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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
10501M29W641DU90ZA1T64 Mbit 4Mb x16, Uniforme bloc mémoire flash 3VSGS Thomson Microelectronics
10502M29W641DU90ZA6E64 Mbit 4Mb x16, Uniforme bloc mémoire flash 3VSGS Thomson Microelectronics
10503M29W641DU90ZA6F64 Mbit 4Mb x16, Uniforme bloc mémoire flash 3VSGS Thomson Microelectronics
10504M29W641DU90ZA6T64 Mbit 4Mb x16, Uniforme bloc mémoire flash 3VSGS Thomson Microelectronics
10505M29W800ABmémoire simple d'instantané d'approvisionnement de basse tension de 8 Mbit (1Mb x8 ou 512Kb x16, bloc de botte)SGS Thomson Microelectronics
10506M29W800ABMÉMOIRE SIMPLE D'CInstantané D'CApprovisionnement DE BASSE TENSION DE 8 MBIT (1MB X8 OU 512KB X16, BLOC DE BOTTE)SGS Thomson Microelectronics
10507M29W800AB100M18 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10508M29W800AB100M1T8 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10509M29W800AB100N18 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10510M29W800AB120M18 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10511M29W800AB120N18 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10512M29W800AB120N68 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10513M29W800AB120N6T8 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10514M29W800AB80N18 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10515M29W800AB90M18 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10516M29W800AB90N18 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10517M29W800AB90N1T8 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10518M29W800AB90N68 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10519M29W800AB90N6T8 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10520M29W800ATMÉMOIRE SIMPLE D'CInstantané D'CApprovisionnement DE BASSE TENSION DE 8 MBIT (1MB X8 OU 512KB X16, BLOC DE BOTTE)SGS Thomson Microelectronics
10521M29W800ATmémoire simple d'instantané d'approvisionnement de basse tension de 8 Mbit (1Mb x8 ou 512Kb x16, bloc de botte)SGS Thomson Microelectronics
10522M29W800AT100N18 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10523M29W800AT120M18 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10524M29W800AT120N18 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10525M29W800AT90M18 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10526M29W800AT90M68 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10527M29W800AT90N18 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10528M29W800AT90N1T8 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10529M29W800AT90N68 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10530M29W800AT90N6T8 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) à basse tension UNIQUE DE MEMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10531M29W800BPAS POUR LA NOUVELLE CONCEPTION - MÉMOIRE SIMPLE D'CInstantané D'CApprovisionnement DE BASSE TENSION DE 8 MBIT (1MB X8 OU 512KB X16, BLOC DE BOTTE)SGS Thomson Microelectronics
10532M29W800Bmémoire simple d'instantané d'approvisionnement de basse tension de 8 Mbit (1Mb x8 ou 512Kb x16, bloc de botte)SGS Thomson Microelectronics
10533M29W800DB8 MÉMOIRE D'CInstantané DE L'CApprovisionnement DE MBIT (1MB X8 OU 512KB X16, BLOC DE BOTTE) 3CVSGS Thomson Microelectronics
10534M29W800DB70M68 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10535M29W800DB70N18 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10536M29W800DB70N3T8 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10537M29W800DB70N68 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10538M29W800DB70N6E8 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10539M29W800DB70N6T8 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10540M29W800DB90N18 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10541M29W800DB90N1T8 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10542M29W800DB90N6T8 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10543M29W800DT8 MÉMOIRE D'CInstantané DE L'CApprovisionnement DE MBIT (1MB X8 OU 512KB X16, BLOC DE BOTTE) 3CVSGS Thomson Microelectronics
