| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 47881 | 2N5681 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN | ST Microelectronics |
| 47882 | 2N5681 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| 47883 | 2N5681 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 47884 | 2N5681 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 47885 | 2N5681 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP/NPN ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
| 47886 | 2N5681 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN ОТРАЗИЛИ МЕЗУ | SemeLAB |
| 47887 | 2N5681 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47888 | 2N5681 | 10.000W Высокое напряжение NPN Металл Может транзистора. 100V VCEO, 1.000A Ic, 5 HFE. | Continental Device India Limited |
| 47889 | 2N5681 | 1.0 Amp 10 Вт NPN-PNP дополняют мощности. | Fairchild Semiconductor |
| 47890 | 2N5681SMD | 100v Vce, IC 1A, 30 МГц NPN биполярный транзистор | SemeLAB |
| 47891 | 2N5682 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN | ST Microelectronics |
| 47892 | 2N5682 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| 47893 | 2N5682 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 47894 | 2N5682 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 47895 | 2N5682 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP/NPN ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
| 47896 | 2N5682 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN ОТРАЗИЛИ МЕЗУ | SemeLAB |
| 47897 | 2N5682 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47898 | 2N5682 | 10.000W Высокое напряжение NPN Металл Может транзистора. 120 VCEO, 1.000A Ic, 5 HFE. | Continental Device India Limited |
| 47899 | 2N5682 | 1.0 Amp 10 Вт NPN-PNP дополняют мощности. | Fairchild Semiconductor |
| 47900 | 2N5683 | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 47901 | 2N5683 | СИЛА TRANSISTORS(50A, 300w) | MOSPEC Semiconductor |
| 47902 | 2N5684 | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 47903 | 2N5684 | СИЛА TRANSISTORS(50A, 300w) | MOSPEC Semiconductor |
| 47904 | 2N5684 | Сила 50A 80V Дискретное PNP | ON Semiconductor |
| 47905 | 2N5684-D | Высок-V настоящее время Комплементарные
Транзисторы Силы Кремния | ON Semiconductor |
| 47906 | 2N5685 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| 47907 | 2N5685 | СИЛА TRANSISTORS(50A, 300w) | MOSPEC Semiconductor |
| 47908 | 2N5686 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| 47909 | 2N5686 | СИЛА TRANSISTORS(50A, 300w) | MOSPEC Semiconductor |
| 47910 | 2N5686 | Сила 50A 80V Дискретное NPN | ON Semiconductor |
| 47911 | 2N5743 | Двухполярное приспособление PNP в герметично
загерметизированном пакете металла TO66 | SemeLAB |
| 47912 | 2N5743 | Двухполярное приспособление PNP в герметично
загерметизированном пакете металла TO66 | SemeLAB |
| 47913 | 2N5745 | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 47914 | 2N5745 | СИЛА TRANSISTORS(200W) | MOSPEC Semiconductor |
| 47915 | 2N5745 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ HIGH-POWER PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 47916 | 2N5745 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 47917 | 2N5754 | 2.5-кремний симистор. Напряжение (тип) 100 В. | General Electric Solid State |
| 47918 | 2N5755 | 2.5-кремний симистор. Напряжение (тип) 200 В. | General Electric Solid State |
| 47919 | 2N5756 | 2.5-кремний симистор. Напряжение (тип) 400 В. | General Electric Solid State |
| 47920 | 2N5757 | 2.5-кремний симистор. Напряжение (тип) 600 В. | General Electric Solid State |
| | | |
