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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
6801KM681002CLT-10128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 10ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6802KM681002CLT-12128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6803KM681002CLT-15128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6804KM681002CLT-20128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 20ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6805KM681002CLTI-10128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 10ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6806KM681002CLTI-12128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6807KM681002CLTI-15128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6808KM681002CLTI-20128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 20ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6809KM681002CT-10128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 10nsSamsung Electronic
6810KM681002CT-12128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12nsSamsung Electronic
6811KM681002CT-15128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15nsSamsung Electronic
6812KM681002CT-20128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 20nsSamsung Electronic
6813KM681002CTI-10128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 10nsSamsung Electronic
6814KM681002CTI-12128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12nsSamsung Electronic
6815KM681002CTI-15128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15nsSamsung Electronic
6816KM681002CTI-20128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 20nsSamsung Electronic
6817KM68257Ccharge statique à grande vitesse RAM(5V Operating(, goupille évolutionnaire du peu 32Kx8 dehors. Fonctionné à la température ambiante commerciale.Samsung Electronic
6818KM68257CJ-1232Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 12nsSamsung Electronic
6819KM68257CJ-1532Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 15nsSamsung Electronic
6820KM68257CJ-2032Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 20nsSamsung Electronic
6821KM68257CLJ-1232Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 12nsSamsung Electronic
6822KM68257CLJ-1532Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 15nsSamsung Electronic
6823KM68257CLJ-2032Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 20nsSamsung Electronic
6824KM68257CLP-1232Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 12nsSamsung Electronic
6825KM68257CLP-1532Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 15nsSamsung Electronic
6826KM68257CLP-2032Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 20nsSamsung Electronic
6827KM68257CLTG-1232Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 12nsSamsung Electronic
6828KM68257CLTG-1532Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 15nsSamsung Electronic
6829KM68257CLTG-2032Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 20nsSamsung Electronic
6830KM68257CP-1232Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 12nsSamsung Electronic
6831KM68257CP-1532Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 15nsSamsung Electronic
6832KM68257CP-2032Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 20nsSamsung Electronic
6833KM68257CTG-1232Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 12nsSamsung Electronic
6834KM68257CTG-1532Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 15nsSamsung Electronic
6835KM68257CTG-2032Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 20nsSamsung Electronic
6836KM68257E32Kx8 opération statique à grande vitesse du peu CMOSRAM(5V) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles.Samsung Electronic
6837KM68257E-1032Kx8 opération statique à grande vitesse du peu CMOSRAM(5V) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles.Samsung Electronic
6838KM68257E-1232Kx8 opération statique à grande vitesse du peu CMOSRAM(5V) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles.Samsung Electronic
6839KM68257E-1532Kx8 opération statique à grande vitesse du peu CMOSRAM(5V) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles.Samsung Electronic
6840KM68257EI-1032Kx8 Bit CMOS ultra-rapide RAM statique (5V) Exploitée dans des gammes de températures commerciales et industrielles.Samsung Electronic
6841KM68257EI-1232Kx8 opération statique à grande vitesse du peu CMOSRAM(5V) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles.Samsung Electronic
6842KM68257EI-1532Kx8 opération statique à grande vitesse du peu CMOSRAM(5V) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles.Samsung Electronic
6843KM68257EJ-1032Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 10nsSamsung Electronic
6844KM68257EJ-1232Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 12nsSamsung Electronic
6845KM68257EJ-1532Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 15nsSamsung Electronic
6846KM68257EJI-1032Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 10nsSamsung Electronic
6847KM68257EJI-1232Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 12nsSamsung Electronic
6848KM68257EJI-1532Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 15nsSamsung Electronic
6849KM68257ETG-1032Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 10nsSamsung Electronic
6850KM68257ETG-1232Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 12nsSamsung Electronic
6851KM68257ETG-1532Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 15nsSamsung Electronic
6852KM68257ETGI-1032Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 10nsSamsung Electronic
6853KM68257ETGI-1232Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 12nsSamsung Electronic
6854KM68257ETGI-1532Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 15nsSamsung Electronic
6855KM684000524288 WORD X RAM À GRANDE VITESSE de CHARGE STATIQUE de 8 BITS CMOSSamsung Electronic
6856KM684000ALG-5basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 128Kx8Samsung Electronic
6857KM684000ALG-5L55ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statiqueSamsung Electronic



6858KM684000ALG-770ns, 512Kx8 bits faibles CMOS de puissance RAM statiqueSamsung Electronic
6859KM684000ALG-7L70ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statiqueSamsung Electronic
6860KM684000ALGI-770ns, 512Kx8 bits faibles CMOS de puissance RAM statiqueSamsung Electronic
6861KM684000ALGI-7Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 128Kx8Samsung Electronic
6862KM684000ALP-555ns, 512Kx8 bits faibles CMOS de puissance RAM statiqueSamsung Electronic
6863KM684000ALP-5L55ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statiqueSamsung Electronic
6864KM684000ALP-7basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 128Kx8Samsung Electronic
6865KM684000ALP-7L70ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statiqueSamsung Electronic
6866KM684000ALR-5L55ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statiqueSamsung Electronic
6867KM684000ALR-7L70ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statiqueSamsung Electronic
6868KM684000ALRI-7L70ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statiqueSamsung Electronic
6869KM684000ALT-5L55ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statiqueSamsung Electronic
6870KM684000ALT-7L70ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statiqueSamsung Electronic
6871KM684000ALTI-7L70ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statiqueSamsung Electronic
6872KM684000Bbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6873KM684000BLbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6874KM684000BL-Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6875KM684000BLG-5basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6876KM684000BLG-5Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6877KM684000BLG-7basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6878KM684000BLG-7Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6879KM684000BLGI-5basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6880KM684000BLGI-5Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6881KM684000BLGI-7basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6882KM684000BLGI-7Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6883KM684000BLIbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6884KM684000BLI-Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6885KM684000BLP-5basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6886KM684000BLP-5Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6887KM684000BLP-7basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6888KM684000BLP-7Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6889KM684000BLR-5Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6890KM684000BLR-7Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6891KM684000BLRI-5Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6892KM684000BLRI-7Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6893KM684000BLT-5Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6894KM684000BLT-7Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6895KM684000BLTI-5Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6896KM684000BLTI-7Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6897KM684000Cbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6898KM684000CLbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6899KM684000CL-Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic
6900KM684000CLG-5basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 512Kx8Samsung Electronic

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