| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 50001 | 2SA0886 | Приспособление Силы - Транзисторы Силы - Другие | Panasonic |
| 50002 | 2SA0900 | Приспособление Силы - Транзисторы Силы - Другие | Panasonic |
| 50003 | 2SA0914 | Приспособление Силы - Транзисторы Силы - Другие | Panasonic |
| 50004 | 2SA0921 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 50005 | 2SA0963 | Приспособление Силы - Транзисторы Силы - Другие | Panasonic |
| 50006 | 2SA100 | Смещение Ge PNP | Unknow |
| 50007 | 2SA100 | Смещение Ge PNP | Unknow |
| 50008 | 2SA1006 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP/NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
УСИЛИТЕЛЕЙ СИЛЫ LOW-FREQUENCY | NEC |
| 50009 | 2SA1006A | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP/NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
УСИЛИТЕЛЕЙ СИЛЫ LOW-FREQUENCY | NEC |
| 50010 | 2SA1006B | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP/NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
УСИЛИТЕЛЕЙ СИЛЫ LOW-FREQUENCY | NEC |
| 50011 | 2SA1008 | Транзистор кремния | NEC |
| 50012 | 2SA1008(1) | Транзистор кремния | NEC |
| 50013 | 2SA1008(2) | Транзистор кремния | NEC |
| 50014 | 2SA1008(3) | Транзистор кремния | NEC |
| 50015 | 2SA1008(4) | Транзистор кремния | NEC |
| 50016 | 2SA1008-S | Транзистор кремния | NEC |
| 50017 | 2SA1008-Z | Транзистор кремния | NEC |
| 50018 | 2SA1009 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP | NEC |
| 50019 | 2SA1009 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP | NEC |
| 50020 | 2SA1009A | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP | NEC |
| 50021 | 2SA1009A | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP | NEC |
| 50022 | 2SA101 | Смещение Ge PNP | Unknow |
| 50023 | 2SA101 | Смещение Ge PNP | Unknow |
| 50024 | 2SA1010 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | NEC |
| 50025 | 2SA1010(1) | Транзистор кремния | NEC |
| 50026 | 2SA1010(2) | Транзистор кремния | NEC |
| 50027 | 2SA1011 | Переключение Высок-Napr4jeni4 тока, Сила Ампер
Af, Применения Predriver Выхода 100W | SANYO |
| 50028 | 2SA1011 | СИЛА TRANSISTORS(1.5ЈA, 160v, 25w) | MOSPEC Semiconductor |
| 50029 | 2SA1011 | УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(LOW
PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ) | Wing Shing Computer Components |
| 50030 | 2SA1012 | ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) ВЫСОКИЕ В НАСТОЯЩЕЕ
ВРЕМЯ. ПРИМЕНЕНИЯ КОНВЕРТЕРА DC-DC | TOSHIBA |
| 50031 | 2SA1012 | ПРИВЕДИТЕ TRANSISTORS(5ЈA в действие, 50v,
25w) | MOSPEC Semiconductor |
| 50032 | 2SA1013 | QVETNOE ТВ VERT ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ (ПРОЦЕССА PCT). ВЫХОД
ОТКЛОНЕНИЯ, ПРИМЕНЕНИЯ ВЫХОДА Б ТИПА Qvetnogo ТВ ЯДРОВЫЕ | TOSHIBA |
| 50033 | 2SA1015 | Применения усилителя этапа водителя применений
усилителя тональнозвуковой частоты типа кремния PNP транзистора
эпитаксиальные (процесса pct) общего назначения | TOSHIBA |
| 50034 | 2SA1015 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | Micro Electronics |
| 50035 | 2SA1015 | Низкий усилитель частоты. Напряжения коллектор-база: 50V = VCBO. Напряжение коллектор-эмиттер: 50V = VCEO. Эмиттер-база напряжение рассеива | USHA India LTD |
| 50036 | 2SA1015(L) | Применений усилителя тональнозвуковой частоты типа
кремния PNP транзистора применения усилителя шума эпитаксиальных
(процесса pct) низкие | TOSHIBA |
| 50037 | 2SA1015GR | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | Micro Electronics |
| 50038 | 2SA1015L | ТРАНЗИСТОР (ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ
ЧАСТОТЫ) | TOSHIBA |
| 50039 | 2SA1015Y | 400mW PNP кремниевый транзистор | Micro Electronics |
| 50040 | 2SA1016 | Применения Ампера Низк-Wuma Высок-Napr4jeni4
тока | SANYO |
| | | |
