| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 47441 | 2N5401SAM | 0.625W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 150V VCEO, 0.600A Ic, 50 - HFE | Continental Device India Limited |
| 47442 | 2N5401TA | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47443 | 2N5401TAR | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47444 | 2N5401TF | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47445 | 2N5401TFR | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47446 | 2N5401UB1 | Привет-Rel PNP биполярный транзистор 150 В, 0,5 | ST Microelectronics |
| 47447 | 2N5401UBG | Привет-Rel PNP биполярный транзистор 150 В, 0,5 | ST Microelectronics |
| 47448 | 2N5401UBT | Привет-Rel PNP биполярный транзистор 150 В, 0,5 | ST Microelectronics |
| 47449 | 2N5401ZL1 | Малый Усилитель PNP Сигнала | ON Semiconductor |
| 47450 | 2N5401ZL1 | Малый Усилитель PNP Сигнала | ON Semiconductor |
| 47451 | 2N5401_D81Z | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47452 | 2N5401_J05Z | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47453 | 2N5401_J61Z | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47454 | 2N5404 | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА PNP В TO-5 | SemeLAB |
| 47455 | 2N5405 | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА PNP В TO-5 | SemeLAB |
| 47456 | 2N5406 | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА PNP В TO-5 | SemeLAB |
| 47457 | 2N5407 | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА PNP В TO-5 | SemeLAB |
| 47458 | 2N5414 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO39. | SemeLAB |
| 47459 | 2N5414 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO39. | SemeLAB |
| 47460 | 2N5415 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP | ST Microelectronics |
| 47461 | 2N5415 | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 47462 | 2N5415 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 47463 | 2N5415 | ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ УСИЛИТЕЛИ | Boca Semiconductor Corporation |
| 47464 | 2N5415 | Транзисторы PNP высоковольтные | Philips |
| 47465 | 2N5415 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47466 | 2N5415 | 1.000W общего назначения PNP Металл Может транзистора. 200В VCEO, 1.000A Ic, 30 - 150 HFE. | Continental Device India Limited |
| 47467 | 2N5415 | PNP кремния мощный транзистор. | Fairchild Semiconductor |
| 47468 | 2N5415 | Высоковольтные кремния PNP плоская транзистор. | General Electric Solid State |
| 47469 | 2N5415CSM4 | ТРАНЗИСТОР PNP ПЛОСКОСТНОЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В
ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ КЕРАМИЧЕСКОМ ПОВЕРХНОСТНОМ ПАКЕТЕ
ДЕРЖАТЕЛЯ ДЛЯ ВЫСОКИХ ПРИМЕНЕНИЙ НАДЕЖНОСТИ | SemeLAB |
| 47470 | 2N5415S | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 47471 | 2N5415S | УСИЛИТЕЛЬ HIGH-VOLTAGE | SGS Thomson Microelectronics |
| 47472 | 2N5415S | УСИЛИТЕЛЬ HIGH-VOLTAGE | ST Microelectronics |
| 47473 | 2N5416 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP | ST Microelectronics |
| 47474 | 2N5416 | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 47475 | 2N5416 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 47476 | 2N5416 | ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ УСИЛИТЕЛИ | Boca Semiconductor Corporation |
| 47477 | 2N5416 | Транзисторы PNP высоковольтные | Philips |
| 47478 | 2N5416 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47479 | 2N5416 | 1.000W общего назначения PNP Металл Может транзистора. 300В VCEO, 1.000A Ic, 30 - 120 HFE. | Continental Device India Limited |
| 47480 | 2N5416 | PNP кремния мощный транзистор. | Fairchild Semiconductor |
| | | |
