Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
801 | K4F640811B-TC-50 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 50 нс | Samsung Electronic |
802 | K4F640811B-TC-60 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 60 нс | Samsung Electronic |
803 | K4F640812D | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
804 | K4F640812D-JC_L | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. 3,3, 4K обновить цикл. | Samsung Electronic |
805 | K4F640812D-TC_L | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. 3,3, 4K обновить цикл. | Samsung Electronic |
806 | K4F641612B | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
807 | K4F641612B-L | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
808 | K4F641612B-TC | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
809 | K4F641612B-TC45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns | Samsung Electronic |
810 | K4F641612B-TC50 | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
811 | K4F641612B-TC60 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
812 | K4F641612B-TL45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
813 | K4F641612B-TL50 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
814 | K4F641612B-TL60 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
815 | K4F641612C | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
816 | K4F641612C-L | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
817 | K4F641612C-TC | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
818 | K4F641612C-TC45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns | Samsung Electronic |
819 | K4F641612C-TC50 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс | Samsung Electronic |
820 | K4F641612C-TC60 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
821 | K4F641612C-TL45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
822 | K4F641612C-TL50 | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
823 | K4F641612C-TL60 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
824 | K4F660411D, K4F640411D | ШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
825 | K4F660412D | ШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
826 | K4F660412D, K4F640412D | ШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
827 | K4F660412D, K4F640412D | ШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
828 | K4F660412D-JC_L | 16M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. 3,3, 8K обновить цикл. | Samsung Electronic |
829 | K4F660412D-TC_L | 16M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. 3,3, 8K обновить цикл. | Samsung Electronic |
830 | K4F660412E, K4F640412E | ШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
831 | K4F660412E, K4F640412E | ШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
832 | K4F660811B | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
833 | K4F660811B-JC-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 45ns | Samsung Electronic |
834 | K4F660811B-JC-50 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 50 нс | Samsung Electronic |
835 | K4F660811B-JC-60 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 60 нс | Samsung Electronic |
836 | K4F660811B-TC-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 45ns | Samsung Electronic |
837 | K4F660811B-TC-50 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 50 нс | Samsung Electronic |
838 | K4F660811B-TC-60 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 60 нс | Samsung Electronic |
839 | K4F660811D, K4F640811D | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
840 | K4F660812D | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
841 | K4F660812D, K4F640812D | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
842 | K4F660812D, K4F640812D | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
843 | K4F660812D-JC_L | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. 3,3, 8K обновить цикл. | Samsung Electronic |
844 | K4F660812D-TC_L | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным. 3,3, 8K обновить цикл. | Samsung Electronic |
845 | K4F660812E, K4F640812E | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
846 | K4F660812E, K4F640812E | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
847 | K4F661611D, K4F641611D | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
848 | K4F661612B | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
849 | K4F661612B-L | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
850 | K4F661612B-TC | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
851 | K4F661612B-TC45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns | Samsung Electronic |
852 | K4F661612B-TC50 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс | Samsung Electronic |
853 | K4F661612B-TC60 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
854 | K4F661612B-TL45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
855 | K4F661612B-TL50 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
856 | K4F661612B-TL60 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
857 | K4F661612C | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
858 | K4F661612C-L | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
859 | K4F661612C-TC | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
860 | K4F661612C-TC45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns | Samsung Electronic |
861 | K4F661612C-TC50 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс | Samsung Electronic |
862 | K4F661612C-TC60 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
863 | K4F661612C-TL45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
864 | K4F661612C-TL50 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
865 | K4F661612C-TL60 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
866 | K4F661612D, K4F641612D | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
867 | K4F661612D, K4F641612D | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
868 | K4F661612E, K4F641612E | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
869 | K4F661612E, K4F641612E | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
870 | K4G323222A | 512K х 32Bit x лист 2 данным по
ШТОССЕЛЯ кренов одновременный графический | Samsung Electronic |
871 | K4G323222A-PC/L45 | 32Mbit SGRAM | Samsung Electronic |
872 | K4G323222A-PC/L50 | 32Mbit SGRAM | Samsung Electronic |
873 | K4G323222A-PC/L60 | 32Mbit SGRAM | Samsung Electronic |
874 | K4G323222A-PC/L70 | 32Mbit SGRAM | Samsung Electronic |
875 | K4G323222A-PC/L7C | 32Mbit SGRAM | Samsung Electronic |
876 | K4G323222A-QC/L45 | 32Mbit SGRAM | Samsung Electronic |
877 | K4G323222A-QC/L50 | 32Mbit SGRAM | Samsung Electronic |
878 | K4G323222A-QC/L60 | 32Mbit SGRAM | Samsung Electronic |
879 | K4G323222A-QC/L70 | 32Mbit SGRAM | Samsung Electronic |
880 | K4G323222A-QC/L7C | 32Mbit SGRAM | Samsung Electronic |
881 | K4H1G0438A-TCA0 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
882 | K4H1G0438A-TCA2 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
883 | K4H1G0438A-TCB0 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
884 | K4H1G0438A-TLA0 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
885 | K4H1G0438A-TLA2 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
886 | K4H1G0438A-TLB0 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
887 | K4H1G0438B-TCA0 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
888 | K4H1G0438B-TCA2 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
889 | K4H1G0438B-TCB0 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
890 | K4H1G0438B-TLA0 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
891 | K4H1G0438B-TLA2 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
892 | K4H1G0438B-TLB0 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
893 | K4H1G0438C-TCA0 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
894 | K4H1G0438C-TCA2 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
895 | K4H1G0438C-TCB0 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
896 | K4H1G0438C-TLA0 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
897 | K4H1G0438C-TLA2 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
898 | K4H1G0438C-TLB0 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
899 | K4H1G0438D-TCA0 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
900 | K4H1G0438D-TCA2 | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| | | |