|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 41284 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
25701LH0045CG50 V, 4 до 20 мА, двухпроводной передатчикNational Semiconductor
25702LH0045G50 V, 4 до 20 мА, двухпроводной передатчикNational Semiconductor
25703LH0052Fet Op Ампер Низкой ЦеныNational Semiconductor
25704LH0052CFet Op Ампер Низкой ЦеныNational Semiconductor
25705LH0052CD+/- 22 В, 500 мВт, точность FET ОУNational Semiconductor
25706LH0052CH+/- 22 В, 500 мВт, точность FET ОУNational Semiconductor
25707LH0052D+/- 22 В, 500 мВт, точность FET ОУNational Semiconductor
25708LH0052H+/- 22 В, 500 мВт, точность FET ОУNational Semiconductor
25709LH0053ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ УСИЛИТЕЛЬ ОБРАЗЦА И ВЛАДЕНИЯNational Semiconductor
25710LH0053CВЫСОКОСКОРОСТНОЙ УСИЛИТЕЛЬ ОБРАЗЦА И ВЛАДЕНИЯNational Semiconductor
25711LH0053CGВЫСОКОСКОРОСТНОЙ УСИЛИТЕЛЬ ОБРАЗЦА И ВЛАДЕНИЯNational Semiconductor
25712LH0053GВЫСОКОСКОРОСТНОЙ УСИЛИТЕЛЬ ОБРАЗЦА И ВЛАДЕНИЯNational Semiconductor
25713LH0061УСИЛИТЕЛЬ 0.5 АМПЕРА ШИРОКОЙ ПОЛОСЫ РАБОЧИЙNational Semiconductor
25714LH0061CУСИЛИТЕЛЬ 0.5 АМПЕРА ШИРОКОЙ ПОЛОСЫ РАБОЧИЙNational Semiconductor
25715LH0061CKУСИЛИТЕЛЬ 0.5 АМПЕРА ШИРОКОЙ ПОЛОСЫ РАБОЧИЙNational Semiconductor
25716LH0062ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ УСИЛИТЕЛЬ FET РАБОЧИЙNational Semiconductor
25717LH0062CВЫСОКОСКОРОСТНОЙ УСИЛИТЕЛЬ FET РАБОЧИЙNational Semiconductor
25718LH0062CDВЫСОКОСКОРОСТНОЙ УСИЛИТЕЛЬ FET РАБОЧИЙNational Semiconductor
25719LH0062CHВЫСОКОСКОРОСТНОЙ УСИЛИТЕЛЬ FET РАБОЧИЙNational Semiconductor
25720LH0062DВЫСОКОСКОРОСТНОЙ УСИЛИТЕЛЬ FET РАБОЧИЙNational Semiconductor
25721LH0062HВЫСОКОСКОРОСТНОЙ УСИЛИТЕЛЬ FET РАБОЧИЙNational Semiconductor
25722LH0063Голодает и ультра быстрый буферNational Semiconductor
25723LH0070Серия Справки Амортизированной BcdNational Semiconductor
25724LH0070-0H40 V, 600 мВт, точность BCD буферный ссылкуNational Semiconductor
25725LH0070-1H40 V, 600 мВт, точность BCD буферный ссылкуNational Semiconductor
25726LH0070-2H40 V, 600 мВт, точность BCD буферный ссылкуNational Semiconductor
25727LH0070CN40 V, 800 мВт, точность BCD буферный ссылкуNational Semiconductor
25728LH0071Серия Справки Амортизированной ТочностьюNational Semiconductor
25729LH0071-0HСправка Точности Серии LH0070 Амортизированная BcdNational Semiconductor
25730LH0071-1HСправка Точности Серии LH0070 Амортизированная BcdNational Semiconductor
25731LH0071-2HСправка Точности Серии LH0070 Амортизированная BcdNational Semiconductor
25732LH0071CN40 V, 800 мВт, точность двоичный буферный ссылкиNational Semiconductor
25733LH0075LH0075 Положительная Точность Programmable RefulatorNational Semiconductor
25734LH0075CGLH0075 Положительная Точность Programmable RefulatorNational Semiconductor
25735LH0075GLH0075 Положительная Точность Programmable RefulatorNational Semiconductor
25736LH0076РЕГУЛЯТОР ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ТОЧНОСТИ PROGRAMMABLENational Semiconductor
25737LH0076CРЕГУЛЯТОР ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ТОЧНОСТИ PROGRAMMABLENational Semiconductor
25738LH0076CG200 мА, от 0 до 27 В, отрицательный точность программируемый регуляторNational Semiconductor
25739LH0076G200 мА, от 0 до 27 В, отрицательный точность программируемый регуляторNational Semiconductor
25740LH0082CD4.5 В до 12 В, оптический приемник связи / усилителяNational Semiconductor
