| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 101 | BA887 | Diode de GOUPILLE De Silicium | Siemens |
| 102 | BA887 | Diode de GOUPILLE De Silicium | Siemens |
| 103 | BA892 | Diode de commutation RF Silicon | Siemens |
| 104 | BAR14 | Diodes de GOUPILLE De Silicium | Siemens |
| 105 | BAR17 | Diode de GOUPILLE De Silicium | Siemens |
| 106 | BAR17 | Diode de GOUPILLE De Silicium | Siemens |
| 107 | BAR60 | Diodes de GOUPILLE de silicium (atténuateur de commutateur rf de rf pour des fréquences au-dessus de 10 mégahertz) | Siemens |
| 108 | BAR60 | Diodes de GOUPILLE de silicium (atténuateur de commutateur rf de rf pour des fréquences au-dessus de 10 mégahertz) | Siemens |
| 109 | BAR61 | Diodes de GOUPILLE de silicium (atténuateur de commutateur rf de rf pour des fréquences au-dessus de 10 mégahertz) | Siemens |
| 110 | BAR63 | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 111 | BAR63-02W | Diode de GOUPILLE de silicium (diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse des signaux de rf, de la basse résistance vers l'avant, inductance de petite capacité de la petite) | Siemens |
| 112 | BAR63-03 | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 113 | BAR63-03W | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 114 | BAR63-04 | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 115 | BAR63-04W | Diode de GOUPILLE de silicium (diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse capacité très basse vers l'avant de résistance de signal de rf de la basse pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 116 | BAR63-05 | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 117 | BAR63-05W | Diode de GOUPILLE de silicium (diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse capacité très basse vers l'avant de résistance de signal de rf de la basse pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 118 | BAR63-06 | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 119 | BAR63-06W | Diode de GOUPILLE de silicium (diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse capacité très basse vers l'avant de résistance de signal de rf de la basse pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 120 | BAR63-W | Diode de GOUPILLE de silicium (diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse capacité très basse vers l'avant de résistance de signal de rf de la basse pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 121 | BAR64 | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de Freqency de swirches au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
| 122 | BAR64-02 | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de fréquence de commutateurs au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
| 123 | BAR64-02W | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de fréquence de commutateurs au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
| 124 | BAR64-03 | Diode de GOUPILLE De Silicium | Siemens |
| 125 | BAR64-03W | Diode de GOUPILLE De Silicium | Siemens |
| 126 | BAR64-04 | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de Freqency de swirches au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
| 127 | BAR64-04W | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de fréquence de commutateurs au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
| 128 | BAR64-05 | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de Freqency de swirches au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
| 129 | BAR64-05W | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de fréquence de commutateurs au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
| 130 | BAR64-06 | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de Freqency de swirches au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
| 131 | BAR64-06W | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de fréquence de commutateurs au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
| 132 | BAR64-07 | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de Freqency de swirches au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
| 133 | BAR64-W | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de fréquence de commutateurs au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
| 134 | BAR65-02 | Données préliminaires de diode de commutation du silicium rf (bas passage de bande de Goupille-diode de perte/bas de capacité pour des TV-tuners) | Siemens |
| 135 | BAR65-02W | Données préliminaires de diode de commutation du silicium rf (basse perte, bas passage de bande de Goupille-diode de capacité pour des TV-tuners) | Siemens |
| 136 | BAR65-03 | Diode préliminaire de commutation du silicium rf de données (bas passage de bande de Goupille-diode de perte/bas de capacité pour des TV-tuners) | Siemens |
| 137 | BAR65-03W | Diode préliminaire de commutation du silicium rf de données (basse perte, bas passage de bande de Goupille-diode de capacité pour des TV-tuners) | Siemens |
| 138 | BAR65-07 | Données préliminaires de diode de commutation du silicium rf (basse perte, bas passage de bande de Goupille-Diode de capacité pour des TV-tuners) | Siemens |
| 139 | BAR66 | Rangée de diode de GOUPILLE de silicium (diodes de GOUPILLE de dispositif deux de protection de montée subite, configuration de série) | Siemens |
| 140 | BAR74 | Diode de commutation de silicium (pour la commutation élevée de vitesse) | Siemens |
| 141 | BAR80 | Diode de commutation du silicium rf (conception pour l'usage dans perte d'insertion de shunt d'isolement de signal de shunt de Hight de configuration de shunt la basse) | Siemens |
| 142 | BAR81 | Diode préliminaire de commutation du silicium rf de données (conception pour l'usage dans perte d'insertion de shunt de shunt de configuration de shunt la basse d'isolement élevé de signal) | Siemens |
| 143 | BAR81W | Données préliminaires de diode de commutation du silicium rf (conception pour l'usage dans perte d'insertion de shunt de shunt de configuration de shunt la basse d'isolement élevé de signal) | Siemens |
