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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
250001BC32840BUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
250002BC32840TATransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
250003BC328A0.625W usage général PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 0.800A Ic, 100-400 hFEContinental Device India Limited
250004BC328BUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
250005BC328TATransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
250006BC328TARTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
250007BC328TFTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
250008BC328TFRTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
250009BC337Transistor d'usage universel de NPNPhilips
250010BC337Applications de commutation et d'amplificateurFairchild Semiconductor
250011BC337Transistor Tout usageKorea Electronics (KEC)
250012BC337Petits Transistors De Signal (NPN)Vishay
250013BC337Petits Transistors De Signal (NPN)General Semiconductor
250014BC337Transistor d'Af De Silicium de NPNInfineon
250015BC337Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de TranzystorUltra CEMI
250016BC337Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPNHoney Technology
250017BC337TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS D'CAf DE SILICIUM DE NPNMicro Electronics
250018BC337Transistors d'cAf de silicium de NPN (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse)Siemens
250019BC337Transistor D'AmplificateurMotorola



250020BC337Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor
250021BC337PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
250022BC337Transistor planaire épitaxial de silicium de NPN pour des applications de commutation et d'amplificateurSemtech
250023BC3370.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.800A Ic, 100-630 hFEContinental Device India Limited
250024BC337Transistor. Commutation et applications ampplifier. Convient pour stagees AF-pilote et étages de puissance. Collecteur-base VCBO = 50V. Collecteur-émetteur VCEO = 45V. Émetteur-base Vebo = 5V. Collector dissipation Pc = 625mW. CollectorUSHA India LTD
250025BC337-016Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor
250026BC337-025Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor
250027BC337-040Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor
250028BC337-16Transistor d'usage universel de NPNPhilips
250029BC337-16Amplificateur D'Usage universel de NPNFairchild Semiconductor
250030BC337-16Transistors d'cAf de silicium de NPN (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse)Siemens
250031BC337-16Transistor D'AmplificateurMotorola
250032BC337-16Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor
250033BC337-16Transistors, & de Rf; AfVishay
250034BC337-16PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
250035BC337-160.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.800A Ic, 100-250 hFEContinental Device India Limited
250036BC337-16Petits signaux Transistor (NPN)General Semiconductor
250037BC337-16RL1Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor
250038BC337-16ZL1Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor
250039BC337-25Transistor d'usage universel de NPNPhilips
250040BC337-25Amplificateur D'Usage universel de NPNFairchild Semiconductor
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