| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 3801 | RN1962FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3802 | RN1962FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 3803 | RN1963 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3804 | RN1963FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3805 | RN1963FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 3806 | RN1964 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3807 | RN1964FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3808 | RN1964FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 3809 | RN1965 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3810 | RN1965FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3811 | RN1965FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 3812 | RN1966 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3813 | RN1966FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3814 | RN1966FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 3815 | RN1967 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3816 | RN1967FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3817 | RN1967FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 3818 | RN1968 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3819 | RN1968FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3820 | RN1968FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 3821 | RN1969 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3822 | RN1969FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3823 | RN1969FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 3824 | RN1970 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3825 | RN1970FE | Commutation épitaxiale de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), circuit d'inverseur, applications de circuit d'andDriver de circuit d'interface. | TOSHIBA |
| 3826 | RN1970FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 3827 | RN1971 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3828 | RN1971FE | Commutation épitaxiale de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), circuit d'inverseur, applications de circuit d'andDriver de circuit d'interface. | TOSHIBA |
| 3829 | RN1971FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 3830 | RN1972FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 3831 | RN1973 | Commutation épitaxiale de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), circuit d'inverseur, applications de circuit d'andDriver de circuit d'interface. | TOSHIBA |
| 3832 | RN1973FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 3833 | RN2001 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3834 | RN2002 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3835 | RN2003 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3836 | RN2004 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3837 | RN2005 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3838 | RN2006 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3839 | RN2007 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3840 | RN2008 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3841 | RN2009 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3842 | RN2010 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3843 | RN2011 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3844 | RN2101 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3845 | RN2101ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3846 | RN2101CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3847 | RN2101F | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3848 | RN2101FT | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3849 | RN2101MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3850 | RN2102 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3851 | RN2102ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3852 | RN2102CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3853 | RN2102F | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3854 | RN2102FT | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3855 | RN2102MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3856 | RN2103 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3857 | RN2103ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3858 | RN2103CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3859 | RN2103F | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3860 | RN2103FT | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3861 | RN2103MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3862 | RN2104 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3863 | RN2104ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3864 | RN2104CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3865 | RN2104F | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3866 | RN2104FT | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3867 | RN2104MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3868 | RN2105 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3869 | RN2105ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3870 | RN2105CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3871 | RN2105F | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3872 | RN2105FT | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3873 | RN2105MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3874 | RN2106 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3875 | RN2106ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3876 | RN2106CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3877 | RN2106F | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 3878 | RN2106FT | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3879 | RN2106MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3880 | RN2107 | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 3881 | RN2107ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3882 | RN2107CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3883 | RN2107F | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 3884 | RN2107FT | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3885 | RN2107MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3886 | RN2108 | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 3887 | RN2108ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3888 | RN2108CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3889 | RN2108F | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 3890 | RN2108FT | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3891 | RN2108MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3892 | RN2109 | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 3893 | RN2109ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3894 | RN2109CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3895 | RN2109F | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 3896 | RN2109FT | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 3897 | RN2109MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3898 | RN2110 | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 3899 | RN2110ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3900 | RN2110CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
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