| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 3001 | K6R1004C1D-JC(I)10 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3002 | K6R1004C1D-JC(I)10_12 | 64Kx16 Bit CMOS ultra-rapide RAM statique (3.3V exploitation) fonctionne à usage commercial et des plages de températures industrielles. | Samsung Electronic |
| 3003 | K6R1004C1D-JC(I)12 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3004 | K6R1004C1D-JC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3005 | K6R1004C1D-JI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3006 | K6R1004C1D-KC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3007 | K6R1004C1D-KI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3008 | K6R1004V1D | 256K X fiche technique 4 de bit (avec/OE) CMOS RAM(3.3v) choisie fonctionnante statique à grande vitesse de rangée | Samsung Electronic |
| 3009 | K6R1004V1D-JC(I)08 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3010 | K6R1004V1D-JC(I)08_10 | 64Kx16 Bit CMOS ultra-rapide RAM statique (3.3V exploitation) fonctionne à usage commercial et des plages de températures industrielles. | Samsung Electronic |
| 3011 | K6R1004V1D-JC(I)10 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3012 | K6R1004V1D-JC08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3013 | K6R1004V1D-JC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3014 | K6R1004V1D-JI08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3015 | K6R1004V1D-JI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3016 | K6R1004V1D-KC08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3017 | K6R1004V1D-KC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3018 | K6R1004V1D-KI08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3019 | K6R1004V1D-KI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3020 | K6R1008C1A | -128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant, goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3021 | K6R1008C1A | 128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3022 | K6R1008C1A-C12 | 128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3023 | K6R1008C1A-C15 | 128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3024 | K6R1008C1A-C20 | 128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3025 | K6R1008C1A-I12 | 128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3026 | K6R1008C1A-I15 | 128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3027 | K6R1008C1A-I20 | 128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3028 | K6R1008C1A-JC12 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12ns | Samsung Electronic |
| 3029 | K6R1008C1A-JC15 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15ns | Samsung Electronic |
| 3030 | K6R1008C1A-JC20 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 20ns | Samsung Electronic |
| 3031 | K6R1008C1A-JI12 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12ns | Samsung Electronic |
| 3032 | K6R1008C1A-JI15 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15ns | Samsung Electronic |
| 3033 | K6R1008C1A-JI20 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 20ns | Samsung Electronic |
| 3034 | K6R1008C1A-TC12 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12ns | Samsung Electronic |
| 3035 | K6R1008C1A-TC15 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15ns | Samsung Electronic |
| 3036 | K6R1008C1A-TC20 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 20ns | Samsung Electronic |
| 3037 | K6R1008C1A-TI12 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12ns | Samsung Electronic |
| 3038 | K6R1008C1A-TI15 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15ns | Samsung Electronic |
| 3039 | K6R1008C1A-TI20 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 20ns | Samsung Electronic |
| 3040 | K6R1008C1B | charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant, goupille révolutionnaire du peu -128Kx8 dehors. Fonctionné auxtempératures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3041 | K6R1008C1B | charge statique à grande vitesse RAM5V du peu 128Kx8 fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3042 | K6R1008C1B-C10 | charge statique à grande vitesse RAM5V du peu 128Kx8 fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3043 | K6R1008C1B-C12 | charge statique à grande vitesse RAM5V du peu 128Kx8 fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3044 | K6R1008C1B-C8 | charge statique à grande vitesse RAM5V du peu 128Kx8 fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3045 | K6R1008C1B-I10 | charge statique à grande vitesse RAM5V du peu 128Kx8 fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3046 | K6R1008C1B-I12 | charge statique à grande vitesse RAM5V du peu 128Kx8 fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3047 | K6R1008C1B-I8 | charge statique à grande vitesse RAM5V du peu 128Kx8 fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3048 | K6R1008C1C | -128Kx8 Peu CMOS À grande vitesse RAM(5V Statique Fonctionnant). Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3049 | K6R1008C1C | 128Kx8 Peu CMOS À grande vitesse RAM(5v Statique Fonctionnant). Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3050 | K6R1008C1C-C10 | 128Kx8 Peu CMOS À grande vitesse RAM(5v Statique Fonctionnant). Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3051 | K6R1008C1C-C12 | 128Kx8 Peu CMOS À grande vitesse RAM(5v Statique Fonctionnant). Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3052 | K6R1008C1C-C15 | 128Kx8 Peu CMOS À grande vitesse RAM(5v Statique Fonctionnant). Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3053 | K6R1008C1C-I10 | 128Kx8 Peu CMOS À grande vitesse RAM(5v Statique Fonctionnant). Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3054 | K6R1008C1C-I12 | 128Kx8 Peu CMOS À grande vitesse RAM(5v Statique Fonctionnant). Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3055 | K6R1008C1C-I15 | 128Kx8 Peu CMOS À grande vitesse RAM(5v Statique Fonctionnant). Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3056 | K6R1008C1C-JC10 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 10ns | Samsung Electronic |
| 3057 | K6R1008C1C-JC12 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12ns | Samsung Electronic |
| 3058 | K6R1008C1C-JC15 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15ns | Samsung Electronic |
| 3059 | K6R1008C1C-JI10 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 10ns | Samsung Electronic |
| 3060 | K6R1008C1C-JI12 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12ns | Samsung Electronic |
| 3061 | K6R1008C1C-JI15 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15ns | Samsung Electronic |
| 3062 | K6R1008C1C-TC10 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 10ns | Samsung Electronic |
| 3063 | K6R1008C1C-TC12 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12ns | Samsung Electronic |
| 3064 | K6R1008C1C-TC15 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15ns | Samsung Electronic |
| 3065 | K6R1008C1C-TI10 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 10ns | Samsung Electronic |
| 3066 | K6R1008C1C-TI12 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12ns | Samsung Electronic |
| 3067 | K6R1008C1C-TI15 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15ns | Samsung Electronic |
| 3068 | K6R1008C1D | 128K X fiche technique 8 fonctionnante statique à grande vitesse du bit CMOS RAM(5.0v) | Samsung Electronic |
| 3069 | K6R1008C1D-J(T)C(I)10 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3070 | K6R1008C1D-J(T)C(I)10_12 | 64Kx16 Bit CMOS ultra-rapide RAM statique (3.3V exploitation) fonctionne à usage commercial et des plages de températures industrielles. | Samsung Electronic |
| 3071 | K6R1008C1D-J(T)C(I)12 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3072 | K6R1008C1D-JC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3073 | K6R1008C1D-JI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3074 | K6R1008C1D-KC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3075 | K6R1008C1D-KI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3076 | K6R1008C1D-TC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3077 | K6R1008C1D-TI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3078 | K6R1008C1D-UC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3079 | K6R1008C1D-UI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3080 | K6R1008V1B | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 3081 | K6R1008V1B-B-L | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 3082 | K6R1008V1B-B-P | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 3083 | K6R1008V1B-C-L | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 3084 | K6R1008V1B-C10 | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 3085 | K6R1008V1B-C12 | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 3086 | K6R1008V1B-C8 | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 3087 | K6R1008V1B-I-P | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 3088 | K6R1008V1B-I10 | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 3089 | K6R1008V1B-I12 | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 3090 | K6R1008V1B-I8 | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 3091 | K6R1008V1D | 128K X fiche technique 8 fonctionnante statique à grande vitesse du bit CMOS RAM(3.3v) | Samsung Electronic |
| 3092 | K6R1008V1D-J(T)C(I)08 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3093 | K6R1008V1D-J(T)C(I)08_10 | 64Kx16 Bit CMOS ultra-rapide RAM statique (3.3V exploitation) fonctionne à usage commercial et des plages de températures industrielles. | Samsung Electronic |
| 3094 | K6R1008V1D-J(T)C(I)10 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 3095 | K6R1008V1D-JC08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3096 | K6R1008V1D-JC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3097 | K6R1008V1D-JI08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3098 | K6R1008V1D-JI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3099 | K6R1008V1D-KC08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 3100 | K6R1008V1D-KC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
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