Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
899361 | MPS751 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Fairchild Semiconductor |
899362 | MPS751 | Общего назначения Транзисторы | Korea Electronics (KEC) |
899363 | MPS751 | Кремний Транзисторов NPN Усилителя | Motorola |
899364 | MPS751 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
899365 | MPS751 | Малое General purpose PNP Сигнала | ON Semiconductor |
899366 | MPS751 | 0.625W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 2.000A Ic, 75 - HFE | Continental Device India Limited |
899367 | MPS751RLRA | Малое General purpose PNP Сигнала | ON Semiconductor |
899368 | MPS751RLRP | Малое General purpose PNP Сигнала | ON Semiconductor |
899369 | MPS751ZL1 | Малое General purpose PNP Сигнала | ON Semiconductor |
899370 | MPS751_D26Z | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Fairchild Semiconductor |
899371 | MPS8050 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | National Semiconductor |
899372 | MPS8050 | Общего назначения Транзисторы | Korea Electronics (KEC) |
899373 | MPS8050S | Общего назначения Транзисторы | Korea Electronics (KEC) |
899374 | MPS8097 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Micro Electronics |
899375 | MPS8097 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
899376 | MPS8097 | 60 V, 200 MA, NPN кремния эпитаксиальный транзистор | Samsung Electronic |
899377 | MPS8098 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
899378 | MPS8098 | Транзисторы general purpose NPN | Philips |
899379 | MPS8098 | Кремний Транзисторов NPN Усилителя | Motorola |
899380 | MPS8098 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
899381 | MPS8098 | Малый Усилитель NPN Сигнала | ON Semiconductor |
899382 | MPS8098 | 0.625W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 0.500A Ic, 100 - 300 HFE | Continental Device India Limited |
899383 | MPS8098 | 60 V, 500 MA, NPN кремния эпитаксиальный транзистор | Samsung Electronic |
899384 | MPS8098-D | Кремний Транзисторов NPN Усилителя | ON Semiconductor |
899385 | MPS8098RLRA | Малый Усилитель NPN Сигнала | ON Semiconductor |
899386 | MPS8098_D26Z | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
899387 | MPS8098_D27Z | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
899388 | MPS8098_D74Z | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
899389 | MPS8098_D75Z | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
899390 | MPS8098_D81Z | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
899391 | MPS8099 | Кремний Транзисторов NPN Усилителя | Motorola |
899392 | MPS8099 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
899393 | MPS8099 | Малый Усилитель NPN Сигнала | ON Semiconductor |
899394 | MPS8099 | Малый Усилитель NPN Сигнала | ON Semiconductor |
899395 | MPS8099 | 0.625W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 0.500A Ic, 100 - 300 HFE | Continental Device India Limited |
899396 | MPS8099 | 60 V, 500 MA, NPN кремния эпитаксиальный транзистор | Samsung Electronic |
899397 | MPS8099RLRA | Малый Усилитель NPN Сигнала | ON Semiconductor |
899398 | MPS8099RLRA | Малый Усилитель NPN Сигнала | ON Semiconductor |
899399 | MPS8099RLRM | Малый Усилитель NPN Сигнала | ON Semiconductor |
899400 | MPS8099RLRM | Малый Усилитель NPN Сигнала | ON Semiconductor |
| | | |