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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
250001BC32840BUTransistore Epitassiale Del Silicone di PNPFairchild Semiconductor
250002BC32840TATransistore Epitassiale Del Silicone di PNPFairchild Semiconductor
250003BC328AScopo 0.625W generale PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 0.800A Ic, 100-400 hFEContinental Device India Limited
250004BC328BUTransistore Epitassiale Del Silicone di PNPFairchild Semiconductor
250005BC328TATransistore Epitassiale Del Silicone di PNPFairchild Semiconductor
250006BC328TARTransistore Epitassiale Del Silicone di PNPFairchild Semiconductor
250007BC328TFTransistore Epitassiale Del Silicone di PNPFairchild Semiconductor
250008BC328TFRTransistore Epitassiale Del Silicone di PNPFairchild Semiconductor
250009BC337Transistore di uso generale di NPNPhilips
250010BC337Applicazioni dell'amplificatore e di commutazioneFairchild Semiconductor
250011BC337Transistore Per tutti gli usiKorea Electronics (KEC)
250012BC337Piccoli Transistori Del Segnale (NPN)Vishay
250013BC337Piccoli Transistori Del Segnale (NPN)General Semiconductor
250014BC337Transistore di Af Del Silicone di NPNInfineon
250015BC337Tranzystor malej czestotliwosci malej mocyUltra CEMI
250016BC337Transistore Planare Epitassiale Del Silicone di NPNHoney Technology
250017BC337TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE MEDI DI AF DEL SILICONE DI NPNMicro Electronics
250018BC337Transistori di AF del silicone di NPN (alta alta tensione bassa di saturazione del collector-emitter della corrente di collettore di guadagno corrente)Siemens
250019BC337Transistore Dell'AmplificatoreMotorola



250020BC337Plastica NPN Del Silicone Del TransistoreON Semiconductor
250021BC337PlanarTransistors Silicone-EpitassialeDiotec Elektronische
250022BC337Transistore planare epitassiale del silicone di NPN per le applicazioni dell'amplificatore e di commutazioneSemtech
250023BC337Scopo 0.625W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 0.800A Ic, 100-630 hFEContinental Device India Limited
250024BC337Transistor. Di commutazione e le applicazioni ampplifier. Adatto per stagees AF-driver e stadi finali di potenza. Collettore-base VCBO = 50V. Collettore-emettitore Vceo = 45V. Emettitore-base Vebo = 5V. Collector dissipazione Pc = 625mW. CUSHA India LTD
250025BC337-016Plastica NPN Del Silicone Del TransistoreON Semiconductor
250026BC337-025Plastica NPN Del Silicone Del TransistoreON Semiconductor
250027BC337-040Plastica NPN Del Silicone Del TransistoreON Semiconductor
250028BC337-16Transistore di uso generale di NPNPhilips
250029BC337-16Amplificatore Di Uso generale di NPNFairchild Semiconductor
250030BC337-16Transistori di AF del silicone di NPN (alta alta tensione bassa di saturazione del collector-emitter della corrente di collettore di guadagno corrente)Siemens
250031BC337-16Transistore Dell'AmplificatoreMotorola
250032BC337-16Plastica NPN Del Silicone Del TransistoreON Semiconductor
250033BC337-16Transistori, Rf & AfVishay
250034BC337-16PlanarTransistors Silicone-EpitassialeDiotec Elektronische
250035BC337-16Scopo 0.625W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 0.800A Ic, 100-250 hFEContinental Device India Limited
250036BC337-16Piccolo segnale Transistor (NPN)General Semiconductor
250037BC337-16RL1Plastica NPN Del Silicone Del TransistoreON Semiconductor
250038BC337-16ZL1Plastica NPN Del Silicone Del TransistoreON Semiconductor
250039BC337-25Transistore di uso generale di NPNPhilips
250040BC337-25Amplificatore Di Uso generale di NPNFairchild Semiconductor
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