| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 499361 | HM51S4800CLTT-6 | 60 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499362 | HM51S4800CLTT-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499363 | HM51S4800CLTT-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499364 | HM51S4800CTT-6 | 60 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499365 | HM51S4800CTT-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499366 | HM51S4800CTT-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499367 | HM51W16165 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499368 | HM51W16165J-5 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499369 | HM51W16165J-6 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499370 | HM51W16165J-7 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499371 | HM51W16165LJ-5 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499372 | HM51W16165LJ-6 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499373 | HM51W16165LJ-7 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499374 | HM51W16165LTT-5 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499375 | HM51W16165LTT-6 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499376 | HM51W16165LTT-7 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499377 | HM51W16165TT-5 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499378 | HM51W16165TT-6 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499379 | HM51W16165TT-7 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499380 | HM51W18165J-6 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499381 | HM51W18165J-7 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499382 | HM51W18165LJ-5 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499383 | HM51W18165LJ-6 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499384 | HM51W18165LJ-7 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499385 | HM51W18165LTT-5 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499386 | HM51W18165LTT-6 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499387 | HM51W18165LTT-7 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499388 | HM51W18165TT-5 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499389 | HM51W18165TT-6 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499390 | HM51W18165TT-7 | 16 DRAM м EDO (1-Mword
шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499391 | HM5212325F | поверхность стыка SDRAM 100 мегацикл
1-Mword х трицатидвухразрядный х 4-bank PC/100
SDRAM 128M LVTTL | Hitachi Semiconductor |
| 499392 | HM5212325F-B60 | поверхность стыка SDRAM 100 мегацикл
1-Mword х трицатидвухразрядный х 4-bank PC/100
SDRAM 128M LVTTL | Hitachi Semiconductor |
| 499393 | HM5212325FBP-B60 | 128M интерфейс LVTTL SDRAM 100 МГц, 1-Mword х 32-битный х 4-банк | Hitachi Semiconductor |
| 499394 | HM5212325FBPC | поверхность стыка SDRAM 100 мегацикл
1-Mword х трицатидвухразрядный х 4-bank PC/100
SDRAM 128M LVTTL | Hitachi Semiconductor |
| 499395 | HM5212325FBPC-B60 | поверхность стыка SDRAM 100 мегацикл
1-Mword х трицатидвухразрядный х 4-bank PC/100
SDRAM 128M LVTTL | Hitachi Semiconductor |
| 499396 | HM5216165TT-10H | 16 М LVTTL интерфейс SDRAM (512-KWord × 16-бит × 2-банка), 100 МГц | Elpida Memory |
| 499397 | HM5216165TT-12 | 16 М LVTTL интерфейс SDRAM (512-KWord 16-разрядный 2-Банк), 83 МГц | Elpida Memory |
| 499398 | HM5225165B | поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100
мегацикл 4-Mword 256M LVTTL. шестнадцатиразрядно.
4-bank/8-Mword. 8о-разрядн. 4-bank
/16-Mword. 4-bit. 4-bank PC/133,
PC/100 SDRAM | Elpida Memory |
| 499399 | HM5225165B-75 | поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100
мегацикл 4-Mword 256M LVTTL. шестнадцатиразрядно.
4-bank/8-Mword. 8о-разрядн. 4-bank
/16-Mword. 4-bit. 4-bank PC/133,
PC/100 SDRAM | Elpida Memory |
| 499400 | HM5225165B-A6 | поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100
мегацикл 4-Mword 256M LVTTL. шестнадцатиразрядно.
4-bank/8-Mword. 8о-разрядн. 4-bank
/16-Mword. 4-bit. 4-bank PC/133,
PC/100 SDRAM | Elpida Memory |
| | | |
