| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 19901 | STB19NB20 | N-CHANNEL 200V - 0.150 ОМА - MOSFET
19A D2PAK POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 19902 | STB200NF03 | N-CHANNEL 30V - 0,0032 Ом - 120A D2PAK / I2PAK / К-220 МОЩНОСТЬ MOSFET STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19903 | STB200NF03-1 | N-CHANNEL 30V - 0,0032 Ом - 120A D2PAK / I2PAK / К-220 МОЩНОСТЬ MOSFET STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19904 | STB200NF03T4 | N-CHANNEL 30V - 0,0032 Ом - © ÷ 120A ПАК / я © ÷ ПАК / К-220 МОЩНОСТЬ MOSFET STripFET â II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19905 | STB20NE06 | N-CHANNEL 60V -0.06 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 20A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19906 | STB20NE06 | Н - КАНАЛ 60V - 0.06 Ома - Mosfet
СИЛЫ 20A Д 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19907 | STB20NE06L | Н - КАНАЛ 60V - 0.06 Ома - Mosfet
СИЛЫ 20A TO-263 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19908 | STB20NE06L | N-CHANNEL 60V - 0.06 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 20A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19909 | STB20NM50 | MOSFET СИЛЫ ОМА 20A
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH N-CHANNEL 500V
0.20 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19910 | STB20NM50-1 | MOSFET СИЛЫ ОМА 20A
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH N-CHANNEL 500V
0.20 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19911 | STB20NM50FD | MOSFET СИЛЫ ОМА 20A D2PAK FDMESH
N-CHANNEL 500V 0.20 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19912 | STB20NM50FD-1 | MOSFET СИЛЫ ОМА 20A TO-220/I2PAK
FDMESH N-CHANNEL 500V 0.22 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19913 | STB20NM60 | MOSFET СИЛЫ ОМА 20A
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH N-CHANNEL 600V
0.25 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19914 | STB20NM60-1 | MOSFET СИЛЫ ОМА 20A
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH N-CHANNEL 600V
0.25 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19915 | STB210NF02 | N-CHANNEL 20V - 0.0026 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19916 | STB210NF02-1 | N-CHANNEL 20V - 0.0026 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19917 | STB22NE03L | N-CHANNEL 30V - 0.034 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 22ЈA D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19918 | STB22NE03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.034 Ома - Mosfet
СИЛЫ 22ЈA TO-263 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19919 | STB24NF10 | Н - КАНАЛ 100V - 0.07Ohm - Mosfet
СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 24ЈA TO-263 НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 19920 | STB24NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.07 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 24ЈA D2PAK НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 19921 | STB3015L | Н - КАНАЛ 30V - 0.013 Ш - 40A -
Mosfet СИЛЫ Д 2 PAK/TO-220 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19922 | STB3015L | N-CHANNEL 30V - 0.013 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 40A D2PAK/TO-220 STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19923 | STB3020L | Н - КАНАЛ 30V - 0.019W - 40A -
Mosfet СИЛЫ Д 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19924 | STB30N10 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 19925 | STB30N10 | Н - КАНАЛ 100V - 0.06ЈOhm - 30A -
ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ Д 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 19926 | STB30NE06L | N-CHANNEL 60V - 0.35 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 30A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19927 | STB30NE06L | Н - КАНАЛ 60V - 0.35 Ома - 30A -
Mosfet СИЛЫ Д 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19928 | STB30NF10 | MOSFET СИЛЫ II ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET
СТРОБА ОМА 35ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK N-CHANNEL
100V 0.038 НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 19929 | STB35NF10 | MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА
40A TO-220/D2PAK N-CHANNEL 100V 0 030
НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 19930 | STB36NF02L | N-CHANNEL 20V - 0.016 Ш - Mosfet
СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 36ЈA Д 2 PAK
НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 19931 | STB36NF03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.015 Ома - Mosfet
СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 36ЈA Д 2 PAK
НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 19932 | STB36NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.015 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 36ЈA D2PAK НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 19933 | STB3N60-1 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 19934 | STB3NA60-1 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 19935 | STB3NA80 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 19936 | STB3NB60 | Н - КАНАЛ 600V - 3.3 Ома - 3.3ЈA -
Mosfet Д 2 PAK/I 2 PAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 19937 | STB3NC60 | Н - КАНАЛ 600V - Mosfet 3.3ЈOhm
-3ЈA-D 2 PAK/I 2 PAK PowerMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19938 | STB3NC90Z | MOSFET ОМА 3.5ЈA D2PAK
ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 900V
3.2 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19939 | STB3NC90Z-1 | MOSFET ОМА 3.5ЈA TO-220/TO-220FP/I2PAK
ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 900V
3.2 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19940 | STB40NE03L-20 | Н - Mosfet РАЗМЕРА ] ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА
?INGLE ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ?OWER | SGS Thomson Microelectronics |
| 19941 | STB40NE03L-20 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 19942 | STB40NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.020 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 40A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19943 | STB40NF03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.020 Ома - Mosfet
СИЛЫ 40A Д 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19944 | STB40NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.025 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 40A D2PAK НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 19945 | STB40NF10 | Н - КАНАЛ 100V - 0.030Ohm - Mosfet
СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 40A TO-263 НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 19946 | STB40NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.024 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 50A
TO-220/D2PAK НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 19947 | STB40NF10L | MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА
