| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 6101 | Q62702-F1572 | Transistor du silicium rf de NPN (pour l'amplificateur à bande large à faible bruit et à gain élevé aux courants de collecteur de 0,5 à 12 mA) | Siemens |
| 6102 | Q62702-F1573 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large à faible bruit et à gain élevé aux courants de collecteur de 1mA à 20mA.) | Siemens |
| 6103 | Q62702-F1574 | Transistor du silicium rf de NPN (pour l'amplificateur à bande large à faible bruit et à gain élevé au courant de colector de 2mA à 28mA) | Siemens |
| 6104 | Q62702-F1575 | Transistor du silicium rf de NPN (pour l'amplificateur de puissance dans des systèmes de DECT et de PCN) | Siemens |
| 6105 | Q62702-F1576 | Bruit du silicium rf Transistor(For de NPN bas, amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne et télécommunications) | Siemens |
| 6106 | Q62702-F1577 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à gain élevé jusqu'à 2GHz pour les amplificateurs à bande large linéaires) | Siemens |
| 6107 | Q62702-F1582 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les oscillateurs, le mélangeur et les étapes d'individu-oscillation de mélangeur dans le TV-tuner À FRÉQUENCE ULTRA-haute) | Siemens |
| 6108 | Q62702-F1586 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (transistor de Court-canal avec le facteur de qualité élevé de S/c) | Siemens |
| 6109 | Q62702-F1587 | TÉTRODE de transistor MOSFET de N-canal de SILICIUM (pour l'entrée à faible bruit et gagner-commandée met en scène jusqu'à 1 gigahertz) | Siemens |
| 6110 | Q62702-F1590 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs de puissance moyens) | Siemens |
| 6111 | Q62702-F1591 | Transistor du silicium rf de NPN (pour de bas amplificateurs de bruit de gain élevé pour des oscillateurs jusqu'à 10 gigahertz) | Siemens |
| 6112 | Q62702-F1592 | Transistor du silicium rf de NPN (pour de basses demandes courantes d'oscillateurs jusqu'à 12 gigahertz) | Siemens |
| 6113 | Q62702-F1594 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 2 mA à 28 mA) | Siemens |
| 6114 | Q62702-F1601 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 1mA à 20mA) | Siemens |
| 6115 | Q62702-F1611 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à faible bruit jusqu'à 2GHz aux courants de collecteur de 0,5 mA à 20 mA.) | Siemens |
| 6116 | Q62702-F1613 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, le gain élevé a commandé des étapes d'entrée jusqu'au réseau polarisé stabilisé intégré par V de la tension 9 de fonctionnement de 1GHz | Siemens |
| 6117 | Q62702-F1627 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'au réseau polarisé stabilisé intégré par 5V de tension de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 6118 | Q62702-F1628 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'au réseau polarisé intégré par 9V de tension de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 6119 | Q62702-F1645 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large jusqu'au 1GHz aux courants de collecteur de 1mA à 20mA) | Siemens |
| 6120 | Q62702-F1645 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large jusqu'au 1GHz aux courants de collecteur de 1mA à 20mA) | Siemens |
| 6121 | Q62702-F1665 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'au réseau polarisé stabilisé intégré par 5V de tension de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 6122 | Q62702-F1681 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les amplificateurs à bande large jusqu'à 2GHz aux courants de collecteur jusqu'à 20mA) | Siemens |
| 6123 | Q62702-F1685 | De NPN transistor du silicium rf (pour le bas de bruit, amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 0.5mA à 12mA) | Siemens |
| 6124 | Q62702-F1771 | Tétrode de Transistor MOSFET De la Manche Du Silicium N | Siemens |
| 6125 | Q62702-F1772 | Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (le transistor de Court-canal avec le facteur de qualité élevé de S/c pour l'entrée à faible bruit et gagner-commandée met en scène jusqu'à 1 gigahertz) | Siemens |
| 6126 | Q62702-F1773 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'à la tension 5V de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 6127 | Q62702-F1774 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'à la tension 5V de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 6128 | Q62702-F1775 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'à la tension 5V de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 6129 | Q62702-F1776 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'à la tension 5V de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 6130 | Q62702-F1794 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas amplificateur de bruit du gain le plus élevé à 1,8 gigahertz et 2 V) mA/2 | Siemens |
| 6131 | Q62702-F182 | Transistors d'effet de champ de jonction de N-Canal | Siemens |
| 6132 | Q62702-F205 | Transistors d'effet de champ de jonction de N-Canal | Siemens |
| 6133 | Q62702-F209 | Transistors d'effet de champ de jonction de N-Canal | Siemens |
| 6134 | Q62702-F219 | TRANSISTORS D'Effet de champ de JONCTION De N-canal | Siemens |
| 6135 | Q62702-F236 | Transistors d'effet de champ de jonction de N-Canal | Siemens |
| 6136 | Q62702-F250 | TRANSISTORS D'Effet de champ de JONCTION De N-canal | Siemens |
| 6137 | Q62702-F254 | TRANSISTORS D'Effet de champ de JONCTION De N-canal | Siemens |
| 6138 | Q62702-F296 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN POUR L'CAmplificateur À BANDE LARGE DE RF | Siemens |
| 6139 | Q62702-F311 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE PNP | Siemens |
