| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 30901 | MSD42WT1G | Транзистор Кремния NPN Общего назначения
Высоковольтный | ON Semiconductor |
| 30902 | MSD42WT1G | Транзистор Кремния NPN Общего назначения
Высоковольтный | ON Semiconductor |
| 30903 | MSD601-R | Малая Пластмасса NPN Сигнала | ON Semiconductor |
| 30904 | MSD601-RT1 | Малая Пластмасса NPN Сигнала | ON Semiconductor |
| 30905 | MSD601-RT1-D | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | ON Semiconductor |
| 30906 | MSD601-RT1G | Малая Пластмасса NPN Сигнала | ON Semiconductor |
| 30907 | MSD601-RT2 | Общего назначения Усилитель транзисторный NPN | ON Semiconductor |
| 30908 | MSD601-S | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | ON Semiconductor |
| 30909 | MSD601-ST1 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | ON Semiconductor |
| 30910 | MSD602-RT1 | Малая Пластмасса NPN Сигнала | ON Semiconductor |
| 30911 | MSD602-RT1-D | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя NPN
Общего назначения | ON Semiconductor |
| 30912 | MSD602-RT2 | Общего назначения Усилитель транзисторный NPN | ON Semiconductor |
| 30913 | MSD6100 | Диод Переключателя Малого Сигнала Двойной | ON Semiconductor |
| 30914 | MSD6100-D | Двойной Катод Общего Диода Переключения | ON Semiconductor |
| 30915 | MSD6100RLRA | Диод Переключателя Малого Сигнала Двойной | ON Semiconductor |
| 30916 | MSD6150 | Двойной диод переключения общий анод | ON Semiconductor |
| 30917 | MSD6150-D | Двойной Анод Общего Диода | ON Semiconductor |
| 30918 | MSQA6V1W5 | Блок квада для предохранения от ESD | ON Semiconductor |
| 30919 | MSQA6V1W5T2 | Блок квада для предохранения от ESD | ON Semiconductor |
| 30920 | MSQA6V1W5T2-D | Блок квада для предохранения от ESD | ON Semiconductor |
| 30921 | MSR1560 | Выпрямитель тока Спасения 15ЈA 600V Мягкий | ON Semiconductor |
| 30922 | MSR1560-D | Руководство Выпрямителя тока D2PAK-SL Силы
Спасения SWITCHMODE Мягкое Прямое | ON Semiconductor |
| 30923 | MSR860 | Выпрямитель тока Спасения 8ЈA 600V Мягкий | ON Semiconductor |
| 30924 | MSR860 | Выпрямитель тока Спасения 8ЈA 600V Мягкий | ON Semiconductor |
| 30925 | MSR860-D | Выпрямителя тока Силы Спасения SWITCHMODEE Пакет
TO-220 Мягкого Пластичный | ON Semiconductor |
| 30926 | MSRB860-1-D | Руководство Выпрямителя тока D2PAK-SL Силы
Спасения SWITCHMODE Мягкое Прямое | ON Semiconductor |
| 30927 | MSRD620CT | Выпрямитель тока 6ЈA 200V Мягкий
Ultrafast | ON Semiconductor |
| 30928 | MSRD620CT-D | Выпрямителя тока Пластичный DPAK Силы Спасения
SWITCHMODE Пакет Мягкого Ultrafast | ON Semiconductor |
| 30929 | MSRD620CT/D | Выпрямителя тока Пластичный DPAK Силы Спасения
SWITCHMODE Пакет Мягкого Ultrafast | ON Semiconductor |
| 30930 | MSRD620CTG | Выпрямителя тока Пластичный DPAK Силы Спасения
SWITCHMODE Пакет Мягкого Ultrafast | ON Semiconductor |
| 30931 | MSRD620CTR | SWITCHMODE Мягкая сверхбыстрой Восстановление обратной полярности питания выпрямителя | ON Semiconductor |
| 30932 | MSRD620CTT4 | Выпрямитель тока 6ЈA 200V Мягкий
Ultrafast | ON Semiconductor |
| 30933 | MSRD620CTT4G | Выпрямителя тока Пластичный DPAK Силы Спасения
SWITCHMODE Пакет Мягкого Ultrafast | ON Semiconductor |
| 30934 | MSRP10040 | Switchmode Мягкая после сбоя питания выпрямителя | ON Semiconductor |
| 30935 | MSRP10040-D | Пакет Выпрямителя тока POWERTAP III Силы
Спасения SWITCHMODE Мягкий | ON Semiconductor |
| 30936 | MTB10N40E | 10 А D2PAK поверхностного монтажа Продукция, N-канал, VDSS 400 | ON Semiconductor |
