|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15254 | 15255 | 15256 | 15257 | 15258 | 15259 | 15260 | 15261 | 15262 | 15263 | 15264 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
610321KM416C1000BJ-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нсSamsung Electronic
610322KM416C1000BJL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610323KM416C1000BJL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610324KM416C1000BJL-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нсSamsung Electronic
610325KM416C1000BT-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610326KM416C1000BT-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610327KM416C1000BT-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нсSamsung Electronic
610328KM416C1000BTL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610329KM416C1000BTL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610330KM416C1000BTL-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нсSamsung Electronic
610331KM416C1000CШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
610332KM416C1000CJ-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610333KM416C1000CJ-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610334KM416C1000CJL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610335KM416C1000CJL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610336KM416C1000CT-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610337KM416C1000CT-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610338KM416C1000CTL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610339KM416C1000CTL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610340KM416C1004BJ-455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
610341KM416C1004BJ-55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610342KM416C1004BJ-65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610343KM416C1004BJ-75V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
610344KM416C1004BJ-L455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
610345KM416C1004BJ-L55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610346KM416C1004BJ-L65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610347KM416C1004BJ-L75V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
610348KM416C1004BT-455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
610349KM416C1004BT-55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610350KM416C1004BT-65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610351KM416C1004BT-75V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
610352KM416C1004BT-L455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
610353KM416C1004BT-L55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610354KM416C1004BT-L65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610355KM416C1004BT-L75V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
610356KM416C1004CШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с выдвинутыми данными внеSamsung Electronic
610357KM416C1004CJ-451M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 45ns, VCC = 5.0V, обновите период = 64 мсSamsung Electronic
610358KM416C1004CJ-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 50 нс, VCC = 5.0V, обновите период = 64 мсSamsung Electronic
610359KM416C1004CJ-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 60 нс, VCC = 5.0V, обновите период = 64 мсSamsung Electronic
610360KM416C1004CJ-L455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15254 | 15255 | 15256 | 15257 | 15258 | 15259 | 15260 | 15261 | 15262 | 15263 | 15264 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com