|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 8012 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1101BD980ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON PNPSiemens
1102BDP947Транзисторы силы af кремния NPN (для водителей af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого высокого в настоящее время)Siemens
1103BDP948Транзистор силы af кремния PNP (для водителей af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого высокого в настоящее время)Siemens
1104BDP949Транзисторы силы af кремния NPN (для водителей af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого высокого в настоящее время)Siemens
1105BDP950Транзистор силы af кремния PNP (для водителей af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого высокого в настоящее время)Siemens
1106BDP951Транзисторы силы af кремния NPN (для водителей af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого высокого в настоящее время)Siemens
1107BDP952Транзистор силы af кремния PNP (для водителей af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого высокого в настоящее время)Siemens
1108BDP953Транзисторы силы af кремния NPN (для водителей af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого высокого в настоящее время)Siemens
1109BDP954Транзистор силы af кремния PNP (для водителей af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого высокого в настоящее время)Siemens
1110BDP955Транзисторы силы af кремния NPN (для водителей af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого высокого в настоящее время)Siemens
1111BDP956Транзистор силы af кремния PNP (для водителей af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого высокого в настоящее время)Siemens
1112BDW25Кремний Плоскостное Trnasistors NPNSiemens
1113BDW25-10Кремний Плоскостное Trnasistors NPNSiemens
1114BDW25-4Кремний Плоскостное Trnasistors NPNSiemens
1115BDW25-6Кремний Плоскостное Trnasistors NPNSiemens
1116BDX27ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1117BDX27-10ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1118BDX27-16ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1119BDX27-6ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1120BDX28ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1121BDX28-10ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1122BDX28-16ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1123BDX28-6ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1124BDX29ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1125BDX29-10ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1126BDX29-6ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1127BDX30ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1128BDX30-10ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1129BDX30-6ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1130BDY12Кремний Плоскостное Trnasistors NPNSiemens
1131BDY12-10Кремний Плоскостное Trnasistors NPNSiemens
1132BDY12-16Кремний Плоскостное Trnasistors NPNSiemens
1133BDY12-6Кремний Плоскостное Trnasistors NPNSiemens
1134BDY13Кремний Плоскостное Trnasistors NPNSiemens
1135BDY13-10Кремний Плоскостное Trnasistors NPNSiemens
1136BDY13-16Кремний Плоскостное Trnasistors NPNSiemens
1137BDY13-6Кремний Плоскостное Trnasistors NPNSiemens
1138BF1005Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до сети рабочего потенциала 1GHz интегрированной 5V стабилизированной косой)Siemens
1139BF1005SТетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до сети рабочего потенциала 1GHz интегрированной 5V стабилизированной косой)Siemens
1140BF1009Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого шума, высокое увеличение контролировало этапы входного сигнала до сети рабочего потенциала 9 1GHz интегрированной в стабилизированной косойSiemens
1141BF1009SТетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до сети рабочего потенциала 1GHz интегрированной 9V косой)Siemens
1142BF1012Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого шума, высокое увеличение контролировало этапы входного сигнала до сети рабочего потенциала 1GHz интегрированной 12V стабилизированной косойSiemens
1143BF1012SТетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до сети рабочего потенциала 1GHz интегрированной 5V стабилизированной косой)Siemens
1144BF1012WТЕТРОД mosfet КРЕМНИЯ N-CHANNEL (для малошумного, приобретать-gain-controlled входного сигнала ставит up to 1 гигагерц)Siemens
1145BF198Транзистор Rf Кремния NPN (Q62702-F1721)Siemens
1146BF2000Тетрод mosfet канала н кремния (для применений vhf специально для этапов входного сигнала и смесителя с широким настраивая рядом например в тюнерах CATV)Siemens
1147BF2000WТетрод mosfet канала н кремния (транзистор Скоро-kanala с высоким фактором качества S/C для малошумного, приобретать-gain-controlled входного сигнала ставит up to 1 гигагерц)Siemens
1148BF2030Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до рабочего потенциала 5V 1GHz)Siemens
1149BF2030WТетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до рабочего потенциала 5V 1GHz)Siemens
1150BF2040Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до рабочего потенциала 5V 1GHz)Siemens
1151BF2040WТетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до рабочего потенциала 5V 1GHz)Siemens
