Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
501 | 1SS321 | Commutation À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Basse Tension De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
502 | 1SS322 | Commutation À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Basse Tension De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
503 | 1SS336 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
504 | 1SS337 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
505 | 1SS344 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Schottky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
506 | 1SS348 | Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
507 | 1SS349 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Schottky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
508 | 1SS352 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
509 | 1SS357 | Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
510 | 1SS360 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
511 | 1SS360F | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
512 | 1SS361 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
513 | 1SS361CT | Diode de commutation | TOSHIBA |
514 | 1SS361F | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
515 | 1SS361FV | Diode de commutation | TOSHIBA |
516 | 1SS362 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
517 | 1SS362FV | Diode de commutation | TOSHIBA |
518 | 1SS364 | APPLICATIONS DE COMMUTATEUR DE BANDE DE TUNER DE VHF DE DIODE | TOSHIBA |
519 | 1SS367 | Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
520 | 1SS368 | DIODE (APPLICATION ULTRA À GRANDE VITESSE DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
521 | 1SS369 | DIODE (COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE BASSE TENSION) | TOSHIBA |
522 | 1SS370 | Haute tension Planaire Épitaxiale De Type De Silicium De Diode, Applications À grande vitesse De Commutation | TOSHIBA |
523 | 1SS372 | Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
524 | 1SS373 | DIODE (APPLICATION À GRANDE VITESSE DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
525 | 1SS374 | Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
526 | 1SS377 | Commutation À grande vitesse De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
527 | 1SS378 | Commutation À grande vitesse De Schottky De Silicium De Diode De Type Planaire Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
528 | 1SS379 | Applications Tout usage De Redresseur De Type Planaire Épitaxial De Silicium De Diode | TOSHIBA |
529 | 1SS381 | Applications Planaires Épitaxiales De Commutateur De Bande De Tuner de VHF De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
530 | 1SS382 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
531 | 1SS383 | Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
532 | 1SS384 | Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
533 | 1SS385 | Commutation À grande vitesse De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
534 | 1SS385F | Commutation À grande vitesse De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
535 | 1SS385FV | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
536 | 1SS387 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
537 | 1SS387CT | Diode de commutation | TOSHIBA |
538 | 1SS388 | Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
539 | 1SS389 | Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
540 | 1SS391 | Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
541 | 1SS392 | Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
542 | 1SS393 | Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
543 | 1SS394 | Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
544 | 1SS395 | Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
545 | 1SS396 | Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
546 | 1SS397 | Haute tension Planaire Épitaxiale De Diode De Silicium De Diode, Applications À grande vitesse De Commutation | TOSHIBA |
547 | 1SS398 | Haute tension Planaire Épitaxiale De Diode De Silicium De Diode, Applications À grande vitesse De Commutation | TOSHIBA |
548 | 1SS399 | Haute tension Planaire Épitaxiale De Diode De Silicium De Diode, Applications À grande vitesse De Commutation | TOSHIBA |
549 | 1SS401 | Applications À grande vitesse De Commutation De Schottoky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
