|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1198 | 1199 | 1200 | 1201 | 1202 | 1203 | 1204 | 1205 | 1206 | 1207 | 1208 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
480812N5909МОНОЛИТОВЫЙ ДВОЙНОЙ УСИЛИТЕЛЬ GENERAL PURPOSE КАНАЛА JFET НIntersil
480822N5910ТРАНЗИСТОРЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ КРЕМНИЯ PMPCentral Semiconductor
480832N5911Сопрягаемое Высокое УвеличениеVishay
480842N5911Двойной Усилитель Высокой частоты Н-Kanala JFETCalogic
480852N5911Широкополосное, Высокое Увеличение, Монолитовое Удваивает, Канал JFET(SMT) N-Linear Systems
480862N5911Двойной кремния узел полевой транзистор N-канальныйInterFET Corporation
480872N5911Двойной JFET N-канальный. Частота усилителя высокой.Intersil
480882N5911-12Двойной Усилитель Высокой частоты Н-Kanala JFETCalogic
480892N5911_DДвойной JFET N-канальный. Частота усилителя высокой.Intersil
480902N5911_WДвойной JFET N-канальный. Частота усилителя высокой.Intersil
480912N5912Сопрягаемое Высокое УвеличениеVishay
480922N5912Двойной Усилитель Высокой частоты Н-Kanala JFETCalogic
480932N5912Широкополосное, Высокое Увеличение, Монолитовое Удваивает, Канал JFET(SMT) N-Linear Systems
480942N5912Двойной кремния узел полевой транзистор N-канальныйInterFET Corporation
480952N5912Двойной JFET N-канальный. Частота усилителя высокой.Intersil
480962N5912CШирокополосное, Высокое Увеличение, Монолитовое Удваивает, Канал JFET(SMT) N-Linear Systems
480972N5912_DДвойной JFET N-канальный. Частота усилителя высокой.Intersil
480982N5912_WДвойной JFET N-канальный. Частота усилителя высокой.Intersil
480992N5930Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
481002N5933Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
481012N5933Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
481022N5934Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
481032N5937Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
481042N5937Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
481052N5945ТРАНЗИСТОР СИЛЫ RF КРЕМНИЯ NPNAdvanced Semiconductor
481062N5945ТРАНЗИСТОР СИЛЫ RF КРЕМНИЯ NPNAdvanced Semiconductor
481072N5949Освинцованное General purpose JFETCentral Semiconductor
481082N5949Uhf/ Amplitiers SFET RF/VHF/Fairchild Semiconductor
481092N5950Освинцованное General purpose JFETCentral Semiconductor
481102N5950Uhf/ Amplitiers SFET RF/VHF/Fairchild Semiconductor
481112N5951Освинцованное General purpose JFETCentral Semiconductor
481122N5951Uhf/ Amplitiers SFET RF/VHF/Fairchild Semiconductor
481132N5952Н-Kanal Rf AmpifierFairchild Semiconductor
481142N5952Освинцованное General purpose JFETCentral Semiconductor
481152N5952_D74ZУсилитель Rf Н-KanalaFairchild Semiconductor
481162N5952_D75ZУсилитель Rf Н-KanalaFairchild Semiconductor
481172N5953Освинцованное General purpose JFETCentral Semiconductor
481182N5953Uhf/ Amplitiers SFET RF/VHF/Fairchild Semiconductor
481192N5954Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
481202N5954Кремния PNP средней мощности транзистор. -90V, 40W.General Electric Solid State
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1198 | 1199 | 1200 | 1201 | 1202 | 1203 | 1204 | 1205 | 1206 | 1207 | 1208 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com