| 6140 | Q62702-F315 | TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6141 | Q62702-F316 | TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6142 | Q62702-F317 | TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6143 | Q62702-F319 | TRANSISTOR À BANDE LARGE DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6144 | Q62702-F320 | TRANSISTOR À BANDE LARGE DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6145 | Q62702-F321 | TRANSISTORS À BANDE LARGE DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6146 | Q62702-F346-S1 | TRANSISTOR de SILICIUM de NPN POUR LES AMPLIFICATEURS À BANDE LARGE de Rf À faible bruit | Siemens |
| 6147 | Q62702-F347-S1 | TRANSISTOR de SILICIUM de NPN POUR LES AMPLIFICATEURS À BANDE LARGE de Rf À faible bruit ET LES APPLICATIONS de COMMUTATION Élevées De Vitesse | Siemens |
| 6148 | Q62702-F348 | transistor du silicium rf de npn | Siemens |
| 6149 | Q62702-F349 | transistor du silicium rf de npn | Siemens |
| 6150 | Q62702-F35 | TRIODE de transistor MOSFET de la MANCHE du SILICIUM N (pour les étapes à haute fréquence jusqu'à 300 mégahertz, de préférence dans des possibilités élevées de surcharge d'applications de FM) | Siemens |
| 6151 | Q62702-F350 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6152 | Q62702-F354 | Transistor Du Silicium Rf de NPN | Siemens |
| 6153 | Q62702-F365 | TRANSISTOR À BANDE LARGE DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6154 | Q62702-F390 | TRANSISTOR À BANDE LARGE DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6155 | Q62702-F393 | TRANSISTORS D'Effet de champ de JONCTION De N-canal | Siemens |
| 6156 | Q62702-F395 | TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6157 | Q62702-F396 | TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6158 | Q62702-F408 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 6159 | Q62702-F414 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
| 6160 | Q62702-F42 | Transistor du silicium rf de NPN (pour des applications d'amplificateur et d'oscillateur dans des TV-tuners) | Siemens |
| 6161 | Q62702-F456 | TRANSISTORS À BANDE LARGE DE SILICIUM EXTRÊMEMENT BAS DU BRUIT NPN | Siemens |
| 6162 | Q62702-F457 | TRANSISTORS À BANDE LARGE DE SILICIUM EXTRÊMEMENT BAS DU BRUIT NPN | Siemens |
| 6163 | Q62702-F494 | TRANSISTOR À MICRO-ondes DE SILICIUM DE NPN JUSQU'À 2CGcHz | Siemens |
| 6164 | Q62702-F495 | Transistors De Silicium de NPN Avec La Tension Inverse Élevée (Transistors De Silicium de NPN Avec La Tension Inverse Élevée) | Siemens |
| 6165 | Q62702-F496 | Transistors de silicium de PNP (tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de tension claque basse) | Siemens |
| 6166 | Q62702-F497 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
| 6167 | Q62702-F498 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 6168 | Q62702-F500 | TRANSISTOR de SILICIUM de NPN POUR LES AMPLIFICATEURS À BANDE LARGE de Rf À faible bruit ET LES APPLICATIONS de COMMUTATION Élevées De Vitesse | Siemens |
| 6169 | Q62702-F503 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 6170 | Q62702-F506 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 6171 | Q62702-F507 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
| 6172 | Q62702-F513 | TRANSISTOR À BANDE LARGE DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6173 | Q62702-F517 | Transistor du silicium rf de NPN (pour des étapes de VHF de base à faible bruit et commune et de FM) | Siemens |
| 6174 | Q62702-F527 | BAS TRANSISTOR À MICRO-ondes DE SILICIUM DU BRUIT NPN JUSQU'À 4CGcHz | Siemens |
| 6175 | Q62702-F528 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 6176 | Q62702-F531 | Transistors De Silicium de NPN Avec La Tension Inverse Élevée (Transistors De Silicium de NPN Avec La Tension Inverse Élevée) | Siemens |
| 6177 | Q62702-F532 | Transistors de silicium de PNP (tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de tension claque basse) | Siemens |
| 6178 | Q62702-F534 | Transistor du silicium rf de PNP (pour des étapes de mélangeur et d'oscillateur de VHF) | Siemens |
| 6179 | Q62702-F542 | transistor du silicium rf de npn | Siemens |
| 6180 | Q62702-F543 | TRANSISTOR À MICRO-ondes DE SILICIUM DE NPN JUSQU'À 2CGcHz | Siemens |
| 6181 | Q62702-F553 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 6182 | Q62702-F571 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6183 | Q62702-F572 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6184 | Q62702-F573 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6185 | Q62702-F574 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6186 | Q62702-F587 | transistor du silicium rf de npn | Siemens |
| 6187 | Q62702-F588 | transistor du silicium rf de npn | Siemens |
| 6188 | Q62702-F589 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 6189 | Q62702-F59 | Transistors Planaires De Silicium de NPN | Siemens |
| 6190 | Q62702-F610 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 6191 | Q62702-F612 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 6192 | Q62702-F621 | Transistors de silicium de NPN (tension claque élevée l basse tension de saturation de collecteur-émetteur) | Siemens |
| 6193 | Q62702-F622 | Transistors de silicium de PNP (tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de tension claque basse) | Siemens |
| 6194 | Q62702-F626 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 6195 | Q62702-F640 | Transistor du silicium rf de NPN (pour des applications de conducteur de filtre de SCIE dans des tuners de TV pour les étapes à bande large linéaires d'amplificateur de VHF) | Siemens |
| 6196 | Q62702-F65 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 6197 | Q62702-F655 | BAS TRANSISTOR du SILICIUM MICROVAVE du BRUIT NPN JUSQU'À 2 Gigahertz | Siemens |
| 6198 | Q62702-F659 | Transistor du silicium rf de NPN (pour à faible bruit SI et amplificateurs à bande large jusqu'à 1 gigahertz aux courants de collecteur de 1 mA à 20 mA.) | Siemens |
| 6199 | Q62702-F66 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 6200 | Q62702-F662 | TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE PNP | Siemens |
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