| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 2801 | GT15M321 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2802 | GT15Q101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2803 | GT15Q102 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2804 | GT15Q301 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2805 | GT15Q311 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2806 | GT20D101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2807 | GT20D201 | APPLICATION BIPOLAIRE ISOLÉE De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM P De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2808 | GT20G101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES d'cInstantané de STROBOSCOPE Du N-canal IGBT de SILICIUM de TRANSISTOR de PORTE | TOSHIBA |
| 2809 | GT20G101(SM) | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES d'cInstantané de STROBOSCOPE Du N-canal IGBT de SILICIUM de TRANSISTOR de PORTE | TOSHIBA |
| 2810 | GT20G101SM | La MANCHE IGBT (APPLICATIONS INSTANTANÉES De N De STROBOSCOPE) | TOSHIBA |
| 2811 | GT20G102 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2812 | GT20G102(SM) | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2813 | GT20G102SM | La MANCHE IGBT (APPLICATIONS INSTANTANÉES De N De STROBOSCOPE) | TOSHIBA |
| 2814 | GT20J101 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 2815 | GT20J121 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2816 | GT20J301 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2817 | GT20J311 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2818 | GT20J321 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée Du Silicium N Chanenel IGBT De Transistor De Porte Commutant Rapidement Des Applications | TOSHIBA |
| 2819 | GT20J341 | IGBT discrets | TOSHIBA |
| 2820 | GT25G101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2821 | GT25G101(SM) | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2822 | GT25G101SM | La MANCHE IGBT (APPLICATIONS INSTANTANÉES De N De STROBOSCOPE) | TOSHIBA |
| 2823 | GT25G102 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2824 | GT25G102(SM) | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2825 | GT25G102SM | La MANCHE IGBT (APPLICATIONS INSTANTANÉES De N De STROBOSCOPE) | TOSHIBA |
| 2826 | GT25J101 | Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 2827 | GT25J102 | Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 2828 | GT25Q101 | Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 2829 | GT25Q102 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 2830 | GT25Q301 | Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 2831 | GT30J101 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 2832 | GT30J121 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Commutant Rapidement Des Applications | TOSHIBA |
| 2833 | GT30J122 | IGBT discrets | TOSHIBA |
| 2834 | GT30J122A | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2835 | GT30J126 | IGBT discrets | TOSHIBA |
| 2836 | GT30J301 | Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 2837 | GT30J311 | Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 2838 | GT30J322 | La MANCHE BIPOLAIRE ISOLÉE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE Les APPLICATIONS COURANTES De COMMUTATION D'cInverseur De RÉSONANCE De 4ÈME GÉNÉRATION | TOSHIBA |
| 2839 | GT30J324 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Commutant Rapidement Des Applications | TOSHIBA |
| 2840 | GT30J341 | IGBT discrets | TOSHIBA |
| 2841 | GT35J321 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2842 | GT35MR21 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2843 | GT40G121 | La Manche Bipolaire Isolée IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Les Applications Courantes De Commutation D'Inverseur De Résonance De 4ème Génération | TOSHIBA |
| 2844 | GT40J121 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2845 | GT40J321 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2846 | GT40J322 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2847 | GT40J325 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2848 | GT40M101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE Du CHANNEL IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2849 | GT40M301 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De TYPE De MOS De la MANCHE Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2850 | GT40Q321 | L'Injection A augmenté L'Application De Commutation D'Inverseur De Résonance De Tension De la Manche IEGT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 2851 | GT40Q322 | Application De Commutation D'Inverseur De Résonance DeTension | TOSHIBA |
| 2852 | GT40QR21 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2853 | GT40RR21 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2854 | GT40T101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De TYPE De MOS De la MANCHE Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2855 | GT40T301 | Applications Parallèles Bipolaires Isolées De Commutation D'Inverseur De Résonance De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 2856 | GT40T321 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2857 | GT40WR21 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2858 | GT50G321 | La Manche Bipolaire Isolée IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Les Applications Courantes De Commutation D'Inverseur De Résonance De 4ème Génération | TOSHIBA |
| 2859 | GT50J102 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2860 | GT50J121 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Commutant Rapidement Des Applications | TOSHIBA |
| 2861 | GT50J301 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2862 | GT50J322 | La MANCHE BIPOLAIRE ISOLÉE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE Les APPLICATIONS COURANTES De COMMUTATION D'cInverseur De RÉSONANCE De 4ÈME GÉNÉRATION | TOSHIBA |
| 2863 | GT50J325 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Commutant Rapidement Des Applications | TOSHIBA |
| 2864 | GT50J328 | IGBT discrets | TOSHIBA |
| 2865 | GT50J341 | IGBT discrets | TOSHIBA |
| 2866 | GT50J342 | IGBT discrets | TOSHIBA |
| 2867 | GT50JR21 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2868 | GT50JR22 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2869 | GT50MR21 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2870 | GT50N322A | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2871 | GT50NR21 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2872 | GT5G102 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2873 | GT5G103 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2874 | GT5G131 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2875 | GT5G133 | IGBT pour flash stroboscopique | TOSHIBA |
| 2876 | GT5G134 | IGBT pour flash stroboscopique | TOSHIBA |
| 2877 | GT5J301 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2878 | GT5J311 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2879 | GT5J311(SM) | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2880 | GT5J331(SM) | N MANCHE Des APPLICATIONS De COMMANDE De COMMUTATION/MOTEUR De PUISSANCE D'cIgbt(high) | TOSHIBA |
| 2881 | GT60J321 | La Manche Bipolaire Isolée IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Les Applications Douces De Commutation De 4ème Génération | TOSHIBA |
| 2882 | GT60J322 | La Manche Bipolaire Isolée IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Les Applications Douces De Commutation De 4ème Génération | TOSHIBA |
| 2883 | GT60J323 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2884 | GT60J323H | IGBT discrets | TOSHIBA |
| 2885 | GT60M104 | APPLICATIONS de COMMUTATION Bipolaires Isolées de PUISSANCE ÉLEVÉE De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 2886 | GT60M301 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De TYPE De MOS De la MANCHE Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2887 | GT60M302 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2888 | GT60M303 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2889 | GT60M322 | La Manche Bipolaire Isolée par TOSHIBA IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 2890 | GT60M323 | La Manche Bipolaire Isolée par TOSHIBA IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 2891 | GT60M324 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2892 | GT60N321 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte La 4ème Génération | TOSHIBA |
| 2893 | GT60PR21 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 2894 | GT80J101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De TYPE De MOS De CHANNEL Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2895 | GT80J101A | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 2896 | GT8G103 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2897 | GT8G121 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2898 | GT8G131 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2899 | GT8G132 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 2900 | GT8G151 | IGBT pour flash stroboscopique | TOSHIBA |
| | | |
