|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 10329 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
5701KM4164B-1264K X 1 ШТОССЕЛЬ БИТА ДИНАМИЧЕСКИЙ С РЕЖИМОМ СТРАНИЦЫSamsung Electronic
5702KM4164B-1564K X 1 ШТОССЕЛЬ БИТА ДИНАМИЧЕСКИЙ С РЕЖИМОМ СТРАНИЦЫSamsung Electronic
5703KM416C1000BШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
5704KM416C1000BJ-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
5705KM416C1000BJ-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
5706KM416C1000BJ-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нсSamsung Electronic
5707KM416C1000BJL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
5708KM416C1000BJL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
5709KM416C1000BJL-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нсSamsung Electronic
5710KM416C1000BT-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
5711KM416C1000BT-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
5712KM416C1000BT-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нсSamsung Electronic
5713KM416C1000BTL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
5714KM416C1000BTL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
5715KM416C1000BTL-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нсSamsung Electronic
5716KM416C1000CШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
5717KM416C1000CJ-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
5718KM416C1000CJ-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
5719KM416C1000CJL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
5720KM416C1000CJL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
5721KM416C1000CT-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
5722KM416C1000CT-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
5723KM416C1000CTL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
5724KM416C1000CTL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
5725KM416C1004BJ-455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
5726KM416C1004BJ-55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
5727KM416C1004BJ-65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5728KM416C1004BJ-75V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5729KM416C1004BJ-L455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
5730KM416C1004BJ-L55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
5731KM416C1004BJ-L65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5732KM416C1004BJ-L75V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5733KM416C1004BT-455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
5734KM416C1004BT-55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
5735KM416C1004BT-65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5736KM416C1004BT-75V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5737KM416C1004BT-L455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
5738KM416C1004BT-L55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
5739KM416C1004BT-L65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5740KM416C1004BT-L75V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5741KM416C1004CШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с выдвинутыми данными внеSamsung Electronic
5742KM416C1004CJ-451M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 45ns, VCC = 5.0V, обновите период = 64 мсSamsung Electronic
5743KM416C1004CJ-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 50 нс, VCC = 5.0V, обновите период = 64 мсSamsung Electronic
5744KM416C1004CJ-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 60 нс, VCC = 5.0V, обновите период = 64 мсSamsung Electronic
5745KM416C1004CJ-L455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
5746KM416C1004CJ-L55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
5747KM416C1004CJ-L65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5748KM416C1004CJL-451M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
5749KM416C1004CJL-51M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
5750KM416C1004CJL-61M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
5751KM416C1004CT-455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
5752KM416C1004CT-55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
5753KM416C1004CT-65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5754KM416C1004CT-L455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
5755KM416C1004CT-L55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
5756KM416C1004CT-L65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5757KM416C1004CTL-451M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic



5758KM416C1004CTL-51M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
5759KM416C1004CTL-61M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
5760KM416C1200BШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
5761KM416C1200BJ-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
5762KM416C1200BJ-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
5763KM416C1200BJ-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нсSamsung Electronic
5764KM416C1200BJL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
5765KM416C1200BJL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
5766KM416C1200BJL-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нсSamsung Electronic
5767KM416C1200BT-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
5768KM416C1200BT-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
5769KM416C1200BT-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нсSamsung Electronic
5770KM416C1200BTL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
5771KM416C1200BTL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
5772KM416C1200BTL-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нсSamsung Electronic
5773KM416C1200CШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
5774KM416C1200CJ-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
5775KM416C1200CJ-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
5776KM416C1200CJL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
5777KM416C1200CJL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
5778KM416C1200CT-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
5779KM416C1200CT-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
5780KM416C1200CTL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
5781KM416C1200CTL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
5782KM416C1204BJ-455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
5783KM416C1204BJ-55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
5784KM416C1204BJ-65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5785KM416C1204BJ-75V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5786KM416C1204BJ-L455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
5787KM416C1204BJ-L55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
5788KM416C1204BJ-L65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5789KM416C1204BJ-L75V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5790KM416C1204BT-455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
5791KM416C1204BT-55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
5792KM416C1204BT-65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5793KM416C1204BT-75V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5794KM416C1204BT-L455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
5795KM416C1204BT-L55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
5796KM416C1204BT-L65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5797KM416C1204BT-L75V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5798KM416C1204CШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с выдвинутыми данными внеSamsung Electronic
5799KM416C1204CJ-451M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 45ns, VCC = 5.0V, обновите период = 16мсSamsung Electronic
5800KM416C1204CJ-55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/samsungelectronic/1/