| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 934601 | NMC27C16BQ150 | 16,384-Bit (2048 х 8) cmos
EPROM | Fairchild Semiconductor |
| 934602 | NMC27C16BQ200 | 16,384-Bit (2048 х 8) cmos
EPROM | Fairchild Semiconductor |
| 934603 | NMC27C16BQE200 | 16,384-Bit (2048 х 8) cmos
EPROM | Fairchild Semiconductor |
| 934604 | NMC27C256BN15 | 150 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934605 | NMC27C256BN150 | 150 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934606 | NMC27C256BN20 | 200 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934607 | NMC27C256BN200 | 200 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934608 | NMC27C256BN25 | 250 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934609 | NMC27C256BN250 | 250 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934610 | NMC27C256BNE15 | 150 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934611 | NMC27C256BNE150 | 150 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934612 | NMC27C256BNE20 | 200 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934613 | NMC27C256BNE200 | 200 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934614 | NMC27C256BNE25 | 250 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934615 | NMC27C256BNE250 | 250 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия один раз программируемых CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934616 | NMC27C256BQ15 | 150 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934617 | NMC27C256BQ150 | 150 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934618 | NMC27C256BQ20 | 200 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934619 | NMC27C256BQ200 | 200 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934620 | NMC27C256BQ25 | 250 нс, Vcc = 5В +/- 5%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934621 | NMC27C256BQ250 | 250 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934622 | NMC27C256BQE150 | 150 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934623 | NMC27C256BQE200 | 200 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934624 | NMC27C256BQM150 | 150 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934625 | NMC27C256BQM200 | 200 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) высокая скорость версия УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934626 | NMC27C256Q17 | 170 нс, VCC = 5В +/- 5%, 262 144-бит (32k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934627 | NMC27C256Q20 | 200 нс, VCC = 5В +/- 5%, 262 144-бит (32k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934628 | NMC27C256Q200 | 200 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934629 | NMC27C256Q25 | 250 нс, VCC = 5В +/- 5%, 262 144-бит (32k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934630 | NMC27C256Q250 | 250 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934631 | NMC27C256Q300 | 300 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934632 | NMC27C256QE200 | 200 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934633 | NMC27C256QE250 | 250 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934634 | NMC27C256QM250 | 250 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934635 | NMC27C256QM350 | 350 нс, VCC = 5В +/- 10%, 262 144-бит (32k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 934636 | NMC27C32B | 32,768-Bit (4096 х 8) prom
cmos | National Semiconductor |
| 934637 | NMC27C32BQ | 32,768-Bit (4096 х 8) cmos
EPROM | National Semiconductor |
| 934638 | NMC27C32BQ150 | 32,768-Bit (4096 х 8) cmos
EPROM | National Semiconductor |
| 934639 | NMC27C32BQ150 | Конфигурация памяти 4Kx8 памяти типа EPROM Толерантность Vcc + 10% Допустимое отклонение Vcc - 10% | Fairchild Semiconductor |
| 934640 | NMC27C32BQ200 | 32,768-Bit (4096 х 8) cmos
EPROM | National Semiconductor |
| | | |