| 30937 | MTB10N40E-D | Fet D2PAK силы высокой энергии TMOS
E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima
Н-Kanala держателя | ON Semiconductor |
| 30938 | MTB10N60E7 | Fet Силы Высокой™ Энергии TMOS
7 E-FET | ON Semiconductor |
| 30939 | MTB10N60E7-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Fet Силы Высокой Энергии TMOS 7 E-FET | ON Semiconductor |
| 30940 | MTB10N60E7T4 | Fet Силы Высокой™ Энергии TMOS
7 E-FET | ON Semiconductor |
| 30941 | MTB1306 | СПИСАННОЕ - мощность MOSFET 75 Ампер, 30 Вольт, Логический уровень | ON Semiconductor |
| 30942 | MTB1306-D | Mosfet Силы 75 Амперов, 30 Вольтов,
Н-Kanal D2PAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 30943 | MTB15N06V | 15 D2PAK N-канал MOSFET, VDSS 60 | ON Semiconductor |
| 30944 | MTB15N06V-D | Транзистор влияния поля D2PAK силы TMOS
v для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima
Н-Kanala держателя | ON Semiconductor |
| 30945 | MTB16N25E | 16 А D2PAK поверхностного монтажа Продукция, N-канал, VDSS 250 | ON Semiconductor |
| 30946 | MTB16N25E-D | Fet D2PAK силы высокой энергии TMOS
E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima
П-Kanala держателя | ON Semiconductor |
| 30947 | MTB20N20E | СПИСАННОЕ - мощность MOSFET 20 А, 200 Вольт | ON Semiconductor |
| 30948 | MTB20N20E-D | Mosfet Силы 20 Амперов, 200 Вольтов
Н-Kanala D2PAK | ON Semiconductor |
| 30949 | MTB23P06V | Mosfet Силы 23 Амперов, 60 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 30950 | MTB23P06V-D | Mosfet Силы 23 Амперов, 60 Вольтов
П-Kanala D2PAK | ON Semiconductor |
| 30951 | MTB23P06VT4 | Mosfet Силы 23 Амперов, 60 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 30952 | MTB29N15E | Mosfet Силы 29 Амперов, 150 Вольтов
Н-Kanala D2PAK | ON Semiconductor |
| 30953 | MTB29N15E-D | Mosfet Силы 29 Амперов, 150 Вольтов
Н-Kanala D2PAK | ON Semiconductor |
| 30954 | MTB29N15ET4 | Mosfet Силы 29 Амперов, 150 Вольтов
Н-Kanala D2PAK | ON Semiconductor |
| 30955 | MTB2N40E-D | Fet D2PAK силы высокой энергии TMOS
E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima
Н-Kanala держателя | ON Semiconductor |
| 30956 | MTB2N60E | N-канал Повышени-Режим кремния ворота | ON Semiconductor |
| 30957 | MTB2N60E-D | Fet D2PAK силы высокой энергии TMOS
E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima
Н-Kanala держателя | ON Semiconductor |
| 30958 | MTB2P50E | Fet 500V 6.00Ohm Силы TMOS | ON Semiconductor |
| 30959 | MTB2P50E-D | Fet D2PAK силы высокой энергии TMOS
E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima
П-Kanala держателя | ON Semiconductor |
| 30960 | MTB2P50ET4 | Fet 500V 6.00Ohm Силы TMOS | ON Semiconductor |
| 30961 | MTB30N06VL | Мощность MOSFET 30 Ампер, 60 Вольт, Логический уровень | ON Semiconductor |
| 30962 | MTB30N06VL-D | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов,
Н-Kanal D2PAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 30963 | MTB30P06V | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 30964 | MTB30P06V | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 30965 | MTB30P06V-D | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов
П-Kanala D2PAK | ON Semiconductor |
| 30966 | MTB30P06VG | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 30967 | MTB30P06VG | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 30968 | MTB30P06VT4 | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 30969 | MTB30P06VT4 | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 30970 | MTB30P06VT4G | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 30971 | MTB30P06VT4G | Mosfet Силы 30 Амперов, 60 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 30972 | MTB33N10E | Мощность MOSFET 33 Ампер, 100 Вольт | ON Semiconductor |