25741LH0084Цифров-Программабле-Priobretite Усилитель Измерительного оборудованияNational Semiconductor
25742LH0084CЦифров-Программабле-Priobretite Усилитель Измерительного оборудованияNational Semiconductor
25743LH0084CDЦифров-Программабле-Priobretite Усилитель Измерительного оборудованияNational Semiconductor
25744LH0084DЦифров-Программабле-Priobretite Усилитель Измерительного оборудованияNational Semiconductor
25745LH0086CD+/- 18 В, цифровой программируемый коэффициентом усиленияNational Semiconductor
25746LH0086D+/- 18 В, цифровой программируемый коэффициентом усиленияNational Semiconductor
25747LH0091Поистине rms к конвертеру dcNational Semiconductor
25748LH0094Multifunction КонвертерNational Semiconductor
25749LH0094CDMultifunction КонвертерNational Semiconductor
25750LH0101Усилители Силы РабочиеNational Semiconductor
25751LH0101AУсилители Силы РабочиеNational Semiconductor
25752LH0101ACУсилители Силы РабочиеNational Semiconductor
25753LH0101AK-MILУсилитель Силы LH0101 РабочийNational Semiconductor
25754LH0101CУсилители Силы РабочиеNational Semiconductor
25755LH0101K-MILУсилитель Силы LH0101 РабочийNational Semiconductor
25756LH11333D/883Переключатели Аналога Квада SPST JFETNational Semiconductor
25757LH1605Регулятор Переключения Высокийа организационно-технический уровень 5-AmpNational Semiconductor
25758LH1605CРегулятор Переключения Высокийа организационно-технический уровень 5-AmpNational Semiconductor
25759LH1605CK5 Амперов, Регулятор Переключения Высокийа организационно-технический уровеньNational Semiconductor
25760LH1605K5 Амперов, Регулятор Переключения Высокийа организационно-технический уровеньNational Semiconductor
25761LH193H/883Компараторы Низкого Напряжения тока Низкого уровня Силы Смещенного ДвойныеNational Semiconductor
25762LH2101AD+/- 22 V, двойной высокопроизводительный операционный усилительNational Semiconductor
25763LH2108AD0,3 мВ, +/- 20 V, двойной супер бета операционный усилительNational Semiconductor
25764LH2108D0,7 мВ, +/- 20 V, двойной супер бета операционный усилительNational Semiconductor
25765LH2110D+/- 5 В до +/- 18 В, 20 МГц, двойное напряжение последователемNational Semiconductor
25766LH2111Двойной Компаратор Напряжения токаNational Semiconductor
25767LH2201AD+/- 22 V, двойной высокопроизводительный операционный усилительNational Semiconductor
25768LH2208AD0,3 мВ, +/- 20 V, двойной супер бета операционный усилительNational Semiconductor
25769LH2208D0,7 мВ, +/- 20 V, двойной супер бета операционный усилительNational Semiconductor
25770LH2210D+/- 5 В до +/- 18 В, 20 МГц, двойное напряжение последователемNational Semiconductor
25771LH2301AD+/- 22 V, двойной высокопроизводительный операционный усилительNational Semiconductor
25772LH2308AD0,3 мВ, +/- 20 V, двойной супер бета операционный усилительNational Semiconductor
25773LH2308D0,7 мВ, +/- 20 V, двойной супер бета операционный усилительNational Semiconductor
25774LH2310D+/- 5 В до +/- 18 В, 20 МГц, двойное напряжение последователемNational Semiconductor
25775LH2311Двойной Компаратор Напряжения токаNational Semiconductor
25776LH2422J, 7 Вт, CRT видео усилитель 70 VNational Semiconductor
25777LH4001Широкополосный В настоящее время БуферNational Semiconductor
25778LH4001CNШирокополосный В настоящее время БуферNational Semiconductor
25779LH4002Широкополосный Видео- БуферNational Semiconductor
25780LH4002CH+/- 6 V, широкополосный видеобуфераNational Semiconductor



25781LH4002CN+/- 6 V, широкополосный видеобуфераNational Semiconductor
