Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
6101 | KM416V256DJ-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 70ns, 3,3 | Samsung Electronic |
6102 | KM416V256DLJ-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 50 нс, 3,3, возможностей самостоятельного обновления | Samsung Electronic |
6103 | KM416V256DLJ-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 60 нс, 3,3, возможностей самостоятельного обновления | Samsung Electronic |
6104 | KM416V256DLJ-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 70ns, 3,3, возможностей самостоятельного обновления | Samsung Electronic |
6105 | KM416V256DLT-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 50 нс, 3,3, возможностей самостоятельного обновления | Samsung Electronic |
6106 | KM416V256DLT-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 60 нс, 3,3, возможностей самостоятельного обновления | Samsung Electronic |
6107 | KM416V256DLT-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 70ns, 3,3, возможностей самостоятельного обновления | Samsung Electronic |
6108 | KM416V256DT-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 50 нс, 3,3 | Samsung Electronic |
6109 | KM416V256DT-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 60 нс, 3,3 | Samsung Electronic |
6110 | KM416V256DT-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 70ns, 3,3 | Samsung Electronic |
6111 | KM416V4000B | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
6112 | KM416V4000BS-45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns | Samsung Electronic |
6113 | KM416V4000BS-5 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс | Samsung Electronic |
6114 | KM416V4000BS-6 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
6115 | KM416V4000BS-L45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
6116 | KM416V4000BS-L5 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
6117 | KM416V4000BS-L6 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
6118 | KM416V4000C | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
6119 | KM416V4000CS-45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns | Samsung Electronic |
6120 | KM416V4000CS-5 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс | Samsung Electronic |
6121 | KM416V4000CS-6 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
6122 | KM416V4000CS-L45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
6123 | KM416V4000CS-L5 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
6124 | KM416V4000CS-L6 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
6125 | KM416V4004B | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
6126 | KM416V4004BS-45 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns | Samsung Electronic |
6127 | KM416V4004BS-5 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс | Samsung Electronic |
6128 | KM416V4004BS-6 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
6129 | KM416V4004BSL-45 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощности | Samsung Electronic |
6130 | KM416V4004BSL-5 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощности | Samsung Electronic |
6131 | KM416V4004BSL-6 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс, малой мощности | Samsung Electronic |
6132 | KM416V4004C | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
6133 | KM416V4004CS-45 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns | Samsung Electronic |
6134 | KM416V4004CS-50 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс | Samsung Electronic |
6135 | KM416V4004CS-60 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
6136 | KM416V4004CS-L45 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns, малой мощности | Samsung Electronic |
6137 | KM416V4004CS-L50 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощности | Samsung Electronic |
6138 | KM416V4004CS-L60 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс, малой мощности | Samsung Electronic |
6139 | KM416V4100B | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
6140 | KM416V4100BS-45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns | Samsung Electronic |
6141 | KM416V4100BS-5 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс | Samsung Electronic |
6142 | KM416V4100BS-6 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
6143 | KM416V4100BS-L45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
6144 | KM416V4100BS-L5 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
6145 | KM416V4100BS-L6 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
6146 | KM416V4100C | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
6147 | KM416V4100CS-45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns | Samsung Electronic |
6148 | KM416V4100CS-5 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс | Samsung Electronic |
6149 | KM416V4100CS-6 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
6150 | KM416V4100CS-L45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
6151 | KM416V4100CS-L5 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
6152 | KM416V4100CS-L6 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
6153 | KM416V4104B | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
6154 | KM416V4104BS-45 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns | Samsung Electronic |
6155 | KM416V4104BS-5 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс | Samsung Electronic |
6156 | KM416V4104BS-6 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
6157 | KM416V4104BSL-45 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns, малой мощности | Samsung Electronic |
6158 | KM416V4104BSL-5 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощности | Samsung Electronic |
6159 | KM416V4104BSL-6 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс, малой мощности | Samsung Electronic |
6160 | KM416V4104C | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
6161 | KM416V4104CS-45 | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
6162 | KM416V4104CS-50 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс | Samsung Electronic |
6163 | KM416V4104CS-60 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
6164 | KM416V4104CS-L45 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns, малой мощности | Samsung Electronic |
6165 | KM416V4104CS-L50 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощности | Samsung Electronic |
6166 | KM416V4104CS-L60 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс, малой мощности | Samsung Electronic |
6167 | KM418RD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6168 | KM418RD16AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6169 | KM418RD16AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6170 | KM418RD16C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6171 | KM418RD16D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6172 | KM418RD2AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6173 | KM418RD2AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6174 | KM418RD2C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6175 | KM418RD2D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6176 | KM418RD32AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6177 | KM418RD32AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6178 | KM418RD32C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6179 | KM418RD32D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6180 | KM418RD4AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6181 | KM418RD4AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6182 | KM418RD4C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6183 | KM418RD4D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6184 | KM418RD8AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6185 | KM418RD8AC(D)-RG60 | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6186 | KM418RD8AC(D)-RK70 | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6187 | KM418RD8AC(D)-RK80 | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6188 | KM418RD8AC-RG60 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, скорость: 600 Мбит (300 МГц). | Samsung Electronic |
6189 | KM418RD8AC-RK70 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 711 Мбит (356 МГц). | Samsung Electronic |
6190 | KM418RD8AC-RK80 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 800 Мбит (400 МГц). | Samsung Electronic |
6191 | KM418RD8AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6192 | KM418RD8AD-RG60 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, скорость: 600 Мбит (300 МГц). | Samsung Electronic |
6193 | KM418RD8AD-RK70 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 711 Мбит (356 МГц). | Samsung Electronic |
6194 | KM418RD8AD-RK80 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 800 Мбит (400 МГц). | Samsung Electronic |
6195 | KM418RD8C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6196 | KM418RD8D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
6197 | KM41C4000D | ШТОССЕЛЬ cmos 1Bit 4M х динамический с
быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
6198 | KM41C4000DJ-5 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 16 мс обновлять, 50 нс | Samsung Electronic |
6199 | KM41C4000DJ-6 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 16 мс обновлять, 60 нс | Samsung Electronic |
6200 | KM41C4000DJ-7 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 16 мс обновлять, 70 нс | Samsung Electronic |
| | | |