|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 10329 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
701K4E660812E, K4E640812EШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
702K4E660812E, K4E640812EШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
703K4E660812E-JC/LШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
704K4E660812E-TC/LШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
705K4E661611D, K4E641611DШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
706K4E661612BШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
707K4E661612B-LШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
708K4E661612B-TCШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
709K4E661612B-TC454M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
710K4E661612B-TC504M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic
711K4E661612B-TC604M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
712K4E661612B-TL454M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns, малой мощностиSamsung Electronic
713K4E661612B-TL504M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощностиSamsung Electronic
714K4E661612B-TL604M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс, малой мощностиSamsung Electronic
715K4E661612CШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
716K4E661612C-45ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
717K4E661612C-50ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
718K4E661612C-60ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
719K4E661612C-LШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
720K4E661612C-L45ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
721K4E661612C-L50ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
722K4E661612C-L60ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
723K4E661612C-TШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
724K4E661612C-T45ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
725K4E661612C-T50ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
726K4E661612C-T60ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
727K4E661612C-TCШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
728K4E661612C-TC45ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
729K4E661612C-TC50ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
730K4E661612C-TC60ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
731K4E661612C-TL45ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
732K4E661612C-TL50ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
733K4E661612C-TL60ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
734K4E661612DDRAM CMOSSamsung Electronic
735K4E661612D, K4E641612DШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
736K4E661612D, K4E641612DШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
737K4E661612E, K4E641612EШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
738K4E661612E, K4E641612EШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
739K4F151611ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
740K4F151611DШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
741K4F151611D-J1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 5V напряжение, 1K цикл обновления.Samsung Electronic
742K4F151611D-T1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 5V напряжение, 1K цикл обновления.Samsung Electronic
743K4F151612DШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
744K4F151612D-J1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 3,3 Напряжение, 1K цикл обновления.Samsung Electronic
745K4F151612D-T1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 3,3 Напряжение, 1K цикл обновления.Samsung Electronic
746K4F16(7)0811(2)DШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
747K4F160411C-B504M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 50 нсSamsung Electronic
748K4F160411C-B604M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 60 нсSamsung Electronic
749K4F160411C-F504M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 50 нсSamsung Electronic
750K4F160411C-F604M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 60 нсSamsung Electronic
751K4F160411DШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
752K4F160411D-B4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 5V напряжение, 2K цикл обновления.Samsung Electronic
753K4F160411D-F4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 5V напряжение, 2K цикл обновления.Samsung Electronic
754K4F160412C-B504M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
755K4F160412C-B604M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
756K4F160412C-F504M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
757K4F160412C-F604M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic



758K4F160412DШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
759K4F160412D-B4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 3,3 Напряжение, 2K цикл обновления.Samsung Electronic
760K4F160412D-F4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 3,3 Напряжение, 2K цикл обновления.Samsung Electronic
761K4F160811DШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
762K4F160811D-B2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 5V напряжение, 2K цикл обновления.Samsung Electronic
763K4F160811D-F2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 5V напряжение, 2K цикл обновления.Samsung Electronic
764K4F160812DШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
765K4F160812D-B2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 3,3 Напряжение, 2K цикл обновления.Samsung Electronic
766K4F160812D-F2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 3,3 Напряжение, 2K цикл обновления.Samsung Electronic
767K4F170411C-B504M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 50 нсSamsung Electronic
768K4F170411C-B604M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 60 нсSamsung Electronic
769K4F170411C-F504M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 50 нсSamsung Electronic
770K4F170411C-F604M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 60 нсSamsung Electronic
771K4F170411DШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
772K4F170411D-B4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления.Samsung Electronic
773K4F170411D-F4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления.Samsung Electronic
774K4F170412C-B504M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
775K4F170412C-B604M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
776K4F170412C-F504M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
777K4F170412C-F604M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
778K4F170412DШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
779K4F170412D-B4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления.Samsung Electronic
780K4F170412D-F4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления.Samsung Electronic
781K4F170811DШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
782K4F170811D-B2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления.Samsung Electronic
783K4F170811D-F2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления.Samsung Electronic
784K4F170812DШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
785K4F170812D-B2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления.Samsung Electronic
786K4F170812D-F2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления.Samsung Electronic
787K4F171611DШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
788K4F171611D-J1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления.Samsung Electronic
789K4F171611D-T1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления.Samsung Electronic
790K4F171612DШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
791K4F171612D-J1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления.Samsung Electronic
792K4F171612D-T1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления.Samsung Electronic
793K4F640412DШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
794K4F640412D-JC_L16M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. 3,3, 4K обновить цикл.Samsung Electronic
795K4F640412D-TC_L16M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. 3,3, 4K обновить цикл.Samsung Electronic
796K4F640811BШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
797K4F640811B-JC-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 45nsSamsung Electronic
798K4F640811B-JC-508M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 50 нсSamsung Electronic
799K4F640811B-JC-608M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 60 нсSamsung Electronic
800K4F640811B-TC-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 45nsSamsung Electronic

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/samsungelectronic/1/