40A D2PAK N-CHANNEL 100V 0.028 НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 19948 | STB40NS15 | MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 40A
D2PAK N-CHANNEL 150V 0.042 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19949 | STB4395 | CT2 RECEIVER/TRANSMITTER | SGS Thomson Microelectronics |
| 19950 | STB45N10L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 19951 | STB45N10L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 19952 | STB45NF06 | MOSFET СИЛЫ N-CHANNEL 60V 0.022ЈOHM
38ЈA D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19953 | STB45NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.022 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 38ЈA D2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19954 | STB45NF3LL | MOSFET СИЛЫ ОМА 45ЈA D2PAK STRIPFET
II N-CHANNEL 30V 0.014 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19955 | STB4NB50 | Н - КАНАЛ 500V - 2.5 Ома - 3.8ЈA -
Mosfet D2PAK/I2PAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 19956 | STB4NB80 | Н - КАНАЛ 800V - 3 Ома - 4ЈA -
Mosfet PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 19957 | STB4NC50 | MOSFET N-CHANNEL 500V 2.2ЈOHM
4ЈA D2PAK POWERMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19958 | STB4NC60 | MOSFET ОМА 4.2ЈA D2PAK POWERMESH
II N-CHANNEL 600V 1.8 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19959 | STB4NC60-1 | N-CHANNEL 600V - 1.8 ОМА - MOSFET
4.2ЈA TO-220/TO-220FP/I2PAK POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 19960 | STB4NC60A-1 | MOSFET ОМА 4.2ЈA TO-220/TO-220FP/I2PAK
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 1.8 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19961 | STB4NC80Z-1 | MOSFET ОМА 4ЈA TO-220 TO-220FP
I2PAK ЗАЩИЩЕННЫЙ ZENER POWERMESH III
N-CHANNEL 800V 2.4 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19962 | STB50NE08 | Н - Mosfet РАЗМЕРА ?OWER ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ?INGLE ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 19963 | STB50NE10 | Н - КАНАЛ 100V - 0.021Ohm - 50A -
Mosfet СИЛЫ Д 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19964 | STB50NE10 | N-CHANNEL 100V - 0.021 ОМА - 50A -
MOSFET СИЛЫ D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19965 | STB50NE10L | Н - КАНАЛ 100V - 0.020Ohm - 50A -
Mosfet СИЛЫ Д 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19966 | STB55NE06 | Н - Mosfet РАЗМЕРА ?OWER ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ?INGLE ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 19967 | STB55NE06L | Н - РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА "Mosfet СИЛЫ ОДИНОЧНОГО" | SGS Thomson Microelectronics |
| 19968 | STB55NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.01 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 55ЈA D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19969 | STB55NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.01 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 55ЈA TO220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19970 | STB55NF03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.01 Ома - Mosfet
СИЛЫ 55ЈA Д 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19971 | STB55NF03L-1 | N-CHANNEL 30V - 0.01 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 55ЈA TO220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19972 | STB55NF06 | MOSFET СИЛЫ ОМА 50A D2PAK STRIPFET
N-CHANNEL 60V 0.018 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19973 | STB55NF06-1 | MOSFET СИЛЫ ОМА 50A TO-220/TO-220FP/I2PAK
STRIPFET II N-CHANNEL 60V 0.017 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19974 | STB55NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.014 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 55ЈA T0-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19975 | STB55NF06L-1 | N-CHANNEL 60V - 0.014 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 55ЈA T0-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19976 | STB5600 | IC GPS RF FRONT-END | SGS Thomson Microelectronics |
| 19977 | STB5610 | IC GPS RF FRONT-END | SGS Thomson Microelectronics |
| 19978 | STB5NA50 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 19979 | STB5NA50 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 19980 | STB5NA80 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 19981 | STB5NA80 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 19982 | STB5NB60 | Н - КАНАЛ 600V - 1.8 Ома -5ЈA -
Mosfet I 2 PAK/D 2 PAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 19983 | STB5NB80 | Н - КАНАЛ 800V - 1.8 Ома -5ЈA -
Mosfet Д 2 PAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 19984 | STB5NC70Z-1 | MOSFET ОМА 4.6ЈA TO-220/TO-220FP/I2PAK
ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 700V
1.8 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19985 | STB5NC90Z-1 | MOSFET ОМА 4.6ЈA TO-220 TO-220FP
I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL
900V 2.1 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19986 | STB60N03L-10 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 19987 | STB60N06-14 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 19988 | STB60N06-14 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 19989 | STB60NE03L-10 | Н - Mosfet РАЗМЕРА ] ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА
?INGLE ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ?OWER | SGS Thomson Microelectronics |
| 19990 | STB60NE03L-10 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 19991 | STB60NE03L-12 | Н - КАНАЛ 30V - 0.009 Ома - 60A -
РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ Д 2 PAK "Mosfet СИЛЫ ОДИНОЧНОГО" | SGS Thomson Microelectronics |
| 19992 | STB60NE03L-12 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 19993 | STB60NE06-16 | Н - Mosfet РАЗМЕРА ?OWER ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ?INGLE ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 19994 | STB60NE06-16 | N-CHANNEL 60V - 0.013 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19995 | STB60NE06L-16 | Н - КАНАЛ 60V - 0.014 Ома - Mosfet
СИЛЫ 60A Д 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19996 | STB60NE06L-16 | N-CHANNEL 60V - 0.014 OMH -
MOSFET СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19997 | STB60NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.008 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19998 | STB60NF03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.008 Ома - Mosfet
СИЛЫ 60A Д 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19999 | STB60NF06 | MOSFET СИЛЫ ОМА 60A D2PAK STRIPFET
N-CHANNEL 60V 0.014 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20000 | STB60NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.014 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 60A D2PAK/TO-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |
