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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
801K4F640811B-TC-50RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
802K4F640811B-TC-60RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
803K4F640812DRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
804K4F640812D-JC_LRAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 4K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
805K4F640812D-TC_LRAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 4K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
806K4F641612BRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
807K4F641612B-LRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
808K4F641612B-TCRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
809K4F641612B-TC454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
810K4F641612B-TC50RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
811K4F641612B-TC604M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
812K4F641612B-TL454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissanceSamsung Electronic
813K4F641612B-TL504M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissanceSamsung Electronic
814K4F641612B-TL604M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissanceSamsung Electronic
815K4F641612CRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
816K4F641612C-LRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
817K4F641612C-TCRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
818K4F641612C-TC454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
819K4F641612C-TC504M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
820K4F641612C-TC604M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
821K4F641612C-TL454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissanceSamsung Electronic
822K4F641612C-TL50RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
823K4F641612C-TL604M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissanceSamsung Electronic
824K4F660411D, K4F640411DRAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
825K4F660412DRAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
826K4F660412D, K4F640412DRAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
827K4F660412D, K4F640412DRAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
828K4F660412D-JC_LRAM dynamique 16M x 4 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 8K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
829K4F660412D-TC_LRAM dynamique 16M x 4 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 8K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
830K4F660412E, K4F640412ERAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
831K4F660412E, K4F640412ERAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
832K4F660811BRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
833K4F660811B-JC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 45nsSamsung Electronic
834K4F660811B-JC-50RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
835K4F660811B-JC-60RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
836K4F660811B-TC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 45nsSamsung Electronic
837K4F660811B-TC-50RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
838K4F660811B-TC-60RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
839K4F660811D, K4F640811DRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
840K4F660812DRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
841K4F660812D, K4F640812DRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
842K4F660812D, K4F640812DRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
843K4F660812D-JC_LRAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 8K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
844K4F660812D-TC_LRAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 8K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
845K4F660812E, K4F640812ERAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
846K4F660812E, K4F640812ERAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
847K4F661611D, K4F641611DRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
848K4F661612BRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
849K4F661612B-LRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
850K4F661612B-TCRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
851K4F661612B-TC454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
852K4F661612B-TC504M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
853K4F661612B-TC604M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
854K4F661612B-TL454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissanceSamsung Electronic
855K4F661612B-TL504M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissanceSamsung Electronic



856K4F661612B-TL604M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissanceSamsung Electronic
857K4F661612CRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
858K4F661612C-LRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
859K4F661612C-TCRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
860K4F661612C-TC454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
861K4F661612C-TC504M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
862K4F661612C-TC604M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
863K4F661612C-TL454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissanceSamsung Electronic
864K4F661612C-TL504M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissanceSamsung Electronic
865K4F661612C-TL604M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissanceSamsung Electronic
866K4F661612D, K4F641612DRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
867K4F661612D, K4F641612DRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
868K4F661612E, K4F641612ERAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
869K4F661612E, K4F641612ERAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
870K4G323222A512K x 32Bit X fiche technique 2 de banques graphique synchrone de RAMSamsung Electronic
871K4G323222A-PC/L4532Mbit SGRAMSamsung Electronic
872K4G323222A-PC/L5032Mbit SGRAMSamsung Electronic
873K4G323222A-PC/L6032Mbit SGRAMSamsung Electronic
874K4G323222A-PC/L7032Mbit SGRAMSamsung Electronic
875K4G323222A-PC/L7C32Mbit SGRAMSamsung Electronic
876K4G323222A-QC/L4532Mbit SGRAMSamsung Electronic
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878K4G323222A-QC/L6032Mbit SGRAMSamsung Electronic
879K4G323222A-QC/L7032Mbit SGRAMSamsung Electronic
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900K4H1G0438D-TCA2128CMb DDR SDRAMSamsung Electronic

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