| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1901 | K4M64163PH-RG | 1M X 16Bit X 4 banques SDRAM mobile dans 54CSP | Samsung Electronic |
| 1902 | K4N26323AE | 128Mbit GDDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 1903 | K4N26323AE-GC20 | 128Mbit GDDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 1904 | K4N26323AE-GC22 | 128Mbit GDDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 1905 | K4N26323AE-GC25 | 128Mbit GDDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 1906 | K4N56163QF | 256Mbit gDDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 1907 | K4N56163QF-GC | 256Mbit gDDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 1908 | K4N56163QF-GC25 | 256Mbit gDDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 1909 | K4N56163QF-GC30 | 256Mbit gDDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 1910 | K4N56163QF-GC37 | 256Mbit gDDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 1911 | K4R271669A | RDRAM Direct | Samsung Electronic |
| 1912 | K4R271669A-N(M)CK7 | 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 1913 | K4R271669A-N(M)CK8 | 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 1914 | K4R271669A-NB(M)CCG6 | 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 1915 | K4R271669AM-CG6 | 256K x 16 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 53,3 ns, I / O fréq. 600 MHz. | Samsung Electronic |
| 1916 | K4R271669AM-CK7 | 256K x 16 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq. 711 MHz. | Samsung Electronic |
| 1917 | K4R271669AM-CK8 | 256K x 16 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq. 800 MHz. | Samsung Electronic |
| 1918 | K4R271669AN-CG6 | 256K x 16 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 53,3 ns, I / O Fréquence 600 MHz. | Samsung Electronic |
| 1919 | K4R271669AN-CK7 | 256K x 16 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq. 711 MHz. | Samsung Electronic |
| 1920 | K4R271669AN-CK8 | 256K x 16 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq. 800 MHz. | Samsung Electronic |
| 1921 | K4R271669B | RDRAM Direct | Samsung Electronic |
| 1922 | K4R271669B | Fiche technique Directe de RDRAM™ | Samsung Electronic |
| 1923 | K4R271669B-MCG6 | 256K x 16 x 32s banques RDRAM directes. Temps d'accès: 53,3 ns, I / O fréq .: 600 MHz. | Samsung Electronic |
| 1924 | K4R271669B-MCK7 | 256K x 16 x 32s banques RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq .: 711 MHz. | Samsung Electronic |
| 1925 | K4R271669B-MCK8 | 256K x 16 x 32s banques RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq .: 800 MHz. | Samsung Electronic |
| 1926 | K4R271669B-N(M)CG6 | 256K X 16/18 les banques du bit X 32s dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 1927 | K4R271669B-N(M)CK7 | 256K X 16/18 les banques du bit X 32s dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 1928 | K4R271669B-NB(M)CCK8 | 256K X 16/18 les banques du bit X 32s dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 1929 | K4R271669B-NCG6 | 256K x 16 x 32s banques RDRAM directes. Temps d'accès: 53,3 ns, I / O fréq .: 600 MHz. | Samsung Electronic |
| 1930 | K4R271669B-NCK7 | 256K x 16 x 32s banques RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq .: 711 MHz | Samsung Electronic |
| 1931 | K4R271669B-NCK8 | 256K x 16 x 32s banques RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq .: 800 MHz | Samsung Electronic |
| 1932 | K4R271669D | Fiche technique Directe de RDRAM™ | Samsung Electronic |
| 1933 | K4R271669D-T | 128Mbit RDRAM(D-die) | Samsung Electronic |
