| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 926801 | NDF08N50Z | Power MOSFET 500V 0,850 Ом Н-Kanala | ON Semiconductor |
| 926802 | NDF08N60Z | Power MOSFET 600V 0,95 Ом Н-Kanala | ON Semiconductor |
| 926803 | NDF10N60Z | Power MOSFET, N-канал, 600 В, 0,75 Ω | ON Semiconductor |
| 926804 | NDF10N62Z | Power MOSFET 620В 0,750 Ом Н-Kanala | ON Semiconductor |
| 926805 | NDF11N50Z | Power MOSFET 500V 0,52 Ом Н-Kanala | ON Semiconductor |
| 926806 | NDF60N360U1 | N-канал Power MOSFET, 600 В, 360 МОм | ON Semiconductor |
| 926807 | NDF653 | Быстрый Диод Спасения | Dynex Semiconductor |
| 926808 | NDF65310 | Быстрый Диод Спасения | Dynex Semiconductor |
| 926809 | NDF65312 | Быстрый Диод Спасения | Dynex Semiconductor |
| 926810 | NDF65314 | Быстрый Диод Спасения | Dynex Semiconductor |
| 926811 | NDF65316 | Быстрый Диод Спасения | Dynex Semiconductor |
| 926812 | NDF7-17P-2.54DSA | Разъем Типа Входа Дна Тангажа 2.54mm | Hirose Electric |
| 926813 | NDF7000A | Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Н-Kanala | National Semiconductor |
| 926814 | NDH8301N | Двойной Транзистор Влияния Поля Режима Повышения
Н-Kanala | National Semiconductor |
| 926815 | NDH8301N | Двойной N-канальный Повышение Режим полевой транзистор [Не рекомендуется для новых разработок] | Fairchild Semiconductor |
| 926816 | NDH8302P | Транзисторы Влияния Поля Режима Повышения
П-Kanala | National Semiconductor |
| 926817 | NDH8303N | Двойной Транзистор Влияния Поля Режима Повышения
Н-Kanala | National Semiconductor |
| 926818 | NDH8303N | Двойной Транзистор Влияния Поля Режима Повышения
Н-Kanala | National Semiconductor |
| 926819 | NDH8303N | Двойной N-канальный Повышение Режим полевой транзистор [Не рекомендуется для новых разработок] | Fairchild Semiconductor |
| 926820 | NDH8304 | Двойной Транзистор Влияния Поля Режима Повышения
П-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 926821 | NDH8304P | Двойной Транзистор Влияния Поля Режима Повышения
П-Kanala | National Semiconductor |
| 926822 | NDH8304P | Двойной Транзистор Влияния Поля Режима Повышения
П-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 926823 | NDH8304P_NL | Двойной Транзистор Влияния Поля Режима Повышения
П-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 926824 | NDH831N | Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Н-Kanala | National Semiconductor |
| 926825 | NDH831N | Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 926826 | NDH8320C | Двойной Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Н &
П-Kanala | National Semiconductor |
| 926827 | NDH8320C | Двойной N & P-Channel Enhancement Mode поле EffectTransistor [Не рекомендуется для новых разработок] | Fairchild Semiconductor |
| 926828 | NDH8321C | Двойной Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Н &
П-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 926829 | NDH832P | Транзисторы Влияния Поля Режима Повышения
П-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 926830 | NDH833N | Транзистор Влияния Поля Режима Повышения Н-Kanala | National Semiconductor |
| 926831 | NDH833N | Длина / Высота 1.02 мм Ширина 4,55 мм Глубина 4,06 мм рассеиваемая мощность 1,8 Вт Транзистор полярности N канала Текущий Id продолжение. 7.1 | Fairchild Semiconductor |
| 926832 | NDH834P | Транзисторы Влияния Поля Режима Повышения
П-Kanala | National Semiconductor |
| 926833 | NDH834P | Транзисторы Влияния Поля Режима Повышения
П-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 926834 | NDH8436 | Транзисторы Влияния Поля Режима Повышения Н-Kanala | National Semiconductor |
| 926835 | NDH8436 | Длина / Высота 1.02 мм Ширина 4,55 мм Глубина 4,06 мм рассеиваемая мощность 1,8 Вт Транзистор полярности N канала Текущий Id продолжение. 5.8 | Fairchild Semiconductor |
| 926836 | NDH8447 | Транзисторы Влияния Поля Режима Повышения
П-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 926837 | NDH8501N | Двойной Транзистор Влияния Поля Режима Повышения
Н-Kanala | National Semiconductor |
| 926838 | NDH8502P | Двойной Транзистор Влияния Поля Режима Повышения
П-Kanala | National Semiconductor |
| 926839 | NDH8502P | Двойной Транзистор Влияния Поля Режима Повышения
П-Kanala | National Semiconductor |
| 926840 | NDH8502P | Двойной Транзистор Влияния Поля Режима Повышения
П-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| | | |
