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Les fiches techniques ont trouvé :: 10329

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
9001	MC56U064HACA	Spécifications De MultiMediaCard	Samsung Electronic
9002	MC56U064NACA	Spécifications De MultiMediaCard	Samsung Electronic
9003	MC56U064NACA	Spécifications De MultiMediaCard	Samsung Electronic
9004	MC56U128HACA	Spécifications De MultiMediaCard	Samsung Electronic
9005	MC56U128HACA	Spécifications De MultiMediaCard	Samsung Electronic
9006	MC56U128NACA	Spécifications De MultiMediaCard	Samsung Electronic
9007	MC56U128NACA	Spécifications De MultiMediaCard	Samsung Electronic
9008	MC56U256HACA	Spécifications De MultiMediaCard	Samsung Electronic
9009	MC56U256HACA	Spécifications De MultiMediaCard	Samsung Electronic
9010	MC56U256NACA	Spécifications De MultiMediaCard	Samsung Electronic
9011	MC56U256NACA	Spécifications De MultiMediaCard	Samsung Electronic
9012	MC56U512HACA	Spécifications De MultiMediaCard	Samsung Electronic
9013	MC56U512HACA	Spécifications De MultiMediaCard	Samsung Electronic
9014	MC56U512NACA	Spécifications De MultiMediaCard	Samsung Electronic
9015	MC56U512NACA	Spécifications De MultiMediaCard	Samsung Electronic
9016	MJD127	Transistor PNP Darlington pour un gain élevé de courant continu 100V, 8A	Samsung Electronic
9017	MJD127-1	Transistor PNP Darlington pour un gain élevé de courant continu 100V, 8A	Samsung Electronic
9018	MJE170	-60 V, -3 A, le transistor PNP épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9019	MJE171	-80 V, A -1, transistor PNP épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9020	MJE172	-100 V, A -1, transistor PNP épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9021	MJE180	60 V, 3 A, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9022	MJE181	60 V, 3 A, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9023	MJE182	60 V, 3 A, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9024	MJE200	40 V, 5 A, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9025	MJE210	-40 V, -5 A, le transistor PNP épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9026	MJE2955T	V -70, -10 A, le transistor PNP de silicium	Samsung Electronic
9027	MJE3055T	70 V, 10 transistor de silicium A, NPN	Samsung Electronic
9028	MJE340	300 V, 500 A, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9029	MJE350	V -300, -500 A, le transistor épitaxiale de silicium PNP	Samsung Electronic
9030	MJE700	V -60, -4 A, épitaxiée de silicium NPN transistor Darlington	Samsung Electronic
9031	MJE701	V -60, -4 A, épitaxiée de silicium NPN transistor Darlington	Samsung Electronic
9032	MJE702	V -60, -4 A, épitaxiée de silicium NPN transistor Darlington	Samsung Electronic
9033	MJE703	V -60, -4 A, épitaxiée de silicium NPN transistor Darlington	Samsung Electronic
9034	MJE800	60 V, 5 A, silicium épitaxiale transistor NPN Darlington	Samsung Electronic
9035	MJE801	60 V, 5 A, silicium épitaxiale transistor NPN Darlington	Samsung Electronic
9036	MJE802	60 V, 5 A, silicium épitaxiale transistor NPN Darlington	Samsung Electronic
9037	MJE803	60 V, 5 A, silicium épitaxiale transistor NPN Darlington	Samsung Electronic
9038	MMBA811C5	PNP (TRANSISTOR DE CONDUCTEUR)	Samsung Electronic
9039	MMBA811C6	TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP	Samsung Electronic
9040	MMBA811C7	PNP (TRANSISTOR DE CONDUCTEUR)	Samsung Electronic
9041	MMBA811C8	PNP (TRANSISTOR DE CONDUCTEUR)	Samsung Electronic
9042	MMBA812M3	PNP (TRANSISTOR TOUT USAGE)	Samsung Electronic
9043	MMBA812M4	PNP (TRANSISTOR TOUT USAGE)	Samsung Electronic
9044	MMBA812M5	PNP (TRANSISTOR TOUT USAGE)	Samsung Electronic
9045	MMBA812M6	Transistor PLANAIRE ÉPITAXIAL De But de PNP TRANSISTOR(General)	Samsung Electronic
9046	MMBA812M7	PNP (TRANSISTOR TOUT USAGE)	Samsung Electronic
9047	MMBAB11C6	PNP (TRANSISTOR DE CONDUCTEUR)	Samsung Electronic
9048	MMBC1009F1	TRANSISTOR D'CAmplificateur D'CAm/fm RF	Samsung Electronic
9049	MMBC1009F2	NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur D'CAm/fm RF)	Samsung Electronic
9050	MMBC1009F3	NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur D'CAm/fm RF)	Samsung Electronic
9051	MMBC1009F4	NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur D'CAm/fm RF)	Samsung Electronic
9052	MMBC1009F5	NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur D'CAm/fm RF)	Samsung Electronic
9053	MMBC1622D6	NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur)	Samsung Electronic
9054	MMBC1622D7	NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur)	Samsung Electronic
9055	MMBC1622D8	40 V, 100 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9056	MMBC1622DF	NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur)	Samsung Electronic
9057	MMBC1623L3	NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur)	Samsung Electronic