| 1934 | K4R271669D-TCS8 | 128Mbit RDRAM(D-die) | Samsung Electronic |
| 1935 | K4R271669E | 128Mbit RDRAM(E-die) | Samsung Electronic |
| 1936 | K4R271669F | 128Mbit RDRAM(F-die) | Samsung Electronic |
| 1937 | K4R271869B-MCG6 | 256K x 18 x 32s banques RDRAM directes. Temps d'accès: 53,3 ns, I / O fréq .: 600 MHz. | Samsung Electronic |
| 1938 | K4R271869B-MCK7 | 256K x 18 x 32s banques RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq .: 711 MHz. | Samsung Electronic |
| 1939 | K4R271869B-MCK8 | 256K x 18 x 32s banques RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq .: 800 MHz. | Samsung Electronic |
| 1940 | K4R271869B-NCG6 | 256K x 18 x 32s banques RDRAM directes. Temps d'accès: 53,3 ns, I / O fréq .: 600 MHz. | Samsung Electronic |
| 1941 | K4R271869B-NCK7 | 256K x 18 x 32s banques RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq .: 711 MHz. | Samsung Electronic |
| 1942 | K4R271869B-NCK8 | 256K x 18 x 32s banques RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq .: 800 MHz. | Samsung Electronic |
| 1943 | K4R441869A | RDRAM Direct | Samsung Electronic |
| 1944 | K4R441869A-N(M) | Fiche technique De K4R271669A-N(M):Direct RDRAM™ | Samsung Electronic |
| 1945 | K4R441869A-N(M)CG6 | 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 1946 | K4R441869A-N(M)CK7 | 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 1947 | K4R441869A-N(M)CK8 | 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 1948 | K4R441869AM-CG6 | 256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 53,3 ns, I / O fréq. 600 MHz. | Samsung Electronic |
| 1949 | K4R441869AM-CK7 | 256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq. 711 MHz. | Samsung Electronic |
| 1950 | K4R441869AM-CK8 | 256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq. 800 MHz. | Samsung Electronic |
| 1951 | K4R441869AN-CG6 | 256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 53,3 ns, I / O fréq. 600 MHz. | Samsung Electronic |
| 1952 | K4R441869AN-CK7 | 256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq. 711 MHz. | Samsung Electronic |
| 1953 | K4R441869AN-CK8 | 256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq. 800 MHz. | Samsung Electronic |
| 1954 | K4R441869B | Fiche technique De K4R271669B:Direct RDRAM™ | Samsung Electronic |
| 1955 | K4R441869B | RDRAM Direct | Samsung Electronic |
| 1956 | K4R441869B-N(M)CG6 | 256K X 16/18 les banques du bit X 32s dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 1957 | K4R441869B-N(M)CK7 | 256K X 16/18 les banques du bit X 32s dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 1958 | K4R441869B-N(M)CK8 | 256K X 16/18 les banques du bit X 32s dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 1959 | K4R521669A | 250 à 0.13V; 512 / 576Mbit court canal sans escale 1066 RDRAM (A-die); 1M x 16/18 bits x 32s banques | Samsung Electronic |
| 1960 | K4R57(88)16(8)69A | Fiche technique Directe de RDRAM™ | Samsung Electronic |
| 1961 | K4R571669D | 256/288Mbit RDRAM(D-die) | Samsung Electronic |
| 1962 | K4R571669M | Fiche technique Directe de RDRAM™ | Samsung Electronic |
| 1963 | K4R761869A | 250 à 0.13V; 512 / 576Mbit court canal sans escale 1066 RDRAM (A-die); 1M x 16/18 bits x 32s banques | Samsung Electronic |
| 1964 | K4R761869A-F | 1M X de 576Mbit RDRAM (Un-mourez) banques RDRAMTM direct de 18bit x de 32s | Samsung Electronic |
| 1965 | K4R761869A-FBCCN1 | 1M X de 576Mbit RDRAM (Un-mourez) banques RDRAMTM direct de 18bit x de 32s | Samsung Electronic |
| 1966 | K4R761869A-FCM8 | 1M X de 576Mbit RDRAM (Un-mourez) banques RDRAMTM direct de 18bit x de 32s | Samsung Electronic |