25782LH4002H+/- 6 V, широкополосный видеобуфераNational Semiconductor
25783LH4003CD+/- 8 V, +/- 100 мА, точность РФ закрытая буфер петлиNational Semiconductor
25784LH4003D+/- 8 V, +/- 100 мА, точность РФ закрытая буфер петлиNational Semiconductor
25785LH4004CD+/- 14 В, широкополосный FET-буфер ввода / усилительNational Semiconductor
25786LH4004D+/- 14 В, широкополосный FET-буфер ввода / усилительNational Semiconductor
25787LH4006CD+/- 8 V, +/- 100 мА, точность РФ закрытая буфер петлиNational Semiconductor
25788LH4006D+/- 8 V, +/- 100 мА, точность РФ закрытая буфер петлиNational Semiconductor
25789LH4008CK+/- 40 В, +/- 200 мА, быстро буферNational Semiconductor
25790LH4008CT+/- 40 В, +/- 200 мА, быстро буферNational Semiconductor
25791LH4008K+/- 40 В, +/- 200 мА, быстро буферNational Semiconductor
25792LH4009CK+/- 40 В, +/- 200 мА, быстро буферNational Semiconductor
25793LH4009CT+/- 40 В, +/- 200 мА, быстро буферNational Semiconductor
25794LH4009K+/- 40 В, +/- 200 мА, быстро буферNational Semiconductor
25795LH4010CG+/- 40 В, +/- 100 мА, быстро FET буферNational Semiconductor
25796LH4010CN+/- 40 В, +/- 100 мА, быстро FET буферNational Semiconductor
25797LH4010G+/- 40 В, +/- 100 мА, быстро FET буферNational Semiconductor
25798LH4011CK+/- 40 В, +/- 200 мА, буфер быстрого разомкнутого контураNational Semiconductor
25799LH4011CT+/- 40 В, +/- 200 мА, буфер быстрого разомкнутого контураNational Semiconductor
25800LH4011K+/- 40 В, +/- 200 мА, буфер быстрого разомкнутого контураNational Semiconductor

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 | 116 | 117 | 118 | 119 | 120 | 121 | 122 | 123 | 124 | 125 | 126 | 127 | 128 | 129 | 130 | 131 | 132 | 133 | 134 | 135 | 136 | 137 | 138 | 139 | 140 | 141 | 142 | 143 | 144 | 145 | 146 | 147 | 148 | 149 | 150 | 151 | 152 | 153 | 154 | 155 | 156 | 157 | 158 | 159 | 160 | 161 | 162 | 163 | 164 | 165 | 166 | 167 | 168 | 169 | 170 | 171 | 172 | 173 | 174 | 175 | 176 | 177 | 178 | 179 | 180 | 181 | 182 | 183 | 184 | 185 | 186 | 187 | 188 | 189 | 190 | 191 | 192 | 193 | 194 | 195 | 196 | 197 | 198 | 199 | 200 | 201 | 202 | 203 | 204 | 205 | 206 | 207 | 208 | 209 | 210 | 211 | 212 | 213 | 214 | 215 | 216 | 217 | 218 | 219 | 220 | 221 | 222 | 223 | 224 | 225 | 226 | 227 | 228 | 229 | 230 | 231 | 232 | 233 | 234 | 235 | 236 | 237 | 238 | 239 | 240 | 241 | 242 | 243 | 244 | 245 | 246 | 247 | 248 | 249 | 250 | 251 | 252 | 253 | 254 | 255 | 256 | 257 | 258 | 259 | 260 | 261 | 262 | 263 | 264 | 265 | 266 | 267 | 268 | 269 | 270 | 271 | 272 | 273 | 274 | 275 | 276 | 277 | 278 | 279 | 280 | 281 | 282 | 283 | 284 | 285 | 286 | 287 | 288 | 289 | 290 | 291 | 292 | 293 | 294 | 295 | 296 | 297 | 298 | 299 | 300 | 301 | 302 | 303 | 304 | 305 | 306 | 307 | 308 | 309 | 310 | 311 | 312 | 313 | 314 | 315 | 316 | 317 | 318 | 319 | 320 | 321 | 322 | 323 | 324 | 325 | 326 | 327 | 328 | 329 | 330 | 331 | 332 | 333 | 334 | 335 | 336 | 337 | 338 | 339 | 340 | 341 | 342 | 343 | 344 | 345 | 346 | 347 | 348 | 349 | 350 | 351 | 352 | 353 | 354 | 355 | 356 | 357 | 358 | 359 | 360 | 361 | 362 | 363 | 364 | 365 | 366 | 367 | 368 | 369 | 370 | 371 | 372 | 373 | 374 | 375 | 376 | 377 | 378 | 379 | 380 | 381 | 382 | 383 | 384 | 385 | 386 | 387 | 388 | 389 | 390 | 391 | 392 | 393 | 394 | 395 | 396 | 397 | 398 | 399 | 400 | 401 | 402 | 403 | 404 | 405 | 406 | 407 | 408 | 409 | 410 | 411 | 412 | 413 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/nationalsemiconductor/1/