| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 52441 | 2SB705A | ТРИППЕЛЬ КРЕМНИЯ PNP/NPN ОТРАЗИЛ ТРАНЗИСТОР | Unknow |
| 52442 | 2SB705B | ТРИППЕЛЬ КРЕМНИЯ PNP/NPN ОТРАЗИЛ ТРАНЗИСТОР | Unknow |
| 52443 | 2SB706 | ТРИППЕЛЬ КРЕМНИЯ PNP/NPN ОТРАЗИЛ ТРАНЗИСТОР | Unknow |
| 52444 | 2SB706A | ТРИППЕЛЬ КРЕМНИЯ PNP/NPN ОТРАЗИЛ ТРАНЗИСТОР | Unknow |
| 52445 | 2SB709 | ТИП СПЛАВА JUNCTION(UL GE PNP) | Panasonic |
| 52446 | 2SB709A | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 52447 | 2SB710 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 52448 | 2SB710A | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 52449 | 2SB713 | ТРАНЗИСТОР МЕЗЫ КРЕМНИЯ EPITAXAL НИЗКОПРОБНЫЙ | Panasonic |
| 52450 | 2SB715 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 52451 | 2SB715 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 52452 | 2SB716 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 52453 | 2SB716 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 52454 | 2SB716A | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 52455 | 2SB716A | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 52456 | 2SB717 | Пара ВЫСОКОВОЛЬТНОГО УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SB757 и 2SB758 | Hitachi Semiconductor |
| 52457 | 2SB718 | Пара ВЫСОКОВОЛЬТНОГО УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SB757 и 2SB758 | Hitachi Semiconductor |
| 52458 | 2SB726 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 52459 | 2SB727 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 52460 | 2SB727 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 52461 | 2SB727(K) | Транзистор Кремния PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 52462 | 2SB727K | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 52463 | 2SB731 | Усилитель Силы Тональнозвуковой Частоты, Низкое
Переключение Скорости | Unknow |
| 52464 | 2SB733 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | NEC |
| 52465 | 2SB734 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | NEC |
| 52466 | 2SB736 | ПРЕССФОРМА КРЕМНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ
TRANSISTOR(MINI УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ PNP ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ
ЧАСТОТЫ) | NEC |
| 52467 | 2SB736-L | Транзистор кремния | NEC |
| 52468 | 2SB736-T1B | Транзистор кремния | NEC |
| 52469 | 2SB736-T2B | Транзистор кремния | NEC |
| 52470 | 2SB736A | ПРЕССФОРМА КРЕМНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ
TRANSISTOR(MINI УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ PNP ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ
ЧАСТОТЫ) | NEC |
| 52471 | 2SB736A-L | Транзистор кремния | NEC |
| 52472 | 2SB736A-T1B | Транзистор кремния | NEC |
| 52473 | 2SB736A-T2B | Транзистор кремния | NEC |
| 52474 | 2SB738 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 52475 | 2SB738 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 52476 | 2SB739 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 52477 | 2SB739 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 52478 | 2SB739 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 52479 | 2SB740 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 52480 | 2SB740 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| | | |
