| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 51321 | 2SA708 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СКОРОСТИ УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
СРЕДСТВ | USHA India LTD |
| 51322 | 2SA709 | ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ | USHA India LTD |
| 51323 | 2SA709 | ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ | USHA India LTD |
| 51324 | 2SA715 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 51325 | 2SA715 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 51326 | 2SA719 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 51327 | 2SA720 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 51328 | 2SA720A | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 51329 | 2SA733 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | NEC |
| 51330 | 2SA733 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ PNP НИЗКОЙ
ЧАСТОТНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Unisonic Technologies |
| 51331 | 2SA733 | Усилителя PNP Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 51332 | 2SA733 | Низкий усилитель частоты. Напряжения коллектор-база: VCBO = -60V. Напряжение коллектор-эмиттер: 50V = VCEO. Эмиттер-база напряжение VEBO = 5В. Р | USHA India LTD |
| 51333 | 2SA733-T/JD | Транзистор кремния | NEC |
| 51334 | 2SA733-T/JM | Транзистор кремния | NEC |
| 51335 | 2SA733/JD | Транзистор кремния | NEC |
| 51336 | 2SA733/JM | Транзистор кремния | NEC |
| 51337 | 2SA733K | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | NEC |
| 51338 | 2SA733K | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | NEC |
| 51339 | 2SA733P | PNP транзистор для использования в драйвере усилителя AF, 60В, 0.1A | NEC |
| 51340 | 2SA733Q | PNP транзистор для использования в драйвере усилителя AF, 60В, 0.1A | NEC |
| 51341 | 2SA733R | PNP транзистор для использования в драйвере усилителя AF, 60В, 0.1A | NEC |
| 51342 | 2SA740 | ТРАНЗИСТОР МЕЗЫ КРЕМНИЯ PNP ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ | Unknow |
| 51343 | 2SA740 | ТРАНЗИСТОР МЕЗЫ КРЕМНИЯ PNP ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ | Unknow |
| 51344 | 2SA743 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 51345 | 2SA743 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 51346 | 2SA743A | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 51347 | 2SA743A | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 51348 | 2SA744 | 2SA744 2SA745 2SA745ЈA | Unknow |
| 51349 | 2SA744 | 2SA744 2SA745 2SA745ЈA | Unknow |
| 51350 | 2SA745 | 2SA744 2SA745 2SA745ЈA | Unknow |
| 51351 | 2SA745 | 2SA744 2SA745 2SA745ЈA | Unknow |
| 51352 | 2SA745A | 2SA744 2SA745 2SA745ЈA | Unknow |
| 51353 | 2SA745A | 2SA744 2SA745 2SA745ЈA | Unknow |
| 51354 | 2SA746 | 80V PNP кремниевый транзистор | Sanken |
| 51355 | 2SA747 | 120 PNP кремниевый транзистор | Sanken |
| 51356 | 2SA747A | 140V PNP кремниевый транзистор | Sanken |
| 51357 | 2SA748 | ПЛОСКОСТНОЕ SI PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | Panasonic |
| 51358 | 2SA751 | ПЛОСКОСТНОЕ SI PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | Unknow |
| 51359 | 2SA751 | ПЛОСКОСТНОЕ SI PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | Unknow |
| 51360 | 2SA752 | ПЛОСКОСТНОЕ SI PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | Unknow |
| | | |