| 30973 | MTB33N10E-D | Mosfet Силы 33 Ампера, 100 Вольтов
Н-Kanala D2PAK | ON Semiconductor |
| 30974 | MTB36N06V | Mosfet Силы 32 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala DPAK | ON Semiconductor |
| 30975 | MTB36N06V | Mosfet Силы 32 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala DPAK | ON Semiconductor |
| 30976 | MTB36N06V-D | Mosfet Силы 32 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala D2PAK | ON Semiconductor |
| 30977 | MTB36N06VT4 | Mosfet Силы 32 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala DPAK | ON Semiconductor |
| 30978 | MTB36N06VT4 | Mosfet Силы 32 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala DPAK | ON Semiconductor |
| 30979 | MTB3N100E | 2 А D2PAK поверхностного монтажа Продукты, N-Channel, VDSS 1000 | ON Semiconductor |
| 30980 | MTB3N100E-D | Fet D2PAK силы высокой энергии TMOS
E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima
Н-Kanala держателя | ON Semiconductor |
| 30981 | MTB3N120E-D | Fet D2PAK силы высокой энергии TMOS
E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima
Н-Kanala держателя | ON Semiconductor |
| 30982 | MTB3N60E | D2PAK для поверхностного монтажа N-Channel Enhancement-Mode Силиконовой ворот | ON Semiconductor |
| 30983 | MTB3N60E-D | Fet D2PAK силы высокой энергии TMOS
E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima
Н-Kanala держателя | ON Semiconductor |
| 30984 | MTB40N10E | Mosfet Силы 40 Амперов, 100 Вольтов
Н-Kanala D2PAK | ON Semiconductor |
| 30985 | MTB40N10E-D | Mosfet Силы 40 Амперов, 100 Вольтов
Н-Kanala D2PAK | ON Semiconductor |
| 30986 | MTB40N10ET4 | Mosfet Силы 40 Амперов, 100 Вольтов
Н-Kanala D2PAK | ON Semiconductor |
| 30987 | MTB4N80E | УСТАРЕЛО - 800 В, 4 А, мощность Фет | ON Semiconductor |
| 30988 | MTB4N80E-D | Fet D2PAK силы высокой энергии TMOS
E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima
Н-Kanala держателя | ON Semiconductor |
| 30989 | MTB4N80E1 | УСТАРЕЛО - N-канал Повышени-Режим кремния ворота | ON Semiconductor |
| 30990 | MTB4N80E1-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Руководства Fet D2PAK-SL Силы Энергии TMOS E-FET
Высокий Прямой | ON Semiconductor |
| 30991 | MTB50N06V | Power MOSFET 42, 60В, N-канал D2PAK | ON Semiconductor |
| 30992 | MTB50N06V-D | Транзистор влияния поля D2PAK силы TMOS
v для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima
Н-Kanala держателя | ON Semiconductor |
| 30993 | MTB50N06VL | Мощность MOSFET 42 Ампер, 60 Вольт, Логический уровень | ON Semiconductor |
| 30994 | MTB50N06VL-D | Mosfet Силы 42 Ампера, 60 Вольтов,
Н-Kanal D2PAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 30995 | MTB50P03HDL | Mosfet Силы 50 Амперов, 30 Вольтов,
П-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 30996 | MTB50P03HDL-D | Mosfet Силы 50 Амперов, 30 Вольтов,
П-Kanal D2PAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 30997 | MTB50P03HDLT4 | Mosfet Силы 50 Амперов, 30 Вольтов,
П-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 30998 | MTB50P03HDLT4G | Mosfet Силы 50 Амперов, 30 Вольтов,
П-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 30999 | MTB52N06V | Mosfet Силы 52 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala D2PAK | ON Semiconductor |
| 31000 | MTB52N06V-D | Mosfet Силы 52 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala D2PAK | ON Semiconductor |
| | | |
