Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
49161 | 2N6677 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Boca Semiconductor Corporation |
49162 | 2N6677 | 15 SwitchMax мощный транзистор. Высокое напряжение типа NPN. | General Electric Solid State |
49163 | 2N6677 | NPN кремния мощный транзистор. 15, 350 V, 175 W. | Motorola |
49164 | 2N6678 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
49165 | 2N6678 | СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
49166 | 2N6678 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Boca Semiconductor Corporation |
49167 | 2N6678 | 15 SwitchMax мощный транзистор. Высокое напряжение типа NPN. | General Electric Solid State |
49168 | 2N6678 | NPN кремния мощный транзистор. 15, 400, 175 В. | Motorola |
49169 | 2N6686 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
49170 | 2N6686 | 25 SwitchMax мощный транзистор. Тип NPN. | General Electric Solid State |
49171 | 2N6687 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
49172 | 2N6687 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
49173 | 2N6687 | 25 SwitchMax мощный транзистор. Тип NPN. | General Electric Solid State |
49174 | 2N6688 | 25 SwitchMax мощный транзистор. Тип NPN. | General Electric Solid State |
49175 | 2N6689 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
49176 | 2N6690 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ СИЛЫ NPN | Microsemi |
49177 | 2N6691 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
49178 | 2N6693 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
49179 | 2N6702 | Высокая тока кремния NPN VERSAWATT транзистор. | General Electric Solid State |
49180 | 2N6703 | Высокая тока кремния NPN VERSAWATT транзистор. | General Electric Solid State |
49181 | 2N6704 | Высокая тока кремния NPN VERSAWATT транзистор. | General Electric Solid State |
49182 | 2N6705 | 0.850W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 1.500A Ic, 40 - HFE | Continental Device India Limited |
49183 | 2N6707 | 0.850W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 - HFE | Continental Device India Limited |
49184 | 2N6708 | 0.850W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 45V VCEO, 1.500A Ic, 40 - HFE | Continental Device India Limited |
49185 | 2N6709 | 0.850W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40 - HFE | Continental Device India Limited |
49186 | 2N6710 | 0.850W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 - HFE | Continental Device India Limited |
49187 | 2N6714 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНЫЕ СРЕДСТВ | Zetex Semiconductors |
49188 | 2N6714 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
49189 | 2N6714 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
49190 | 2N6714 | 0.750W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 30В VCEO, 1.000A Ic, 55 - HFE | Continental Device India Limited |
49191 | 2N6714 | ТРАНЗИСТОРЫ средней мощности КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНЫЕ | Diodes |
49192 | 2N6715 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНЫЕ СРЕДСТВ | Zetex Semiconductors |
49193 | 2N6715 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
49194 | 2N6715 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
49195 | 2N6715 | 0.750W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 40V VCEO, 1.500A Ic, 55 - HFE | Continental Device India Limited |
49196 | 2N6715 | ТРАНЗИСТОРЫ средней мощности КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНЫЕ | Diodes |
49197 | 2N6716 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНЫЕ СРЕДСТВ | Zetex Semiconductors |
49198 | 2N6716 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
49199 | 2N6716 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
49200 | 2N6716 | 0.850W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 1.500A Ic, 80 - HFE | Continental Device India Limited |
| | | |