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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
6701KM681000BLG-5RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6702KM681000BLG-5LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6703KM681000BLG-7RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6704KM681000BLG-7LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6705KM681000BLGE-10RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6706KM681000BLGE-10LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6707KM681000BLGE-7RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6708KM681000BLGE-7LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6709KM681000BLGI-10RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6710KM681000BLGI-10LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6711KM681000BLGI-7RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6712KM681000BLGI-7LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6713KM681000BLIRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6714KM681000BLI-LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6715KM681000BLP-5RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6716KM681000BLP-5LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6717KM681000BLP-7RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6718KM681000BLP-7LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6719KM681000BLR-5RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6720KM681000BLR-5LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6721KM681000BLR-7RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6722KM681000BLR-7LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6723KM681000BLRE-10RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6724KM681000BLRE-10LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6725KM681000BLRE-7RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6726KM681000BLRE-7LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6727KM681000BLRI-10RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6728KM681000BLRI-10LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6729KM681000BLRI-7RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6730KM681000BLRI-7LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6731KM681000BLT-5RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6732KM681000BLT-5LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6733KM681000BLT-7RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6734KM681000BLT-7LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6735KM681000BLTE-10RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6736KM681000BLTE-10LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6737KM681000BLTE-7RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6738KM681000BLTE-7LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6739KM681000BLTI-10RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6740KM681000BLTI-10LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6741KM681000BLTI-7RAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6742KM681000BLTI-7LRAM de charge statique de la puissance CMOS de peu de 128K x8 basseSamsung Electronic
6743KM681001A128K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOSSamsung Electronic
6744KM681001A-15128K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOSSamsung Electronic
6745KM681001A-20128K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOSSamsung Electronic
6746KM681001B128K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOSSamsung Electronic
6747KM681001B-15128K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOSSamsung Electronic
6748KM681001B-20128K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOSSamsung Electronic
6749KM681002A128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant, goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné à la température ambiante commerciale et industrielle.Samsung Electronic
6750KM681002A-12128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant, goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné à la température ambiante commerciale et industrielle.Samsung Electronic
6751KM681002A-15128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant, goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné à la température ambiante commerciale et industrielle.Samsung Electronic
6752KM681002A-20128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant, goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné à la température ambiante commerciale et industrielle.Samsung Electronic
6753KM681002AI128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant, goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné à la température ambiante commerciale et industrielle.Samsung Electronic
6754KM681002AI-12128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant, goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné à la température ambiante commerciale et industrielle.Samsung Electronic
6755KM681002AI-15128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant, goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné à la température ambiante commerciale et industrielle.Samsung Electronic
6756KM681002AI-20128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant, goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné à la température ambiante commerciale et industrielle.Samsung Electronic
6757KM681002AJ-12128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant, goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné à la température ambiante commerciale et industrielle.Samsung Electronic
6758KM681002Bcharge statique à grande vitesse RAM(5V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné à la température ambiante commerciale et industrielle.Samsung Electronic



6759KM681002BI-10128Kx8 peu élevé RAM statique de vitesse (5V), révolutionnaire Brochage. Opéré à Température commercial et industriel.Samsung Electronic
6760KM681002BI-12128Kx8 peu élevé RAM statique de vitesse (5V), révolutionnaire Brochage. Opéré à Température commercial et industriel.Samsung Electronic
6761KM681002BI-8128Kx8 peu élevé RAM statique de vitesse (5V), révolutionnaire Brochage. Opéré à Température commercial et industriel.Samsung Electronic
6762KM681002C128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6763KM681002C-10128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6764KM681002C-12128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6765KM681002C-15128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6766KM681002C-20128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6767KM681002CI-10128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6768KM681002CI-12128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6769KM681002CI-15128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6770KM681002CI-20128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6771KM681002CI_CLI-10128Kx8 Bit CMOS ultra-rapide statique RAM5V exploitation. Exploité dans des gammes de températures commerciales et industrielles.Samsung Electronic
6772KM681002CI_CLI-12128Kx8 Bit CMOS ultra-rapide statique RAM5V exploitation. Exploité dans des gammes de températures commerciales et industrielles.Samsung Electronic
6773KM681002CI_CLI-15128Kx8 Bit CMOS ultra-rapide statique RAM5V exploitation. Exploité dans des gammes de températures commerciales et industrielles.Samsung Electronic
6774KM681002CI_CLI-20128Kx8 Bit CMOS ultra-rapide statique RAM5V exploitation. Exploité dans des gammes de températures commerciales et industrielles.Samsung Electronic
6775KM681002CJ-10128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6776KM681002CJ-12128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6777KM681002CJ-15128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6778KM681002CJ-20128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6779KM681002CJI-10128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 10nsSamsung Electronic
6780KM681002CJI-12128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12nsSamsung Electronic
6781KM681002CJI-15128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15nsSamsung Electronic
6782KM681002CJI-20128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 20nsSamsung Electronic
6783KM681002CL128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6784KM681002CL-10128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6785KM681002CL-12128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6786KM681002CL-15128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6787KM681002CL-20128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6788KM681002CLI128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6789KM681002CLI-10128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6790KM681002CLI-12128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6791KM681002CLI-15128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6792KM681002CLI-20128Kx8 Opération Statique À grande vitesse Du Peu CMOS RAM5V. Fonctionné aux températures ambiantes commercialeset industrielles.Samsung Electronic
6793KM681002CLJ-10128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 10ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6794KM681002CLJ-12128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6795KM681002CLJ-15128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6796KM681002CLJ-20128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 20ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6797KM681002CLJI-10128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 10ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6798KM681002CLJI-12128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6799KM681002CLJI-15128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6800KM681002CLJI-20128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 20ns, de faible puissanceSamsung Electronic

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