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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
6301KM44C4103CK-64m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6302KM44C4103CKL-54m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6303KM44C4103CKL-64m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6304KM44C4103CS-54m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6305KM44C4103CS-64m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6306KM44C4103CSL-54m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6307KM44C4103CSL-64m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6308KM44C4104A-550ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6309KM44C4104A-660ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6310KM44C4104A-770ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6311KM44C4104A-880 ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6312KM44C4104AL-550ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6313KM44C4104AL-660ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6314KM44C4104AL-770ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6315KM44C4104AL-880 ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6316KM44C4104ALL-550ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6317KM44C4104ALL-660ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6318KM44C4104ALL-770ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6319KM44C4104ALL-880 ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6320KM44C4104ASL-550ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6321KM44C4104ASL-660ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6322KM44C4104ASL-770ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6323KM44C4104ASL-880 ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6324KM44C4105CDRACHME de CAS de quadruple de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
6325KM44C4105CK-54M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6326KM44C4105CK-64M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6327KM44C4105CKL-54M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6328KM44C4105CKL-64M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6329KM44C4105CS-54M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6330KM44C4105CS-64M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6331KM44C4105CSL-54M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6332KM44C4105CSL-64M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6333KM44L32031BT128CMb DDR SDRAMSamsung Electronic
6334KM44L32031BT-F0128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 100 MHz, vitesse de 10 ns.Samsung Electronic
6335KM44L32031BT-FY128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 133 MHz, vitesse de 7,5 ns.Samsung Electronic
6336KM44L32031BT-FZ128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 133 MHz, vitesse de 7,5 ns.Samsung Electronic
6337KM44L32031BT-G(F)0Version 0,61 De Spécifications de DDR SDRAMSamsung Electronic
6338KM44L32031BT-G(F)YVersion 0,61 De Spécifications de DDR SDRAMSamsung Electronic
6339KM44L32031BT-G(F)ZVersion 0,61 De Spécifications de DDR SDRAMSamsung Electronic
6340KM44L32031BT-G(L)0Version 1,0 De Spécifications de DDR SDRAMSamsung Electronic
6341KM44L32031BT-G(L)YVersion 1,0 De Spécifications de DDR SDRAMSamsung Electronic
6342KM44L32031BT-G(L)ZVersion 1,0 De Spécifications de DDR SDRAMSamsung Electronic
6343KM44L32031BT-G0128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 100 MHz, vitesse de 10 ns.Samsung Electronic
6344KM44L32031BT-GY128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 133 MHz, vitesse de 7,5 ns.Samsung Electronic
6345KM44L32031BT-GZ128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 133 MHz, vitesse de 7,5 ns.Samsung Electronic
6346KM44S16030BT-G_F10100MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAMSamsung Electronic
6347KM44S16030BT-G_F8125MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAMSamsung Electronic
6348KM44S16030BT-G_FH100MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAMSamsung Electronic
6349KM44S16030BT-G_FL100MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAMSamsung Electronic
6350KM44S16030CT-G_F10100MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAMSamsung Electronic
6351KM44S16030CT-G_F7143MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAMSamsung Electronic
6352KM44S16030CT-G_F8125MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAMSamsung Electronic
6353KM44S16030CT-G_FH100MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAMSamsung Electronic
6354KM44S16030CT-G_FL100MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAMSamsung Electronic
6355KM44S320308M x 4Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
6356KM44S32030B8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic



6357KM44S32030BT-G/F10128Mbit SDRAM 8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6358KM44S32030BT-G/F8128Mbit SDRAM 8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6359KM44S32030BT-G/FA128Mbit SDRAM 8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6360KM44S32030BT-G/FH128Mbit SDRAM 8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6361KM44S32030BT-G/FL128Mbit SDRAM 8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6362KM44S32030T-G/F108M x 4Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
6363KM44S32030T-G/F88M x 4Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
6364KM44S32030T-G/FH8M x 4Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
6365KM44S32030T-G/FL8M x 4Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
6366KM44S3203BT-G_F108m x 4 bits x 4 banques synchrone DRAME LVTTL. Fréquence Max. 66 MHz (CL = 2 & 3).Samsung Electronic
6367KM44S3203BT-G_F88m x 4 bits x 4 banques synchrone DRAME LVTTL. Fréquence Max. 125 MHz (CL = 3).Samsung Electronic
6368KM44S3203BT-G_FA8m x 4 bits x 4 banques synchrone DRAME LVTTL. Fréquence Max. 133 MHz (CL = 3).Samsung Electronic
6369KM44S3203BT-G_FH8m x 4 bits x 4 banques synchrone DRAME LVTTL. Fréquence Max. 100 MHz (CL = 2).Samsung Electronic
6370KM44S3203BT-G_FL8m x 4 bits x 4 banques synchrone DRAME LVTTL. Fréquence Max. 100 MHz (CL = 3).Samsung Electronic
6371KM44V1000DRAM dynamique du 1M X 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6372KM44V1000DJ-6RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6373KM44V1000DJ-7RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6374KM44V1000DJL-6RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6375KM44V1000DJL-7RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6376KM44V1000DT-6RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6377KM44V1000DT-7RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6378KM44V1000DTL-6RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6379KM44V1000DTL-7RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6380KM44V4000CRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6381KM44V4000CK-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6382KM44V4000CK-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6383KM44V4000CKL-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6384KM44V4000CKL-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6385KM44V4000CS-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6386KM44V4000CS-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6387KM44V4000CSL-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6388KM44V4000CSL-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6389KM44V4100CRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6390KM44V4100CK-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6391KM44V4100CK-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6392KM44V4100CKL-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6393KM44V4100CKL-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6394KM44V4100CS-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6395KM44V4100CS-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6396KM44V4100CSL-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6397KM44V4100CSL-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6398KM44V4104BKV (cc): -0,5 à + 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
6399KM48C2000BRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6400KM48C2000BK-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic

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