| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 3001 | K6R1004C1D-JC(I)10 | работать cmos статический RAM(3.3V высокой
скорости бита 64Kx16) эксплуатируемый на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3002 | K6R1004C1D-JC(I)10_12 | 64Kx16 Бит высокоскоростной CMOS Static RAM (3,3 Операционная) Управляется при Торгово-промышленной температурных диапазонах. | Samsung Electronic |
| 3003 | K6R1004C1D-JC(I)12 | работать cmos статический RAM(3.3V высокой
скорости бита 64Kx16) эксплуатируемый на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3004 | K6R1004C1D-JC10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3005 | K6R1004C1D-JI10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3006 | K6R1004C1D-KC10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3007 | K6R1004C1D-KI10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3008 | K6R1004V1D | 256K x лист 4 данным по рядка cmos
статический RAM(3.3V высокой скорости бита (с /OE) работая)
отборный | Samsung Electronic |
| 3009 | K6R1004V1D-JC(I)08 | работать cmos статический RAM(3.3V высокой
скорости бита 64Kx16) эксплуатируемый на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3010 | K6R1004V1D-JC(I)08_10 | 64Kx16 Бит высокоскоростной CMOS Static RAM (3,3 Операционная) Управляется при Торгово-промышленной температурных диапазонах. | Samsung Electronic |
| 3011 | K6R1004V1D-JC(I)10 | работать cmos статический RAM(3.3V высокой
скорости бита 64Kx16) эксплуатируемый на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3012 | K6R1004V1D-JC08 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3013 | K6R1004V1D-JC10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3014 | K6R1004V1D-JI08 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3015 | K6R1004V1D-JI10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3016 | K6R1004V1D-KC08 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3017 | K6R1004V1D-KC10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3018 | K6R1004V1D-KI08 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3019 | K6R1004V1D-KI10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3020 | K6R1008C1A | -128Kx8 высокоскоростной static RAM5V
работая, революционный штырь вне. Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3021 | K6R1008C1A | 128Kx8 высокоскоростной static RAM5V
работая революционный штырь вне. Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3022 | K6R1008C1A-C12 | 128Kx8 высокоскоростной static RAM5V
работая революционный штырь вне. Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3023 | K6R1008C1A-C15 | 128Kx8 высокоскоростной static RAM5V
работая революционный штырь вне. Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3024 | K6R1008C1A-C20 | 128Kx8 высокоскоростной static RAM5V
работая революционный штырь вне. Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3025 | K6R1008C1A-I12 | 128Kx8 высокоскоростной static RAM5V
работая революционный штырь вне. Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3026 | K6R1008C1A-I15 | 128Kx8 высокоскоростной static RAM5V
работая революционный штырь вне. Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3027 | K6R1008C1A-I20 | 128Kx8 высокоскоростной static RAM5V
работая революционный штырь вне. Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3028 | K6R1008C1A-JC12 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 12 нс | Samsung Electronic |
| 3029 | K6R1008C1A-JC15 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 15 нс | Samsung Electronic |
| 3030 | K6R1008C1A-JC20 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 20 нс | Samsung Electronic |
| 3031 | K6R1008C1A-JI12 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 12 нс | Samsung Electronic |
| 3032 | K6R1008C1A-JI15 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 15 нс | Samsung Electronic |
| 3033 | K6R1008C1A-JI20 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 20 нс | Samsung Electronic |
| 3034 | K6R1008C1A-TC12 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 12 нс | Samsung Electronic |
| 3035 | K6R1008C1A-TC15 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 15 нс | Samsung Electronic |
| 3036 | K6R1008C1A-TC20 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 20 нс | Samsung Electronic |
| 3037 | K6R1008C1A-TI12 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 12 нс | Samsung Electronic |
| 3038 | K6R1008C1A-TI15 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 15 нс | Samsung Electronic |
| 3039 | K6R1008C1A-TI20 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 20 нс | Samsung Electronic |
| 3040 | K6R1008C1B | static RAM5V работая, революционный штырь
бита -128Kx8 высокоскоростной вне. Работали на коммерчески
и промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3041 | K6R1008C1B | static RAM5V бита 128Kx8
высокоскоростной работая революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3042 | K6R1008C1B-C10 | static RAM5V бита 128Kx8
высокоскоростной работая революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3043 | K6R1008C1B-C12 | static RAM5V бита 128Kx8
высокоскоростной работая революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3044 | K6R1008C1B-C8 | static RAM5V бита 128Kx8
высокоскоростной работая революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3045 | K6R1008C1B-I10 | static RAM5V бита 128Kx8
высокоскоростной работая революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3046 | K6R1008C1B-I12 | static RAM5V бита 128Kx8
высокоскоростной работая революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3047 | K6R1008C1B-I8 | static RAM5V бита 128Kx8
высокоскоростной работая революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3048 | K6R1008C1C | Скорость Cmos Статическое RAM(5V Бита
-128Kx8 Высокая Работая). Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3049 | K6R1008C1C | Скорость Cmos Статическое RAM(5V Бита
128Kx8 Высокая Работая). Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3050 | K6R1008C1C-C10 | Скорость Cmos Статическое RAM(5V Бита
128Kx8 Высокая Работая). Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3051 | K6R1008C1C-C12 | Скорость Cmos Статическое RAM(5V Бита
