|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |

Часть название, описание или производитель содержать:

Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA

Информация Найдено :: 188

Номер	Часть Имя	Описание	Производитель
1	2N6781	60 V, 06 Ом, усиление режима N-канальный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
2	2N6782	100 В, 06 Ом, N-канальный повышение режим D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
3	2N7000	60 V, 5 Ом, усиление режима N-канальный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
4	2N7104	30 В, 70 Ом, N-канальный повышение режим D-MOS FET переключатель	Topaz Semiconductor
5	2N7105	30 В, 70 Ом, N-канальный повышение режим D-MOS FET переключатель	Topaz Semiconductor
6	2N7106	10 В, 70 Ом, N-канальный повышение режим D-MOS FET переключатель	Topaz Semiconductor
7	2N7107	10 В, 70 Ом, N-канальный повышение режим D-MOS FET переключатель	Topaz Semiconductor
8	2N7108	20 V, 70 Ом, N-канальный повышение режим D-MOS FET переключатель	Topaz Semiconductor
9	2N7109	20 V, 70 Ом, N-канальный повышение режим D-MOS FET переключатель	Topaz Semiconductor
10	AN0110NA	, N-канальный повышение сторону D-MOS FET массив 8-канальный 100 В, 100 Ом	Topaz Semiconductor
11	AN0120NA	, N-канальный повышение сторону D-MOS FET массив 8-канальный 200 В, 300 Ом	Topaz Semiconductor
12	AN0130NA	, N-канальный повышение сторону D-MOS FET массив 8-канальный 300 В, 300 Ом	Topaz Semiconductor
13	AN0140NA	400 В, 350 Ом, N-канальный повышение сторону D-MOS FET массив 8-канальный	Topaz Semiconductor
14	SD1100CHP	450 V, повышение режиме N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
15	SD1100DD	450 V, повышение режиме N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
16	SD1100HD	450 V, повышение режиме N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
17	SD1101BD	400 В, повышение режиме N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
18	SD1101CHP	400 В, повышение режиме N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
19	SD1101DD	400 В, повышение режиме N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
20	SD1101HD	400 В, повышение режиме N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
21	SD1102BD	250 В, 10 Ом, усиление режима N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
22	SD1102CHP	250 В, 10 Ом, усиление режима N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
23	SD1102DD	250 В, 10 Ом, усиление режима N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
24	SD1102HD	250 В, 10 Ом, усиление режима N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
25	SD1106AD	60 V, N-канальный повышение сторону D-MOS FET питания	Topaz Semiconductor
26	SD1106CHP	60 V, N-канальный повышение сторону D-MOS FET питания	Topaz Semiconductor

27	SD1106DD	60 V, N-канальный повышение сторону D-MOS FET питания	Topaz Semiconductor
28	SD1107BD	100 В, 4 Ом, усиление режима N-канальный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
29	SD1107CHP	100 В, 4 Ом, усиление режима N-канальный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
30	SD1107DD	100 В, 4 Ом, усиление режима N-канальный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
31	SD1107HD	100 В, 4 Ом, усиление режима N-канальный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
32	SD1107N	100 В, 4 Ом, усиление режима N-канальный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
33	SD1112BD	200 V, 7 Ом, усиление режима N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
34	SD1112CHP	200 V, 7 Ом, усиление режима N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
35	SD1112DD	200 V, 7 Ом, усиление режима N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
36	SD1112HD	200 V, 7 Ом, усиление режима N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
37	SD1113BD	200 В, 10 Ом, усиление режима N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
38	SD1113CHP	200 В, 10 Ом, усиление режима N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
39	SD1113DD	200 В, 10 Ом, усиление режима N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
40	SD1113HD	200 В, 10 Ом, усиление режима N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
41	SD1117BD	60 V, 2,5 Ом, усиление режима N-канальный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
42	SD1117CHP	60 V, 2,5 Ом, усиление режима N-канальный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
43	SD1117DD	60 V, 2,5 Ом, усиление режима N-канальный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
44	SD1117HD	60 V, 2,5 Ом, усиление режима N-канальный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
45	SD1117N	60 V, 2,5 Ом, усиление режима N-канальный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
46	SD1122BD	200 В, 10 Ом, усиление режима N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
47	SD1122CHP	200 В, 10 Ом, усиление режима N-канальный высоковольтный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor
48	SD1127BD	60 V, 4 Ом, N-канальный повышение режиме вертикального D-MOS FET ультра низкой утечки	Topaz Semiconductor
49	SD1127CHP	60 V, 4 Ом, N-канальный повышение режиме вертикального D-MOS FET ультра низкой утечки	Topaz Semiconductor
50	SD1137BD	60 V, 2,5 Ом, усиление режима N-канальный D-MOS мощности на полевых транзисторах	Topaz Semiconductor

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 |

© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/topazsemiconductor/1/