|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 25649 | 25650 | 25651 | 25652 | 25653 | 25654 | 25655 | 25656 | 25657 | 25658 | 25659 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1026121PTF10125135 Watts, 1,4-1,6 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026122PTF1013385 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026123PTF10134100 Watts, 2,1-2,2 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026124PTF101355 Watts, 2,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026125PTF101366 Watts, 1,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026126PTF1013712 Watts, 1,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026127PTF1013860 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026128PTF1013960 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026129PTF1014970 Watts, Transistor à effet de champ De 921-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026130PTF1015360 Watts, 1,8-2,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026131PTF1015485 Watts, 1,93-1,99 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026132PTF1016085 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026133PTF10161165 Watts, Transistor à effet de champ De 869-894 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026134PTF1016218 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026135PTF1019318 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026136PTF10195125 Watts, Transistor à effet de champ De 869-894 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026137PTF10202740 Watts, Transistor à effet de champ De 925-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026138PTF10202818 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026139PTF180101Transistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 10 Avec 1805-1880 Mégahertz/1930-1990 Mégahertz 10 Avec 2110-2170 MégahertzInfineon



1026140PTF180101STransistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 10 Avec 1805-1880 Mégahertz/1930-1990 Mégahertz 10 Avec 2110-2170 MégahertzInfineon
1026141PTF180601Transistor à effet de champ de LDMOS 60 Avec La Bande 1805-1880 Mégahertz/1930-1990 Mégahertz de DCS/pcsInfineon
1026142PTF180601CTransistor à effet de champ de LDMOS 60 Avec La Bande 1805-1880 Mégahertz/1930-1990 Mégahertz de DCS/pcsInfineon
1026143PTF180601ETransistor à effet de champ de LDMOS 60 Avec La Bande 1805-1880 Mégahertz/1930-1990 Mégahertz de DCS/pcsInfineon
1026144PTF180901EFET De Puissance de GSM/edge RfInfineon
1026145PTF180901FFET De Puissance de GSM/edge RfInfineon
1026146PTF181301Transistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 130 Avec 1805-1880 MégahertzInfineon
1026147PTF181301ATransistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 130 Avec 1805-1880 MégahertzInfineon
1026148PTF191601Transistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 160 Avec 1930-1990 MégahertzInfineon
1026149PTF191601ETransistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 160 Avec 1930-1990 MégahertzInfineon
1026150PTF210301Transistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 30 Avec 2110-2170 MégahertzInfineon
1026151PTF210301ATransistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 30 Avec 2110-2170 MégahertzInfineon
1026152PTF210301ETransistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 30 Avec 2110-2170 MégahertzInfineon
1026153PTF210451Transistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 45 Avec 2110-2170 MégahertzInfineon
1026154PTF210451ETransistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 45 Avec 2110-2170 MégahertzInfineon
1026155PTF210901Transistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 90 Avec 2110-2170 MégahertzInfineon
1026156PTF210901ETransistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 90 Avec 2110-2170 MégahertzInfineon
1026157PTF211301Transistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 130 Avec 2110-2170 MégahertzInfineon
1026158PTF211301ATransistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 130 Avec 2110-2170 MégahertzInfineon
1026159PTF211802Transistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 180 Avec 2110-2170 MégahertzInfineon
1026160PTF211802ATransistor à effet de champ De Puissance de LDMOS Rf 180 Avec 2110-2170 MégahertzInfineon
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 25649 | 25650 | 25651 | 25652 | 25653 | 25654 | 25655 | 25656 | 25657 | 25658 | 25659 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com