128Kx8 Высокая Работая). Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3052 | K6R1008C1C-C15 | Скорость Cmos Статическое RAM(5V Бита
128Kx8 Высокая Работая). Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3053 | K6R1008C1C-I10 | Скорость Cmos Статическое RAM(5V Бита
128Kx8 Высокая Работая). Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3054 | K6R1008C1C-I12 | Скорость Cmos Статическое RAM(5V Бита
128Kx8 Высокая Работая). Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3055 | K6R1008C1C-I15 | Скорость Cmos Статическое RAM(5V Бита
128Kx8 Высокая Работая). Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3056 | K6R1008C1C-JC10 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 10 нс | Samsung Electronic |
| 3057 | K6R1008C1C-JC12 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 12 нс | Samsung Electronic |
| 3058 | K6R1008C1C-JC15 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 15 нс | Samsung Electronic |
| 3059 | K6R1008C1C-JI10 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 10 нс | Samsung Electronic |
| 3060 | K6R1008C1C-JI12 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 12 нс | Samsung Electronic |
| 3061 | K6R1008C1C-JI15 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 15 нс | Samsung Electronic |
| 3062 | K6R1008C1C-TC10 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 10 нс | Samsung Electronic |
| 3063 | K6R1008C1C-TC12 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 12 нс | Samsung Electronic |
| 3064 | K6R1008C1C-TC15 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 15 нс | Samsung Electronic |
| 3065 | K6R1008C1C-TI10 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 10 нс | Samsung Electronic |
| 3066 | K6R1008C1C-TI12 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 12 нс | Samsung Electronic |
| 3067 | K6R1008C1C-TI15 | 128K х 8 высокая скорость статического ОЗУ, 5V работает, 15 нс | Samsung Electronic |
| 3068 | K6R1008C1D | 128K x лист 8 данным по cmos статический
RAM(5.0V высокой скорости бита работая) | Samsung Electronic |
| 3069 | K6R1008C1D-J(T)C(I)10 | работать cmos статический RAM(3.3V высокой
скорости бита 64Kx16) эксплуатируемый на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3070 | K6R1008C1D-J(T)C(I)10_12 | 64Kx16 Бит высокоскоростной CMOS Static RAM (3,3 Операционная) Управляется при Торгово-промышленной температурных диапазонах. | Samsung Electronic |
| 3071 | K6R1008C1D-J(T)C(I)12 | работать cmos статический RAM(3.3V высокой
скорости бита 64Kx16) эксплуатируемый на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3072 | K6R1008C1D-JC10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3073 | K6R1008C1D-JI10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3074 | K6R1008C1D-KC10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3075 | K6R1008C1D-KI10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3076 | K6R1008C1D-TC10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3077 | K6R1008C1D-TI10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3078 | K6R1008C1D-UC10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3079 | K6R1008C1D-UI10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3080 | K6R1008V1B | static RAM(3.3V бита 128Kx8
высокоскоростной работая), революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах | Samsung Electronic |
| 3081 | K6R1008V1B-B-L | static RAM(3.3V бита 128Kx8
высокоскоростной работая), революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах | Samsung Electronic |
| 3082 | K6R1008V1B-B-P | static RAM(3.3V бита 128Kx8
высокоскоростной работая), революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах | Samsung Electronic |
| 3083 | K6R1008V1B-C-L | static RAM(3.3V бита 128Kx8
высокоскоростной работая), революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах | Samsung Electronic |
| 3084 | K6R1008V1B-C10 | static RAM(3.3V бита 128Kx8
высокоскоростной работая), революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах | Samsung Electronic |
| 3085 | K6R1008V1B-C12 | static RAM(3.3V бита 128Kx8
высокоскоростной работая), революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах | Samsung Electronic |
| 3086 | K6R1008V1B-C8 | static RAM(3.3V бита 128Kx8
высокоскоростной работая), революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах | Samsung Electronic |
| 3087 | K6R1008V1B-I-P | static RAM(3.3V бита 128Kx8
высокоскоростной работая), революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах | Samsung Electronic |
| 3088 | K6R1008V1B-I10 | static RAM(3.3V бита 128Kx8
высокоскоростной работая), революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах | Samsung Electronic |
| 3089 | K6R1008V1B-I12 | static RAM(3.3V бита 128Kx8
высокоскоростной работая), революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах | Samsung Electronic |
| 3090 | K6R1008V1B-I8 | static RAM(3.3V бита 128Kx8
высокоскоростной работая), революционный штырь вне. Работали на
коммерчески и промышленных температурных амплитудах | Samsung Electronic |
| 3091 | K6R1008V1D | 128K x лист 8 данным по cmos статический
RAM(3.3V высокой скорости бита работая) | Samsung Electronic |
| 3092 | K6R1008V1D-J(T)C(I)08 | работать cmos статический RAM(3.3V высокой
скорости бита 64Kx16) эксплуатируемый на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3093 | K6R1008V1D-J(T)C(I)08_10 | 64Kx16 Бит высокоскоростной CMOS Static RAM (3,3 Операционная) Управляется при Торгово-промышленной температурных диапазонах. | Samsung Electronic |
| 3094 | K6R1008V1D-J(T)C(I)10 | работать cmos статический RAM(3.3V высокой
скорости бита 64Kx16) эксплуатируемый на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
| 3095 | K6R1008V1D-JC08 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3096 | K6R1008V1D-JC10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3097 | K6R1008V1D-JI08 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3098 | K6R1008V1D-JI10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3099 | K6R1008V1D-KC08 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| 3100 | K6R1008V1D-KC10 | скорость cmos статическое RAM(5.0V бита
256Kx4 (с OE) высокая работая). | Samsung Electronic |
| | | |