9058	MMBC1623L4	NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur)	Samsung Electronic
9059	MMBC1623L5	NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur)	Samsung Electronic
9060	MMBC1623L6	50 V, 100 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9061	MMBC1623L7	NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur)	Samsung Electronic
9062	MMBC1626L6	NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur)	Samsung Electronic
9063	MMBR5179	TRANSISTOR D'AMPLIFICATEUR DE RF	Samsung Electronic
9064	MMBT2222	, 600 MA, le transistor NPN 60 V épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9065	MMBT2907	, 600 MA, le transistor de silicium épitaxiale 60 V PNP	Samsung Electronic
9066	MMBT3903	NPN (TRANSISTOR TOUT USAGE)	Samsung Electronic
9067	MMBT4123	NPN (TRANSISTOR TOUT USAGE)	Samsung Electronic
9068	MMBT4124	30 V, 200 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9069	MMBT4125	PNP (TRANSISTOR TOUT USAGE)	Samsung Electronic
9070	MMBT4126	V -25, -200 Ma, transistor PNP épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9071	MMBT5086	PNP (BAS TRANSISTOR DE BRUIT)	Samsung Electronic
9072	MMBT5087	50 V, 50 mA, le transistor épitaxiale de silicium PNP	Samsung Electronic
9073	MMBT5088	35 V, 50 Ma, transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9074	MMBT5089	30 V, 50 Ma, transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9075	MMBT5550	160 V, 600 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9076	MMBT6427	40 V, 500 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9077	MMBT6428	, 200 MA, le transistor NPN 60 V épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9078	MMBT6429	NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur)	Samsung Electronic
9079	MMBTA70	PNP (TRANSISTOR D'CAmplificateur)	Samsung Electronic
9080	MPS2222	, 600 MA, le transistor NPN 60 V épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9081	MPS2222A	75 V, 600 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9082	MPS2907	, 600 MA, le transistor de silicium épitaxiale 60 V PNP	Samsung Electronic
9083	MPS2907A	PNP (TRANSISTOR TOUT USAGE)	Samsung Electronic
9084	MPS3702	40 V, 600 mA, le transistor épitaxiale de silicium PNP	Samsung Electronic
9085	MPS3703	50 V, 600 mA, le transistor épitaxiale de silicium PNP	Samsung Electronic
9086	MPS3704	50 V, 600 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9087	MPS3705	50 V, 600 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9088	MPS3706	40 V, 600 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9089	MPS4249	PNP (TRANSISTOR D'CAmplificateur)	Samsung Electronic
9090	MPS4250	Transistor de silicium épitaxiale 40 V PNP	Samsung Electronic
9091	MPS4250A	PNP (TRANSISTOR D'CAmplificateur)	Samsung Electronic
9092	MPS5172	25 V, 100 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9093	MPS5179	20 V, 50 Ma, transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9094	MPS6513	30 V, 100 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9095	MPS6517	40 V, 100 mA, le transistor épitaxiale de silicium PNP	Samsung Electronic
9096	MPS6520	40 V, 100 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9097	MPS6521	40 V, 100 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic
9098	MPS6522	25 V, 100 mA, le transistor épitaxiale de silicium PNP	Samsung Electronic
9099	MPS6523	25 V, 100 mA, le transistor épitaxiale de silicium PNP	Samsung Electronic
9100	MPS6560	25 V, 500 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium	Samsung Electronic

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