Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
2801 | GT15M321 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2802 | GT15Q101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2803 | GT15Q102 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2804 | GT15Q301 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2805 | GT15Q311 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2806 | GT20D101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2807 | GT20D201 | APPLICATION BIPOLAIRE ISOLÉE De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM P De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2808 | GT20G101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES d'cInstantané de STROBOSCOPE Du N-canal IGBT de SILICIUM de TRANSISTOR de PORTE | TOSHIBA |
2809 | GT20G101(SM) | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES d'cInstantané de STROBOSCOPE Du N-canal IGBT de SILICIUM de TRANSISTOR de PORTE | TOSHIBA |
2810 | GT20G101SM | La MANCHE IGBT (APPLICATIONS INSTANTANÉES De N De STROBOSCOPE) | TOSHIBA |
2811 | GT20G102 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2812 | GT20G102(SM) | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2813 | GT20G102SM | La MANCHE IGBT (APPLICATIONS INSTANTANÉES De N De STROBOSCOPE) | TOSHIBA |
2814 | GT20J101 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
2815 | GT20J121 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2816 | GT20J301 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2817 | GT20J311 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2818 | GT20J321 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée Du Silicium N Chanenel IGBT De Transistor De Porte Commutant Rapidement Des Applications | TOSHIBA |
2819 | GT20J341 | IGBT discrets | TOSHIBA |
2820 | GT25G101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2821 | GT25G101(SM) | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2822 | GT25G101SM | La MANCHE IGBT (APPLICATIONS INSTANTANÉES De N De STROBOSCOPE) | TOSHIBA |
2823 | GT25G102 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2824 | GT25G102(SM) | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2825 | GT25G102SM | La MANCHE IGBT (APPLICATIONS INSTANTANÉES De N De STROBOSCOPE) | TOSHIBA |
2826 | GT25J101 | Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
2827 | GT25J102 | Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
2828 | GT25Q101 | Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
2829 | GT25Q102 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
2830 | GT25Q301 | Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
2831 | GT30J101 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
2832 | GT30J121 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Commutant Rapidement Des Applications | TOSHIBA |
2833 | GT30J122 | IGBT discrets | TOSHIBA |
2834 | GT30J122A | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2835 | GT30J126 | IGBT discrets | TOSHIBA |
2836 | GT30J301 | Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
2837 | GT30J311 | Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
2838 | GT30J322 | La MANCHE BIPOLAIRE ISOLÉE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE Les APPLICATIONS COURANTES De COMMUTATION D'cInverseur De RÉSONANCE De 4ÈME GÉNÉRATION | TOSHIBA |
2839 | GT30J324 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Commutant Rapidement Des Applications | TOSHIBA |
2840 | GT30J341 | IGBT discrets | TOSHIBA |
2841 | GT35J321 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2842 | GT35MR21 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2843 | GT40G121 | La Manche Bipolaire Isolée IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Les Applications Courantes De Commutation D'Inverseur De Résonance De 4ème Génération | TOSHIBA |
2844 | GT40J121 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2845 | GT40J321 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2846 | GT40J322 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2847 | GT40J325 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2848 | GT40M101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE Du CHANNEL IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2849 | GT40M301 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De TYPE De MOS De la MANCHE Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2850 | GT40Q321 | L'Injection A augmenté L'Application De Commutation D'Inverseur De Résonance De Tension De la Manche IEGT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
2851 | GT40Q322 | Application De Commutation D'Inverseur De Résonance DeTension | TOSHIBA |
2852 | GT40QR21 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2853 | GT40RR21 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2854 | GT40T101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De TYPE De MOS De la MANCHE Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2855 | GT40T301 | Applications Parallèles Bipolaires Isolées De Commutation D'Inverseur De Résonance De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
2856 | GT40T321 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2857 | GT40WR21 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2858 | GT50G321 | La Manche Bipolaire Isolée IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Les Applications Courantes De Commutation D'Inverseur De Résonance De 4ème Génération | TOSHIBA |
2859 | GT50J102 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2860 | GT50J121 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Commutant Rapidement Des Applications | TOSHIBA |
2861 | GT50J301 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2862 | GT50J322 | La MANCHE BIPOLAIRE ISOLÉE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE Les APPLICATIONS COURANTES De COMMUTATION D'cInverseur De RÉSONANCE De 4ÈME GÉNÉRATION | TOSHIBA |
2863 | GT50J325 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Commutant Rapidement Des Applications | TOSHIBA |
2864 | GT50J328 | IGBT discrets | TOSHIBA |
2865 | GT50J341 | IGBT discrets | TOSHIBA |
2866 | GT50J342 | IGBT discrets | TOSHIBA |
2867 | GT50JR21 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2868 | GT50JR22 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2869 | GT50MR21 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2870 | GT50N322A | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2871 | GT50NR21 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2872 | GT5G102 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2873 | GT5G103 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2874 | GT5G131 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2875 | GT5G133 | IGBT pour flash stroboscopique | TOSHIBA |
2876 | GT5G134 | IGBT pour flash stroboscopique | TOSHIBA |
2877 | GT5J301 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2878 | GT5J311 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2879 | GT5J311(SM) | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2880 | GT5J331(SM) | N MANCHE Des APPLICATIONS De COMMANDE De COMMUTATION/MOTEUR De PUISSANCE D'cIgbt(high) | TOSHIBA |
2881 | GT60J321 | La Manche Bipolaire Isolée IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Les Applications Douces De Commutation De 4ème Génération | TOSHIBA |
2882 | GT60J322 | La Manche Bipolaire Isolée IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Les Applications Douces De Commutation De 4ème Génération | TOSHIBA |
2883 | GT60J323 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2884 | GT60J323H | IGBT discrets | TOSHIBA |
2885 | GT60M104 | APPLICATIONS de COMMUTATION Bipolaires Isolées de PUISSANCE ÉLEVÉE De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
2886 | GT60M301 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De TYPE De MOS De la MANCHE Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2887 | GT60M302 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2888 | GT60M303 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2889 | GT60M322 | La Manche Bipolaire Isolée par TOSHIBA IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
2890 | GT60M323 | La Manche Bipolaire Isolée par TOSHIBA IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
2891 | GT60M324 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2892 | GT60N321 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte La 4ème Génération | TOSHIBA |
2893 | GT60PR21 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
2894 | GT80J101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De TYPE De MOS De CHANNEL Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2895 | GT80J101A | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
2896 | GT8G103 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2897 | GT8G121 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2898 | GT8G131 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2899 | GT8G132 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2900 | GT8G151 | IGBT pour flash stroboscopique | TOSHIBA |
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