение коллектор-эмиттер: 50V = VCEO. Напряжения коллектор-база: 50V = VCBO. Рассеиваемая Коллекционер: ПК (мак | USHA India LTD |
| 47200 | 2N5210BU | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| | | |