| 144 | BAR99 | Diode de commutation de silicium (pour la commutation élevée de vitesse) | Siemens |
| 145 | BAS116 | Basse diode de fuite de silicium (la commutation moyenne de vitesse d'applications de Bas-fuite chronomètre la diode simple) | Siemens |
| 146 | BAS125 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
| 147 | BAS125-04 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
| 148 | BAS125-04W | Diodes préliminaires de Schottky de silicium de données (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et l'application de retenue) | Siemens |
| 149 | BAS125-05 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
| 150 | BAS125-05W | Diodes préliminaires de Schottky de silicium de données (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et l'application de retenue) | Siemens |
| 151 | BAS125-06 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
| 152 | BAS125-06W | Diodes préliminaires de Schottky de silicium de données (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et l'application de retenue) | Siemens |
| 153 | BAS125-07 | Diode de Schottky de silicium (pour la protection low-loss/rapide-rétablissement/mètre/l'isolement et applications polarisés de retenue) | Siemens |
| 154 | BAS125-07W | Diode de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
| 155 | BAS125W | Diodes préliminaires de Schottky de silicium de données (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et l'application de retenue) | Siemens |
| 156 | BAS140 | Diode de Schottky de silicium (diodes tout usage pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
| 157 | BAS140W | Diode de Schottky de silicium (diodes tout usage pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
| 158 | BAS16 | Diode de commutation de silicium (pour la commutation élevée de vitesse) | Siemens |
| 159 | BAS16-02W | Données préliminaires de diode de commutation de silicium (pour des applications élevées de commutation de vitesse) | Siemens |
| 160 | BAS16-03W | Données préliminaires de diode de commutation de silicium (pour des applications élevées de commutation de vitesse) | Siemens |
| 161 | BAS16S | Rangée de diode de commutation de silicium (pour les diodes d'isolement (galvaniques) internes de vitesse d'applications élevées de commutation en un paquet) | Siemens |
| 162 | BAS16W | Diode de commutation de silicium (pour des applications à grande vitesse de commutation) | Siemens |
| 163 | BAS170 | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 164 | BAS170W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 165 | BAS19 | Diodes de commutation de silicium (vitesse élevée, commutateur à haute tension) | Siemens |
| 166 | BAS20 | Diodes de commutation de silicium (vitesse élevée, commutateur à haute tension) | Siemens |
| 167 | BAS21 | Diodes de commutation de silicium (vitesse élevée, commutateur à haute tension) | Siemens |
| 168 | BAS28 | Rangée de diode de commutation de silicium (pour de hautes diodes électriquement isolées de commutation de vitesse) | Siemens |
| 169 | BAS28W | Rangée de diode de commutation de silicium (pour les diodes isolées électriques de vitesse d'applications élevées de commutation) | Siemens |
| 170 | BAS40 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 171 | BAS40 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 172 | BAS40 | Diode de Schottky de silicium de HiRel (HiRel discret et diodes d'usage universel de semi-conducteur de micro-onde pour la protection élevée de circuit de commutation de vitesse) | Siemens |
| 173 | BAS40 | - diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 174 | BAS40 | - diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 175 | BAS40 | - diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 176 | BAS40-04 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 177 | BAS40-04W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 178 | BAS40-05 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 179 | BAS40-05W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 180 | BAS40-06 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 181 | BAS40-06W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 182 | BAS40-07W | Données préliminaires de diode de Schottky de silicium (diode d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 183 | BAS40-T1 | Diode de Schottky de silicium de HiRel (HiRel discret et diodes d'usage universel de semi-conducteur de micro-onde pour la protection élevée de circuit de commutation de vitesse) | Siemens |
| 184 | BAS40W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 185 | BAS70 | - diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
| 186 | BAS70 | Diode de Schottky de silicium de HiRel (HiRel discret et diodes d'usage universel de semi-conducteur de micro-onde pour la commutation élevée de vitesse) | Siemens |
| 187 | BAS70 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
| 188 | BAS70 | - diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
| 189 | BAS70 | - diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
| 190 | BAS70 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
| 191 | BAS70-04 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
| 192 | BAS70-04S | Rangée de diode de Schottky de silicium (diode d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 193 | BAS70-04W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 194 | BAS70-05 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
| 195 | BAS70-05W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 196 | BAS70-06 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
| 197 | BAS70-06S | Rangée de diode de Schottky de silicium (diode d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 198 | BAS70-06W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 199 | BAS70-07W | Diode de Schottky de silicium (diode d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
| 200 | BAS70-T1 | Diode de Schottky de silicium de HiRel (HiRel discret et diodes d'usage universel de semi-conducteur de micro-onde pour la commutation élevée de vitesse) | Siemens |
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