|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 10329 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
6101KM416V256DJ-7256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 70ns, 3,3Samsung Electronic
6102KM416V256DLJ-5256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 50 нс, 3,3, возможностей самостоятельного обновленияSamsung Electronic
6103KM416V256DLJ-6256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 60 нс, 3,3, возможностей самостоятельного обновленияSamsung Electronic
6104KM416V256DLJ-7256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 70ns, 3,3, возможностей самостоятельного обновленияSamsung Electronic
6105KM416V256DLT-5256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 50 нс, 3,3, возможностей самостоятельного обновленияSamsung Electronic
6106KM416V256DLT-6256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 60 нс, 3,3, возможностей самостоятельного обновленияSamsung Electronic
6107KM416V256DLT-7256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 70ns, 3,3, возможностей самостоятельного обновленияSamsung Electronic
6108KM416V256DT-5256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 50 нс, 3,3Samsung Electronic
6109KM416V256DT-6256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 60 нс, 3,3Samsung Electronic
6110KM416V256DT-7256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 70ns, 3,3Samsung Electronic
6111KM416V4000BШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
6112KM416V4000BS-454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
6113KM416V4000BS-54M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic
6114KM416V4000BS-64M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
6115KM416V4000BS-L454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблениемSamsung Electronic
6116KM416V4000BS-L54M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
6117KM416V4000BS-L64M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
6118KM416V4000CШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
6119KM416V4000CS-454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
6120KM416V4000CS-54M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic
6121KM416V4000CS-64M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
6122KM416V4000CS-L454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблениемSamsung Electronic
6123KM416V4000CS-L54M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
6124KM416V4000CS-L64M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
6125KM416V4004BШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
6126KM416V4004BS-454M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
6127KM416V4004BS-54M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic
6128KM416V4004BS-64M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
6129KM416V4004BSL-454M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощностиSamsung Electronic
6130KM416V4004BSL-54M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощностиSamsung Electronic
6131KM416V4004BSL-64M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс, малой мощностиSamsung Electronic
6132KM416V4004CШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
6133KM416V4004CS-454M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
6134KM416V4004CS-504M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic
6135KM416V4004CS-604M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
6136KM416V4004CS-L454M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns, малой мощностиSamsung Electronic
6137KM416V4004CS-L504M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощностиSamsung Electronic
6138KM416V4004CS-L604M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс, малой мощностиSamsung Electronic
6139KM416V4100BШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
6140KM416V4100BS-454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
6141KM416V4100BS-54M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic
6142KM416V4100BS-64M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
6143KM416V4100BS-L454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблениемSamsung Electronic
6144KM416V4100BS-L54M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
6145KM416V4100BS-L64M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
6146KM416V4100CШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
6147KM416V4100CS-454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
6148KM416V4100CS-54M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic
6149KM416V4100CS-64M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
6150KM416V4100CS-L454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблениемSamsung Electronic
6151KM416V4100CS-L54M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
6152KM416V4100CS-L64M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
6153KM416V4104BШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
6154KM416V4104BS-454M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
6155KM416V4104BS-54M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic



6156KM416V4104BS-64M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
6157KM416V4104BSL-454M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns, малой мощностиSamsung Electronic
6158KM416V4104BSL-54M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощностиSamsung Electronic
6159KM416V4104BSL-64M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс, малой мощностиSamsung Electronic
6160KM416V4104CШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
6161KM416V4104CS-45ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
6162KM416V4104CS-504M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic
6163KM416V4104CS-604M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
6164KM416V4104CS-L454M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns, малой мощностиSamsung Electronic
6165KM416V4104CS-L504M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощностиSamsung Electronic
6166KM416V4104CS-L604M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс, малой мощностиSamsung Electronic
6167KM418RD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6168KM418RD16AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6169KM418RD16AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6170KM418RD16C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6171KM418RD16D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6172KM418RD2AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6173KM418RD2AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6174KM418RD2C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6175KM418RD2D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6176KM418RD32AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6177KM418RD32AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6178KM418RD32C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6179KM418RD32D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6180KM418RD4AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6181KM418RD4AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6182KM418RD4C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6183KM418RD4D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6184KM418RD8AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6185KM418RD8AC(D)-RG60128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6186KM418RD8AC(D)-RK70128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6187KM418RD8AC(D)-RK80128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6188KM418RD8AC-RG60256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, скорость: 600 Мбит (300 МГц).Samsung Electronic
6189KM418RD8AC-RK70256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 711 Мбит (356 МГц).Samsung Electronic
6190KM418RD8AC-RK80256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 800 Мбит (400 МГц).Samsung Electronic
6191KM418RD8AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6192KM418RD8AD-RG60256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, скорость: 600 Мбит (300 МГц).Samsung Electronic
6193KM418RD8AD-RK70256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 711 Мбит (356 МГц).Samsung Electronic
6194KM418RD8AD-RK80256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 800 Мбит (400 МГц).Samsung Electronic
6195KM418RD8C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6196KM418RD8D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
6197KM41C4000DШТОССЕЛЬ cmos 1Bit 4M х динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
6198KM41C4000DJ-54M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 16 мс обновлять, 50 нсSamsung Electronic
6199KM41C4000DJ-64M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 16 мс обновлять, 60 нсSamsung Electronic
6200KM41C4000DJ-74M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 16 мс обновлять, 70 нсSamsung Electronic

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/samsungelectronic/1/