1152BF245Транзисторы пол-Vli4ni4 соединения Н-KanalaSiemens
1153BF245AТранзисторы пол-Vli4ni4 соединения Н-KanalaSiemens
1154BF245BТранзисторы пол-Vli4ni4 соединения Н-KanalaSiemens
1155BF245CТранзисторы пол-Vli4ni4 соединения Н-KanalaSiemens



1156BF246ТРАНЗИСТОРЫ СОЕДИНЕНИЯ FIELD-EFFECT N-CHANNELSiemens
1157BF246AТРАНЗИСТОРЫ СОЕДИНЕНИЯ FIELD-EFFECT N-CHANNELSiemens
1158BF246BТРАНЗИСТОРЫ СОЕДИНЕНИЯ FIELD-EFFECT N-CHANNELSiemens
1159BF246CТРАНЗИСТОРЫ СОЕДИНЕНИЯ FIELD-EFFECT N-CHANNELSiemens
1160BF254Транзисторы Rf Кремния NPNSiemens
1161BF324ТРАНЗИСТОРЫ RF КРЕМНИЯ PNPSiemens
1162BF362ТРАНЗИСТОРЫ RF КРЕМНИЯ NPNSiemens
1163BF363ТРАНЗИСТОРЫ RF КРЕМНИЯ NPNSiemens
1164BF410ТРАНЗИСТОР СОЕДИНЕНИЯ FIELD-EFFECT LOW-NOISE N-CHANNEL ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЙ RFSiemens
1165BF410AТРАНЗИСТОР СОЕДИНЕНИЯ FIELD-EFFECT LOW-NOISE N-CHANNEL ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЙ RFSiemens
1166BF410BТРАНЗИСТОР СОЕДИНЕНИЯ FIELD-EFFECT LOW-NOISE N-CHANNEL ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЙ RFSiemens
1167BF410CТРАНЗИСТОР СОЕДИНЕНИЯ FIELD-EFFECT LOW-NOISE N-CHANNEL ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЙ RFSiemens
1168BF410DТРАНЗИСТОР СОЕДИНЕНИЯ FIELD-EFFECT LOW-NOISE N-CHANNEL ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЙ RFSiemens
1169BF414Транзистор rf кремния NPN (для этапов vhf малошумного, общего основания и FM)Siemens
1170BF420Транзисторы Кремния NPN С Высоким Обратным Напряжением тока (Транзисторами Кремния NPN С Высоким Обратным Напряжением тока)Siemens
1171BF421Транзисторы кремния PNP (высокое напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера напряжения тока нервного расстройства низкое)Siemens
1172BF422Транзисторы Кремния NPN С Высоким Обратным Напряжением тока (Транзисторами Кремния NPN С Высоким Обратным Напряжением тока)Siemens
1173BF423Транзисторы кремния PNP (высокое напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера напряжения тока нервного расстройства низкое)Siemens
1174BF457ТРАНЗИСТОРЫ RF КРЕМНИЯ NPNSiemens
1175BF458ТРАНЗИСТОРЫ RF КРЕМНИЯ NPNSiemens
1176BF459ТРАНЗИСТОРЫ RF КРЕМНИЯ NPNSiemens
1177BF469ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1178BF470ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1179BF471ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1180BF472ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1181BF502ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPN (ДЛЯ УСИЛИТЕЛЕЙ LOW-NOISE/ LOW-DISTORTION ШИРОКОПОЛОСНЫХ В АНТЕННЕ И СИСТЕМ РАДИОСВЯЗЕЙ ДО 2GHZ)Siemens
1182BF503ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPN (ДЛЯ УСИЛИТЕЛЕЙ LOW-NOISE/ LOW-DISTORTION ШИРОКОПОЛОСНЫХ В АНТЕННЕ И СИСТЕМ РАДИОСВЯЗЕЙ ДО 2GHZ)Siemens
1183BF505ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPN (ДЛЯ УСИЛИТЕЛЕЙ LOW-NOISE/ LOW-DISTORTION ШИРОКОПОЛОСНЫХ В АНТЕННЕ И СИСТЕМ РАДИОСВЯЗЕЙ ДО 2GHZ)Siemens
1184BF506Транзистор rf кремния PNP (для этапов смесителя и генератора vhf)Siemens
1185BF507ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPN (ДЛЯ УСИЛИТЕЛЕЙ LOW-NOISE/ LOW-DISTORTION ШИРОКОПОЛОСНЫХ В АНТЕННЕ И СИСТЕМ РАДИОСВЯЗЕЙ ДО 2GHZ)Siemens
1186BF517Транзистор rf кремния NPN (для применений усилителя и генератора в ТВ-thnerax)Siemens
1187BF543Триод fet mos канала н кремния (для rf ставит up to 300 мегациклов предпочтительн в применениях FM)Siemens
1188BF550Транзистор rf кремния PNP (для общих этапов усилителя излучателя up to 300 мегациклов для применений смесителя в радиоих AM/FM и тюнерах vhf tv)Siemens
1189BF554Транзистор rf кремния NPN (для вообще small-signal применений rf up to 300 мегациклов в цепях усилителя, смесителя и генератора)Siemens
1190BF562транзистор rf кремния npnSiemens
1191BF568ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕSiemens
1192BF569Транзистор rf кремния PNP (для ГЕНЕРАТОРОВ, СМЕСИТЕЛЕЙ И ЭТАПОВ СМЕСИТЕЛЯ SELF-OSCILLATING В uhf ТЮНЕРАХ tv)Siemens
1193BF569WТранзистор rf кремния PNP (для генераторов, смесителя и собственн-osqilliru4 этапов смесителя в UHF ТВ-thnere)Siemens
1194BF599Транзистор rf кремния NPN (емкость обратной связи общего усилителя излучателя IF/RF низкая должная к диффузии экрана)Siemens
1195BF622Транзистор Высок-Napr4jeni4 тока кремния NPN (целесообразный для видео- этапов выхода в напряжении тока сатурации коллектор- эмиттера напряжения тока нервного расстройства televizora высоком низком)Siemens
1196BF623Транзистор Высок-Napr4jeni4 тока кремния PNP (целесообразный для видео- этапов выхода в напряжении тока сатурации коллектор- эмиттера напряжения тока нервного расстройства televizora высоком низком)Siemens
1197BF660Транзистор rf кремния PNP (для применений генератора vhf)Siemens
1198BF660WТранзистор rf кремния PNP (для применений генератора vhf)Siemens
1199BF720Транзисторы Высок-Napr4jeni4 тока кремния NPN (целесообразные для видео- этапов выхода в напряжении тока нервного расстройства televizora и источников питания переключения высоком)Siemens
1200BF721Транзисторы Высок-Napr4jeni4 тока кремния PNP (целесообразные для видео- этапов выхода в напряжении тока нервного расстройства televizora и источников питания переключения высоком)Siemens

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/siemens/1/