|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 10329 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
801K4F640811B-TC-508M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 50 нсSamsung Electronic
802K4F640811B-TC-608M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 60 нсSamsung Electronic
803K4F640812DШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
804K4F640812D-JC_L8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. 3,3, 4K обновить цикл.Samsung Electronic
805K4F640812D-TC_L8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. 3,3, 4K обновить цикл.Samsung Electronic
806K4F641612BШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
807K4F641612B-LШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
808K4F641612B-TCШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
809K4F641612B-TC454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
810K4F641612B-TC50ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
811K4F641612B-TC604M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
812K4F641612B-TL454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблениемSamsung Electronic
813K4F641612B-TL504M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
814K4F641612B-TL604M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
815K4F641612CШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
816K4F641612C-LШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
817K4F641612C-TCШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
818K4F641612C-TC454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
819K4F641612C-TC504M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic
820K4F641612C-TC604M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
821K4F641612C-TL454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблениемSamsung Electronic
822K4F641612C-TL50ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
823K4F641612C-TL604M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
824K4F660411D, K4F640411DШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
825K4F660412DШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
826K4F660412D, K4F640412DШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
827K4F660412D, K4F640412DШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
828K4F660412D-JC_L16M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. 3,3, 8K обновить цикл.Samsung Electronic
829K4F660412D-TC_L16M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. 3,3, 8K обновить цикл.Samsung Electronic
830K4F660412E, K4F640412EШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
831K4F660412E, K4F640412EШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
832K4F660811BШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
833K4F660811B-JC-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 45nsSamsung Electronic
834K4F660811B-JC-508M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 50 нсSamsung Electronic
835K4F660811B-JC-608M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 60 нсSamsung Electronic
836K4F660811B-TC-458M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 45nsSamsung Electronic
837K4F660811B-TC-508M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 50 нсSamsung Electronic
838K4F660811B-TC-608M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 60 нсSamsung Electronic
839K4F660811D, K4F640811DШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
840K4F660812DШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
841K4F660812D, K4F640812DШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
842K4F660812D, K4F640812DШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
843K4F660812D-JC_L8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. 3,3, 8K обновить цикл.Samsung Electronic
844K4F660812D-TC_L8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. 3,3, 8K обновить цикл.Samsung Electronic
845K4F660812E, K4F640812EШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
846K4F660812E, K4F640812EШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
847K4F661611D, K4F641611DШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
848K4F661612BШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
849K4F661612B-LШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
850K4F661612B-TCШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
851K4F661612B-TC454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
852K4F661612B-TC504M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic
853K4F661612B-TC604M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
854K4F661612B-TL454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблениемSamsung Electronic



855K4F661612B-TL504M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
856K4F661612B-TL604M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
857K4F661612CШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
858K4F661612C-LШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
859K4F661612C-TCШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
860K4F661612C-TC454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
861K4F661612C-TC504M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic
862K4F661612C-TC604M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
863K4F661612C-TL454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблениемSamsung Electronic
864K4F661612C-TL504M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
865K4F661612C-TL604M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
866K4F661612D, K4F641612DШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
867K4F661612D, K4F641612DШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
868K4F661612E, K4F641612EШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
869K4F661612E, K4F641612EШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
870K4G323222A512K х 32Bit x лист 2 данным по ШТОССЕЛЯ кренов одновременный графическийSamsung Electronic
871K4G323222A-PC/L4532Mbit SGRAMSamsung Electronic
872K4G323222A-PC/L5032Mbit SGRAMSamsung Electronic
873K4G323222A-PC/L6032Mbit SGRAMSamsung Electronic
874K4G323222A-PC/L7032Mbit SGRAMSamsung Electronic
875K4G323222A-PC/L7C32Mbit SGRAMSamsung Electronic
876K4G323222A-QC/L4532Mbit SGRAMSamsung Electronic
877K4G323222A-QC/L5032Mbit SGRAMSamsung Electronic
878K4G323222A-QC/L6032Mbit SGRAMSamsung Electronic
879K4G323222A-QC/L7032Mbit SGRAMSamsung Electronic
880K4G323222A-QC/L7C32Mbit SGRAMSamsung Electronic
881K4H1G0438A-TCA0Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
882K4H1G0438A-TCA2Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
883K4H1G0438A-TCB0Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
884K4H1G0438A-TLA0Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
885K4H1G0438A-TLA2Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
886K4H1G0438A-TLB0Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
887K4H1G0438B-TCA0Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
888K4H1G0438B-TCA2Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
889K4H1G0438B-TCB0Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
890K4H1G0438B-TLA0Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
891K4H1G0438B-TLA2Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
892K4H1G0438B-TLB0Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
893K4H1G0438C-TCA0Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
894K4H1G0438C-TCA2Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
895K4H1G0438C-TCB0Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
896K4H1G0438C-TLA0Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
897K4H1G0438C-TLA2Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
898K4H1G0438C-TLB0Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
899K4H1G0438D-TCA0Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic
900K4H1G0438D-TCA2Лист Данным по 128Mb DDR SDRAMSamsung Electronic

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/samsungelectronic/1/