| 1967 | K4R761869A-FCT9 | 1M X de 576Mbit RDRAM (Un-mourez) banques RDRAMTM direct de 18bit x de 32s | Samsung Electronic |
| 1968 | K4R761869A-GCM8 | 1M X de 576Mbit RDRAM (Un-mourez) banques RDRAMTM direct de 18bit x de 32s | Samsung Electronic |
| 1969 | K4R761869A-GCN1 | 1M X de 576Mbit RDRAM (Un-mourez) banques RDRAMTM direct de 18bit x de 32s | Samsung Electronic |
| 1970 | K4R761869A-GCT9 | 1M X de 576Mbit RDRAM (Un-mourez) banques RDRAMTM direct de 18bit x de 32s | Samsung Electronic |
| 1971 | K4R881869 | 288Mbit RDRAM 512K X 18 banques 2*16 dépendantes du bit X dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 1972 | K4R881869D | 256/288Mbit RDRAM(D-die) | Samsung Electronic |
| 1973 | K4R881869M | RDRAM Direct | Samsung Electronic |
| 1974 | K4R881869M | Fiche technique Directe de RDRAM™ | Samsung Electronic |
| 1975 | K4R881869M-NBCCG6 | 288Mbit RDRAM 512K X 18 banques 2*16 dépendantes du bit X dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 1976 | K4R881869M-NCK7 | 288Mbit RDRAM 512K X 18 banques 2*16 dépendantes du bit X dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 1977 | K4R881869M-NCK8 | 288Mbit RDRAM 512K X 18 banques 2*16 dépendantes du bit X dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 1978 | K4S160822D | 1M X 8bit X DRACHME synchrone LVTTL de 2 banques | Samsung Electronic |
| 1979 | K4S160822DT-G/F10 | 1M X 8bit X de 2Mx8 SDRAM DRACHME synchrone LVTTL de 2 banques | Samsung Electronic |
| 1980 | K4S160822DT-G/F7 | 1M X 8bit X de 2Mx8 SDRAM DRACHME synchrone LVTTL de 2 banques | Samsung Electronic |
| 1981 | K4S160822DT-G/F8 | 1M X 8bit X de 2Mx8 SDRAM DRACHME synchrone LVTTL de 2 banques | Samsung Electronic |
| 1982 | K4S160822DT-G/FH | 1M X 8bit X de 2Mx8 SDRAM DRACHME synchrone LVTTL de 2 banques | Samsung Electronic |
| 1983 | K4S160822DT-G/FL | 1M X 8bit X de 2Mx8 SDRAM DRACHME synchrone LVTTL de 2 banques | Samsung Electronic |
| 1984 | K4S161622D | 512K x 16Bit X DRACHME synchrone de 2 banques | Samsung Electronic |
| 1985 | K4S161622D-TC/L/I/P | 512K x 16Bit X fiche technique 2 de banques synchrone de DRACHME | Samsung Electronic |
| 1986 | K4S161622D-TC/L/I/P | 512K x 16Bit X fiche technique 2 de banques synchrone de DRACHME | Samsung Electronic |
| 1987 | K4S161622D-TC/L10 | 512K x 16Bit X DRACHME synchrone de 2 banques | Samsung Electronic |
| 1988 | K4S161622D-TC/L55 | 512K x 16Bit X DRACHME synchrone de 2 banques | Samsung Electronic |
| 1989 | K4S161622D-TC/L60 | 512K x 16Bit X DRACHME synchrone de 2 banques | Samsung Electronic |
| 1990 | K4S161622D-TC/L70 | 512K x 16Bit X DRACHME synchrone de 2 banques | Samsung Electronic |
| 1991 | K4S161622D-TC/L80 | 512K x 16Bit X DRACHME synchrone de 2 banques | Samsung Electronic |
| 1992 | K4S161622D-TI/E10 | 1M X 16 SDRAM | Samsung Electronic |
| 1993 | K4S161622D-TI/E50 | 1M X 16 SDRAM | Samsung Electronic |
| 1994 | K4S161622D-TI/E55 | 1M X 16 SDRAM | Samsung Electronic |
| 1995 | K4S161622D-TI/E60 | 1M X 16 SDRAM | Samsung Electronic |
| 1996 | K4S161622D-TI/E70 | 1M X 16 SDRAM | Samsung Electronic |
| 1997 | K4S161622D-TI/E80 | 1M X 16 SDRAM | Samsung Electronic |
| 1998 | K4S161622E | 1M X 16 SDRAM | Samsung Electronic |
| 1999 | K4S161622E-TC/I/E | 512K x 16Bit X fiche technique 2 de banques synchrone de DRACHME | Samsung Electronic |
| 2000 | K4S161622E-TC/I/E | 512K x 16Bit X fiche technique 2 de banques synchrone de DRACHME | Samsung Electronic |
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