550 | 1SS402 | Applications À grande vitesse De Commutation De Schottoky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
551 | 1SS403 | Applications À haute tension De Commutation De Schottoky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
552 | 1SS404 | Applications À grande vitesse De Commutation De Type Épitaxial De Shottlky Barrire De Silicium De Diode | TOSHIBA |
553 | 1SS405 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
554 | 1SS406 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
555 | 1SS412 | Diode de commutation | TOSHIBA |
556 | 1SS413 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
557 | 1SS413CT | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
558 | 1SS416 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
559 | 1SS416CT | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
560 | 1SS417 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
561 | 1SS417CT | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
562 | 1SS418 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
563 | 1SS419 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
564 | 1SS420 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
565 | 1SS420CT | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
566 | 1SS421 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
567 | 1SS422 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
568 | 1SS423 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
569 | 1SS424 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
570 | 1SS426 | Diode de commutation | TOSHIBA |
571 | 1SS427 | Diode de commutation | TOSHIBA |
572 | 1SV100 | DIODE VARIABLE DE CAPACITÉ DE TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM | TOSHIBA |
573 | 1SV101 | APPLICATIONS PLANAIRES ÉPITAXIALES DE TUNER DU TYPE FM DE CAPACITÉ DE SILICIUM VARIABLE DE DIODE | TOSHIBA |
574 | 1SV102 | APPLICATIONS D'ACCORD DE CAPACITÉ DE DIODE DE SILICIUM DE BANDE PAR RADIO PLANAIRE ÉPITAXIALE VARIABLE DU TYPE AM | TOSHIBA |
575 | 1SV103 | APPLICATIONS D'ACCORD DE CAPACITÉ DE DIODE DE SILICIUM DE BANDE PAR RADIO PLANAIRE ÉPITAXIALE VARIABLE DU TYPE FM | TOSHIBA |
576 | 1SV123 | DIODE VARIABLE DE CAPACITÉ | TOSHIBA |
577 | 1SV128 | APPLICATIONS D'CAtténuateur DE LA BANDE RF DE LA DIODE VHF~uhf | TOSHIBA |
578 | 1SV147 | APPLICATIONS D'ACCORD DE CAPACITÉ DE DIODE DE SILICIUM DE BANDE PAR RADIO PLANAIRE ÉPITAXIALE VARIABLE DU TYPE FM | TOSHIBA |
579 | 1SV149 | APPLICATIONS D'ACCORD DE CAPACITÉ DE DIODE DE SILICIUM DE BANDE PAR RADIO PLANAIRE ÉPITAXIALE VARIABLE DU TYPE AM | TOSHIBA |
580 | 1SV153 | DIODE VARIABLE DE CAPACITÉ DE TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM | TOSHIBA |
581 | 1SV160 | Demande variable de la diode AFC de capacité de récepteur de FM | TOSHIBA |
582 | 1SV162 | DIODE VARIABLE DE CAPACITÉ | TOSHIBA |
583 | 1SV162 | DIODE VARIABLE DE CAPACITÉ | TOSHIBA |
584 | 1SV172 | Type Épitaxial De Goupille De Silicium De Diode | TOSHIBA |
585 | 1SV214 | Accord Variable De la Diode TV De Capacité | TOSHIBA |
586 | 1SV215 | Accord Variable De la Diode CATV De Capacité | TOSHIBA |
587 | 1SV216 | Tuner À FRÉQUENCE ULTRA-haute AFC de VHF De la Diode Variable TV De Capacité | TOSHIBA |
588 | 1SV217 | Accord Variable De la Diode CATV De Capacité | TOSHIBA |
589 | 1SV225 | Applications d'accord électroniques de diode variable de capacité des récepteurs de FM | TOSHIBA |
590 | 1SV228 | Applications d'accord électroniques de diode variable de capacité des récepteurs de FM | TOSHIBA |
591 | 1SV229 | Diode variable VCO de capacité pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
592 | 1SV230 | 1er Accord d'cOscillateur De Capacité De Convertisseur Variable De la Diode CATV | TOSHIBA |
593 | 1SV231 | Accord Variable De la Diode CATV De Capacité | TOSHIBA |
594 | 1SV232 | Accord Variable De la Diode CATV De Capacité | TOSHIBA |
595 | 1SV237 | Applications Épitaxiales D'Atténuateur De la Bande Rf Du Type VHF~uhf De Goupille De Silicium De Diode | TOSHIBA |
596 | 1SV239 | Diode variable VCO de capacité pour la RADIO UHF | TOSHIBA |
597 | 1SV242 | Accord Large De Bande de VHF De la Diode Variable TV De Capacité | TOSHIBA |
598 | 1SV245 | Accord Variable de la Fréquence ultra-haute SHF De Diode De Capacité | TOSHIBA |
599 | 1SV252 | Applications Épitaxiales D'Atténuateur De la Bande Rf Du Type VHF~uhf De Goupille De Silicium De Diode | TOSHIBA |
600 | 1SV257 | Diodes De Varactor de Rf | TOSHIBA |
| | | |