10544M29W800DT70M68 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10545M29W800DT70N18 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10546M29W800DT70N1T8 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10547M29W800DT70N68 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10548M29W800DT70N6E8 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10549M29W800DT70N6T8 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10550M29W800DT90N18 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10551M29W800DT90N68 Mbit (1MB X8 OU 512 Ko X16, bloc d'amorçage) 3V MÉMOIRE FLASHSGS Thomson Microelectronics
10552M29W800TPAS POUR LA NOUVELLE CONCEPTION - MÉMOIRE SIMPLE D'CInstantané D'CApprovisionnement DE BASSE TENSION DE 8 MBIT (1MB X8 OU 512KB X16, BLOC DE BOTTE)SGS Thomson Microelectronics
10553M29W800Tmémoire simple d'instantané d'approvisionnement de basse tension de 8 Mbit (1Mb x8 ou 512Kb x16, bloc de botte)SGS Thomson Microelectronics
10554M3004LAB1ÉMETTEUR DE TÉLÉCOMMANDESGS Thomson Microelectronics
10555M3004LAB1ÉMETTEUR DE TÉLÉCOMMANDESGS Thomson Microelectronics
10556M3004LDÉMETTEUR DE TÉLÉCOMMANDESGS Thomson Microelectronics
10557M3004LDÉMETTEUR DE TÉLÉCOMMANDESGS Thomson Microelectronics
10558M34116CIRCUIT DE CONFÉRENCE TÉLÉPHONIQUE DE PCM ET DE GÉNÉRATION DE TONALITÉSGS Thomson Microelectronics
10559M34116B1CIRCUIT DE CONFÉRENCE TÉLÉPHONIQUE DE PCM ET DE GÉNÉRATION DE TONALITÉSGS Thomson Microelectronics
10560M34116C1CIRCUIT DE CONFÉRENCE TÉLÉPHONIQUE DE PCM ET DE GÉNÉRATION DE TONALITÉSGS Thomson Microelectronics
10561M3488MATRICE DE COMMUTATION de 256 x de 256 DIGITALSGS Thomson Microelectronics
10562M3488B1MATRICE DE COMMUTATION De 256 X 256 DIFGITALSGS Thomson Microelectronics
10563M3488Q1MATRICE DE COMMUTATION De 256 X 256 DIFGITALSGS Thomson Microelectronics
10564M3493B1CMOS 12 X 8 CROSSPOINTWITH contrôle de la mémoireSGS Thomson Microelectronics
10565M3493B2CMOS 12 X CROISEMENT 8 AVEC De la MÉMOIRE De COMMANDESGS Thomson Microelectronics
10566M3494V (dd): -0,5 à 14V; V (en): -0,5 à + 0,5 V; CMOS 16 x 8 points de connexion avec la mémoire de commandeSGS Thomson Microelectronics
10567M3494B1V (dd): -0,5 à + 14V; V (en): -0,5 à + 0,5 V; 1W; CMOS 16 x 8 points de connexion avec la mémoire de commandeSGS Thomson Microelectronics
10568M3494B2V (dd): -0,5 à + 14V; V (en): -0,5 à + 0,5 V; 1W; CMOS 16 x 8 points de connexion avec la mémoire de commandeSGS Thomson Microelectronics
10569M34A022 KBIT SMBUS PÉRIODIQUE EEPROM POUR LA CONFIGURATION DE CARTE D'CAcrSGS Thomson Microelectronics



10570M34A02-V2 KBIT SMBUS PÉRIODIQUE EEPROM POUR LA CONFIGURATION DE CARTE D'CAcrSGS Thomson Microelectronics
10571M34C00AUTOBUS EN SÉRIE PAR BIT EEPROM De 3 X 128 I2C POUR Des Ee-étiquettesSGS Thomson Microelectronics
10572M34C00-WAUTOBUS EN SÉRIE PAR BIT EEPROM De 3 X 128 I2C POUR Des Ee-étiquettesSGS Thomson Microelectronics
10573M34C02L'Autobus Périodique EEPROM d'cIc De 2 Kbit Pour La Présence Périodique de DIMM DétectentSGS Thomson Microelectronics
10574M34C022 L'CAutobus PÉRIODIQUE EEPROM DE KBIT I2C POUR LA PRÉSENCE PÉRIODIQUE DE DIMM DÉTECTENTSGS Thomson Microelectronics
10575M34C02-L2 L'CAutobus PÉRIODIQUE EEPROM DE KBIT I2C POUR LA PRÉSENCE PÉRIODIQUE DE DIMM DÉTECTENTSGS Thomson Microelectronics
10576M34C02-R2 L'CAutobus PÉRIODIQUE EEPROM DE KBIT I2C POUR LA PRÉSENCE PÉRIODIQUE DE DIMM DÉTECTENTSGS Thomson Microelectronics
