|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15274 | 15275 | 15276 | 15277 | 15278 | 15279 | 15280 | 15281 | 15282 | 15283 | 15284 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
611121KM48S80302M х 8Bit x DRAM 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
611122KM48S80302M х 8Bit x DRAM 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
611123KM48S8030C2M х 8Bit x DRAM 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
611124KM48S8030CT-G/FA2M х 8Bit x DRAM 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
611125KM48S8030CT-G_F102M х 8bit х 4 банки синхронно DRAM, 3.3V питания, LVTTL, 100 МГцSamsung Electronic
611126KM48S8030CT-G_F72M х 8bit х 4 банки синхронно DRAM, 3.3V питания, LVTTL, 143 МГцSamsung Electronic
611127KM48S8030CT-G_F82M х 8bit х 4 банки синхронно DRAM, 3.3V питания, LVTTL, 125МГцSamsung Electronic
611128KM48S8030CT-G_FH2M х 8bit х 4 банки синхронно DRAM, 3.3V питания, LVTTL, 100 МГцSamsung Electronic
611129KM48S8030CT-G_FL2M х 8bit х 4 банки синхронно DRAM, 3.3V питания, LVTTL, 100 МГцSamsung Electronic
611130KM48S8030D64Mbit SDRAM 2M х 8Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
611131KM48S8030DT-G_F82M х 8bit х 4 банки синхронно DRAM, 3.3V питания, LVTTL, 125МГцSamsung Electronic
611132KM48S8030DT-G_FA2M х 8bit х 4 банки синхронно DRAM, 3.3V питания, LVTTL, 133Samsung Electronic
611133KM48S8030DT-G_FH2M х 8bit х 4 банки синхронно DRAM, 3.3V питания, LVTTL, 100 МГцSamsung Electronic
611134KM48S8030DT-G_FL2M х 8bit х 4 банки синхронно DRAM, 3.3V питания, LVTTL, 100 МГцSamsung Electronic
611135KM48V2000BШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
611136KM48V2000BK-52M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
611137KM48V2000BK-62M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
611138KM48V2000BK-72M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
611139KM48V2000BKL-52M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
611140KM48V2000BKL-62M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
611141KM48V2000BKL-72M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
611142KM48V2000BS-52M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
611143KM48V2000BS-62M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
611144KM48V2000BS-72M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
611145KM48V2000BSL-52M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
611146KM48V2000BSL-62M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
611147KM48V2000BSL-72M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
611148KM48V2100BШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
611149KM48V2100BK-52M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
611150KM48V2100BK-62M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
611151KM48V2100BK-72M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
611152KM48V2100BKL-52M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
611153KM48V2100BKL-62M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
611154KM48V2100BKL-72M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
611155KM48V2100BS-52M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
611156KM48V2100BS-62M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
611157KM48V2100BS-72M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
611158KM48V2100BSL-52M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
611159KM48V2100BSL-62M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
611160KM48V2100BSL-72M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15274 | 15275 | 15276 | 15277 | 15278 | 15279 | 15280 | 15281 | 15282 | 15283 | 15284 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com