10577M34C02-W2 L'CAutobus PÉRIODIQUE EEPROM DE KBIT I2C POUR LA PRÉSENCE PÉRIODIQUE DE DIMM DÉTECTENTSGS Thomson Microelectronics
10578M34D3264/32 autobus périodique EEPROM d'cIc de Kbit avec le matériel écrivent la commande sur le quart supérieur de la mémoireSGS Thomson Microelectronics
10579M34D6464 L'CAutobus PÉRIODIQUE EEPROM DE KBIT I2C AVEC LE MATÉRIEL ÉCRIVENT LA COMMANDE SUR LE QUART SUPÉRIEUR DE LA MÉMOIRESGS Thomson Microelectronics
10580M34D6464/32 autobus périodique EEPROM d'cIc de Kbit avec le matériel écrivent la commande sur le quart supérieur de la mémoireSGS Thomson Microelectronics
10581M34D64-W64 L'CAutobus PÉRIODIQUE EEPROM DE KBIT I2C AVEC LE MATÉRIEL ÉCRIVENT LA COMMANDE SUR LE QUART SUPÉRIEUR DE LA MÉMOIRESGS Thomson Microelectronics
10582M34S3232K autobus EEPROM de la publication périodique I 2 C avec le bloc fixe défini pour l'utilisateur et la page de 32-Byte OTPSGS Thomson Microelectronics
10583M350808 Autobus Périodique EEPROM De Kbit SPI Avec Les Registres Par accroissementSGS Thomson Microelectronics
10584M3510113,56 MÉGAHERTZ, OIN 14443, MORCEAU DE MÉMOIRE SANS CONTACT 2048-bit EEPROMSGS Thomson Microelectronics
10585M35101Morceau De Mémoire Sans contact 13,56 Mégahertz, 2048-bit Résistance Élevée EEPROMSGS Thomson Microelectronics
10586M3510213,56 MÉGAHERTZ, OIN 14443, MORCEAU DE MÉMOIRE SANS CONTACT 2048-bit EEPROM AVEC L'CIdentification UNIQUE DE PUBLICATION PÉRIODIQUE 64-bitSGS Thomson Microelectronics
10587M35102Mémoire sans contact avec l'identification unique 64-bit de publication périodique 13,56 mégahertz, 2048-bit résistance élevée EEPROMSGS Thomson Microelectronics
10588M36DR232MÉMOIRE INSTANTANÉE DE 32 MBIT (2MB X16, BANQUE DUELLE, PAGE) ET 2 MBIT (128CK X16) SRAM, PRODUIT DE MÉMOIRE MULTIPLESGS Thomson Microelectronics
10589M36DR432AMÉMOIRE INSTANTANÉE DE 32 MBIT (2MB X16, BANQUE DUELLE, PAGE) ET 4 MBIT (256CK X16) SRAM, PRODUIT DE MÉMOIRE MULTIPLESGS Thomson Microelectronics
10590M36DR432A100ZA6C32 Mbit 2Mb x16, Dual Banque, la page de mémoire Flash et 4 Mbit 256K x16 SRAM, mémoire multiple produitSGS Thomson Microelectronics
10591M36DR432A100ZA6T32 Mbit 2Mb x16, Dual Banque, la page de mémoire Flash et 4 Mbit 256K x16 SRAM, mémoire multiple produitSGS Thomson Microelectronics
10592M36DR432A120ZA6C32 Mbit 2Mb x16, Dual Banque, la page de mémoire Flash et 4 Mbit 256K x16 SRAM, mémoire multiple produitSGS Thomson Microelectronics
10593M36DR432A120ZA6T32 Mbit 2Mb x16, Dual Banque, la page de mémoire Flash et 4 Mbit 256K x16 SRAM, mémoire multiple produitSGS Thomson Microelectronics
10594M36DR432AD32 MBIT (2 Mo X16, à deux rangées, PAGE) MÉMOIRE FLASH ET 4 Mbit (256 Ko X16) SRAM, mémoire multiple PRODUITSSGS Thomson Microelectronics
10595M36DR432AD10ZA6T32 Mbit 2Mb x16, Dual Banque, la page de mémoire Flash et 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, mémoire multiple produitSGS Thomson Microelectronics
10596M36DR432AD12ZA6T32 Mbit 2Mb x16, Dual Banque, la page de mémoire Flash et 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, mémoire multiple produitSGS Thomson Microelectronics
10597M36DR432AD85ZA6T32 Mbit 2Mb x16, Dual Banque, la page de mémoire Flash et 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, mémoire multiple produitSGS Thomson Microelectronics
10598M36DR432BMÉMOIRE INSTANTANÉE DE 32 MBIT (2MB X16, BANQUE DUELLE, PAGE) ET 4 MBIT (256CK X16) SRAM, PRODUIT DE MÉMOIRE MULTIPLESGS Thomson Microelectronics
10599M36DR432B100ZA6C32 Mbit 2Mb x16, Dual Banque, la page de mémoire Flash et 4 Mbit 256K x16 SRAM, mémoire multiple produitSGS Thomson Microelectronics
10600M36DR432B100ZA6T32 Mbit 2Mb x16, Dual Banque, la page de mémoire Flash et 4 Mbit 256K x16 SRAM, mémoire multiple produitSGS Thomson Microelectronics

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